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樣品名稱：半導(dǎo)體晶體場效應(yīng)管(MOSFET,碳化硅MOSFET)

檢測項(xiàng)目：漏-源擊穿電壓V(BR)DSS

認(rèn)可資質(zhì)：其它

檢測標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128B-2021 3407

服務(wù)地點(diǎn)：全國

適用范圍：電子電氣

標(biāo)簽： 半導(dǎo)體晶體場效應(yīng)管(MOSFET,碳化硅MOSFET) 漏-源擊穿電壓V(BR)DSS 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128B-2021 3407