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半導(dǎo)體晶體場效應(yīng)管(MOSFET,碳化硅MOSFET)中閾值電壓VGS(th)檢測

  • 樣品名稱:半導(dǎo)體晶體場效應(yīng)管(MOSFET,碳化硅MOSFET)

  • 檢測項目:閾值電壓VGS(th)

  • 認(rèn)可資質(zhì):其它

  • 檢測標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第8部分:場效應(yīng)功率晶體管 GB/T4586-1994 第Ⅳ章 第5條、第6條

  • 服務(wù)地點(diǎn):全國

  • 適用范圍:電子電氣

  • 標(biāo)簽: 半導(dǎo)體晶體場效應(yīng)管(MOSFET,碳化硅MOSFET) 閾值電壓VGS(th) 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第8部分:場效應(yīng)功率晶體管 GB/T4586-1994 第Ⅳ章 第5條、第6條

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