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半導體IGBT電路中集電極-發(fā)射極通態(tài)電壓VCE(on)檢測

  • 樣品名稱：半導體IGBT電路

  • 檢測項目：集電極-發(fā)射極通態(tài)電壓VCE(on)

  • 認可資質：其它

  • 檢測標準：半導體器件 分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB/T 29332-2012 6.3.1

  • 服務地點：全國

  • 適用范圍：電子電氣

  • 標簽： 半導體IGBT電路 集電極-發(fā)射極通態(tài)電壓VCE(on) 半導體器件 分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB/T 29332-2012 6.3.1

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