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多晶硅微量元素檢測（SEMI PV49-0613低檢出限）
項目詳解
多晶硅（polycrystalline silicon）有灰色金屬光澤，密度2.32~2.34g/cm3。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎(chǔ)材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。
多晶硅廠商檢測難題
由于微量的雜質(zhì)即可大大影響多晶硅的性能，所以多晶硅的雜質(zhì)管控要求非常高，部分廠商提出了非常苛刻的要求（如下），目前國內(nèi)實驗室大多不具備低檢出限的測試能力。嘉峪檢測網(wǎng)整合了部分國際先進實驗室可以滿足這一嚴苛要求。
多晶硅痕量元素分析檢出限（ppbw）
京公網(wǎng)安備11010802046783號