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半導(dǎo)體器件中高溫柵極偏置（HTGB）檢測

  • 樣品名稱：半導(dǎo)體器件

  • 檢測項目：高溫柵極偏置（HTGB）

  • 認(rèn)可資質(zhì)：其它

  • 檢測標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 7.2.5.2

  • 服務(wù)地點：全國

  • 適用范圍：電子電氣

  • 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體器件 高溫柵極偏置（HTGB） 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 7.2.5.2

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