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半導體晶體場效應(yīng)管(MOSFET,碳化硅MOSFET)中漏極截止電流IDSS檢測

  • 樣品名稱：半導體晶體場效應(yīng)管(MOSFET,碳化硅MOSFET)

  • 檢測項目：漏極截止電流IDSS

  • 認可資質(zhì)：其它

  • 檢測標準：半導體分立器件和集成電路 第8部分：場效應(yīng)功率晶體管 GB/T4586-1994 第Ⅳ章 第4條

  • 服務(wù)地點：全國

  • 適用范圍：電子電氣

  • 標簽： 半導體晶體場效應(yīng)管(MOSFET,碳化硅MOSFET) 漏極截止電流IDSS 半導體分立器件和集成電路 第8部分：場效應(yīng)功率晶體管 GB/T4586-1994 第Ⅳ章 第4條

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