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國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《GB/T 17626.3-2016 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)》于2017年7月1日實(shí)施，屆時(shí)將替代《GB/T 17626.3-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)》，與舊版本相比，主要技術(shù)內(nèi)容變化如下：

●第4章術(shù)語和定義中，刪除了原4.14帶狀線和4.15雜散輻射；

●第5章合并原表1和表2為表1與常規(guī)用途裝置、數(shù)字無線電話和其他射頻發(fā)

    射裝置有關(guān)的試驗(yàn)等級(jí)；

●5.2保護(hù)（設(shè)備）抵抗數(shù)字無線電話和其他射頻發(fā)射裝置的射頻輻射的測(cè)試

    高頻范圍由2GHz擴(kuò)展至6GHz：

●第6章修改了對(duì)功率放大器的要求：

●6.2場(chǎng)校準(zhǔn)中增加了完全照射、部分照射和獨(dú)立窗口均勻場(chǎng)域的應(yīng)用要求；

●6.2.1恒定場(chǎng)強(qiáng)校準(zhǔn)法增加了步驟j），對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的確認(rèn)；

●6.2.2恒定功率校準(zhǔn)法增加了步驟m），對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的確認(rèn)；

●附錄B場(chǎng)發(fā)射天線刪除了圓極化天線；

●刪除了原附錄D中TEM小室和帶狀線測(cè)試方法；

●原附錄I改為附錄G并增加表G.3；

●原附錄H改為附錄F;

●原附錄J改為附錄H;

●原附錄K改為附錄D;

●原附錄F和附錄G合并為附錄E；

●增加了附錄I場(chǎng)強(qiáng)探頭的校準(zhǔn)；

●增加了附錄J試驗(yàn)儀器引起的測(cè)量不確定度。

本部分等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)《IEC 61000-4-3:2010 電磁兼容（EMC） 第4-3部分：試驗(yàn)和量測(cè)技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)》。其中最大的變化是將測(cè)試頻率由2GHz擴(kuò)展至6GHz，沃特的設(shè)備已升級(jí)，可應(yīng)對(duì)此標(biāo)準(zhǔn)的變化。