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    科研團隊選取碳化硅作為量子發(fā)射材料，因為該材料具有最高的發(fā)射溫度。實際上，正是發(fā)現這種材料具有電熒光性能，該領域內的技術研發(fā)起始于該材料的應用。上世紀20年代所研發(fā)的第一批發(fā)光二極管就是采用的碳化硅，只是從80年代起才采用其它材料逐步淘汰了這種材料。

    科研團隊對碳化硅材料進行了深入的研究，建立了碳化硅電熒光性能的基礎理論，可解釋碳化硅作為量子發(fā)射材料的輻射機理，準確預測并可重復試驗結果。通過理論和試驗完善了以碳化硅作為量子發(fā)射材料的技術性能，所研發(fā)量子發(fā)射器具備每秒可發(fā)射幾十億單個量子的技術物理指標，可保證G比特的傳輸速度。另外，采用該材料所研發(fā)的元件具備與微電子領域“金屬–氧化物–半導體”材料整套工藝兼容的優(yōu)勢，在微電子領域具有更廣的應用前景。

   
    采用量子加密技術可防止信息被盜取，這是因為信息的安全是建立在量子狀態(tài)不被破壞的基礎上，信息一旦被盜取，信息的承載體——量子的狀態(tài)就受到了破壞。然而在量子通訊中存在這種情況，如果線路同時傳輸若干個相同狀態(tài)的量子，盜取者可從一部分量子上盜取信息而不會被發(fā)現，由此，研發(fā)單量子發(fā)射技術成為了必要。