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最高的頻率點時128Mhz附件，而電路上的開關(guān)電源的頻率是500khz，不可能產(chǎn)生這么大的倍頻。去掉外部供電網(wǎng)絡(luò)時，幅值降低，但是還是效果很差。

回路整改和不斷的修改方案后，完全鋪銅，同時變電路板為四層，增加電源層，同時電源輸入口增加多級π型濾波和lc濾波，重新布局電路設(shè)計，按照信號輸入輸出方式改動布局設(shè)計，這次試驗順利通過，但在500Khz的倍頻處還是有很大的幅值，沒有濾除成功，但是試驗通過。

經(jīng)驗之談：

 處理EMI/EMC相關(guān)注意事項

1.把噪音電路節(jié)點的PCB銅箔面積最大限度地減小;如開關(guān)管的漏極、集電極，初次級繞組的節(jié)點等。 

2.使輸入和輸出端遠離噪音元件，如變壓器線包，變壓器磁芯，開關(guān)管的散熱片，等等。 
3. 使噪音元件（如未遮蔽的變壓器線包、未遮蔽的變壓器磁芯、和開關(guān)管等等）遠離外殼邊緣，因為在正常操作下外殼邊緣很可能靠近外面的接地線。 
4. 如果變壓器沒有使用電場屏蔽，要保持屏蔽體和散熱片遠離變壓器。
5. 盡量減小以下電流環(huán)的面積：次級（輸出）整流器、初級開關(guān)功率器件、柵極（基極）驅(qū)動線路、輔助整流器。 
6.不要將門極（基極）的驅(qū)動返饋環(huán)路和初級開關(guān)電路或輔助整流電路混在一起。
7.調(diào)整優(yōu)化阻尼電阻值，使它在開關(guān)的死區(qū)時間里不產(chǎn)生振鈴響聲。
8. 防止EMI濾波電感飽和。
9.使拐彎節(jié)點和次級電路的元件遠離初級電路的屏蔽體或者開關(guān)管的散熱片。
10.保持初級電路的擺動的節(jié)點和元件本體遠離屏蔽或者散熱片。
11.使高頻輸入的EMI濾波器靠近輸入電纜或者連接器端。
12.保持高頻輸出的EMI濾波器靠近輸出電線端子。
13.使EMI濾波器對面的PCB板的銅箔和元件本體之間保持一定距離。
14.在輔助線圈的整流器的線路上放一些電阻。
15.在磁棒線圈上并聯(lián)阻尼電阻。
16.在輸出RF濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻。
17.在PCB設(shè)計時允許放1nF/ 500 V陶瓷電容器或者還可以是一串電阻，跨接在變壓器的初級的靜端和輔助繞組之間。
18.保持EMI濾波器遠離功率變壓器;尤其是避免定位在繞包的端部。
19.在PCB面積足夠的情況下, 可在PCB上留下放屏蔽繞組用的腳位和放RC阻尼器的位置，RC阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端。
20.空間允許的話在開關(guān)功率場效應(yīng)管的漏極和門極之間放一個小徑向引線電容器（米勒電容， 10皮法/1千伏電容）。
21.空間允許的話放一個小的RC阻尼器在直流輸出端。
22. 不要把AC插座與初級開關(guān)管的散熱片靠在一起。
23.金屬外殼的濾波器的接地最好直接通過其外殼和地之間的大面積搭接。檢查濾波器的輸入、輸出線是否互相靠近。
24.適當調(diào)整X/Y電容的容值、差模電感及共模扼流圈的感量。
25調(diào)整Y電容時要注意安全問題；改變參數(shù)可能會改善某一段的輻射，但是卻會導致另外頻度變差，所以需要不斷的試，才能找到最好的組合。
26.適當增大觸發(fā)極上的電阻值不失為一個好辦法；可在開關(guān)管晶體管的集電極（或者是MOS管的漏極）或者是次級輸出整流管對地接一個小電容也可以有效減小共模開關(guān)噪聲。
27.開關(guān)電源板在PCB布線時一定要控制好各回路的回流面積，可以大大減小差模輻射。

28.PCB電源走線中增加104/103電容為電源去耦；在多層板布線時要求電源平面和地平面緊鄰。

29.在電源線上套磁環(huán)進行比對驗證，以后可以通過在單板上增加共模電感來實現(xiàn)，或者在電纜上注塑磁環(huán)。
30.輸入AC線的L線的長度盡量短；屏蔽設(shè)備內(nèi)部，孔縫附近是否有干擾源。
31.檢查接地螺釘是否噴有絕緣漆，是否接地良好。