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經(jīng)典實用的電子元器件選型規(guī)范

嘉峪檢測網(wǎng)        2019-06-13 08:55

經(jīng)典實用的電子元器件選型規(guī)范

 

1 目錄

2 總則

2.1 目的

2.2 適用范圍

2.3 電子元器件選型基本原則

2.4 其他具體選型原則:

3 各類電子元器件選型原則

3.1 電阻選型

3.2 電容選型

3.2.1 鋁電解電容

3.2.2 鉭電解電容

3.2.3 片狀多層陶瓷電容

3.3 電感選型

3.4 二極管選型

3.4.1 發(fā)光二極管:

3.4.2 快恢復(fù)二極管:

3.4.3 整流二極管:

3.4.4 肖特基二極管:

3.4.5 穩(wěn)壓二極管:

3.4.6 瞬態(tài)抑制二極管:

3.5 三極管選型

3.6 晶體和晶振選型

3.7 繼電器選型

3.8 電源選型

3.8.1 AC/DC電源選型規(guī)則

3.8.2 隔離DC/DC電源選型規(guī)則

3.9 運放選型

3.10 A/D和D/A芯片選型

3.11 處理器選型

3.12 FLASH選型

3.13 SRAM選型

3.14 EEPROM選型

3.15 開關(guān)選型

3.16 接插件選型

3.16.1 選型時考慮的電氣參數(shù):

3.16.2 選型時考慮的機械參數(shù):

3.16.3 歐式連接器選型規(guī)則

3.16.4 白色端子選型規(guī)則

3.16.5 其它矩形連接器選型規(guī)則

3.17 電子線纜選型

4 附則

 

2 總則


 

2.1 目的

為本公司研發(fā)電子產(chǎn)品時物料選型提供指導(dǎo)性規(guī)范文件。

 

2.2 適用范圍

適用于公司研發(fā)部門開發(fā)過程中元器件選型使用。

 

2.3 電子元器件選型基本原則

1) 普遍性原則:所選的元器件要是被廣泛使用驗證過的,盡量少使用冷門、偏門芯片,減少開發(fā)風(fēng)險。

2) 高性價比原則:在功能、性能、使用率都相近的情況下,盡量選擇價格比較好的元器件,降低成本。

3) 采購方便原則:盡量選擇容易買到、供貨周期短的元器件。

4) 持續(xù)發(fā)展原則: 盡量選擇在可預(yù)見的時間內(nèi)不會停產(chǎn)的元器件,禁止選用停產(chǎn)的器件,優(yōu)選生命周期處于成長期、成熟期的器件。

5) 可替代原則:盡量選擇pin to pin兼容芯片品牌比較多的元器件。

6) 向上兼容原則:盡量選擇以前老產(chǎn)品用過的元器件。

7) 資源節(jié)約原則:盡量用上元器件的全部功能和管腳。

8) 降額設(shè)計原則:對于需要降額設(shè)計的部件,盡量進行降額選型,參考標(biāo)準(zhǔn)參見GJB/Z 35《元器件降額準(zhǔn)則》。

9) 便于生產(chǎn)原則:在滿足產(chǎn)品功能和性能的條件下,元器件封裝盡量選擇表貼型,間距寬的型號,封裝復(fù)雜度低的型號,降低生產(chǎn)難度,提高生產(chǎn)效率。

 

2.4 其他具體選型原則:

除滿足上述基本原則之外,選型時還因遵循以下具體原則:

1) 所選器件遵循公司的歸一化原則,在不影響功能、可靠性的前提下,盡可能少選擇物料的種類。

2) 功率器件優(yōu)先選用RjA熱阻小,Tj結(jié)溫更大的封裝型號。

3) 禁止選用封裝尺寸小于0402(含)的器件。

4) 所選元器件MSL(潮濕敏感度等級)不能大于5級(含)。

5) 優(yōu)先選用密封真空包裝的型號,MSL(潮濕敏感度等級)大于2級(含)的,必須使用密封真空包裝。

6) 優(yōu)先選用卷帶包裝、托盤包裝的型號。如果是潮濕敏感等級為二級或者以上的器件,則要求盤狀塑料編帶包裝,盤狀塑料編帶必須能夠承受125℃的高溫。

7) 使用的材料要求滿足抗靜電、阻燃、防銹蝕、抗氧化以及安規(guī)等要求。

8) 選型時必須向我公司合格供應(yīng)商確認(rèn)供貨渠道是否通暢。

9) 電子物料選型時需確定的幾個基本因素:

Ø 技術(shù)參數(shù):電氣參數(shù),機械參數(shù),見《規(guī)格書》;

Ø 型號,廠家料號,包括尾綴,以及可替換的型號;

Ø 封裝;

Ø 使用環(huán)境;

Ø 供貨渠道(品牌,供貨商);

Ø 價格;

Ø 技術(shù)支持;

引用文件:

GJB/Z 35 《元器件降額準(zhǔn)則》

 

3 各類電子元器件選型原則


 

3.1 電阻選型

 

首先確認(rèn)電阻的基本參數(shù):

1) 阻值大小。

2) 精度:常規(guī)使用優(yōu)選1%精度。

3) 額定功率和體積:優(yōu)先選擇常規(guī)功率的體積,具體參見下表1。

4) 溫漂,有特殊要求的應(yīng)用,比如傳感器應(yīng)用,必須關(guān)注此參數(shù)帶來產(chǎn)品性能的影響。

5) 工作溫度范圍,超過70攝氏度的環(huán)境必須降額使用。

6) 電阻類別:貼片厚膜電阻,貼片薄膜電阻,線繞電阻等,普通應(yīng)用為貼片厚膜電阻或者薄膜電阻。

 

封裝

額定功率(W)
  @ 70°C

最高工作電壓
  (V)

工作溫度(°C)

英制
  (inch)

公制
  (mm)

常規(guī)功率系列

01005

0402

1/32

15

-55 ~ +125

0201

0603

1/20

25

0402

1005

1/16

50

-55 ~ +155

0603

1608

1/10

50

0805

2012

1/8

150

1206

3216

1/4

200

1210

3225

1/4

200

-55 ~ +125

2010

5025

1/2

200

2512

6432

1

200

表1

具體選型原則如下:

1) 電阻阻值優(yōu)先選用10系列,12系列,15系列,20系列,30系列,39系列,47系列,51系列, 68系列,82系列。

2) 貼片電阻優(yōu)選0603和0805的封裝,0402以下的封裝禁選。

3) 插腳電阻優(yōu)選0.25W, 0.5W,1W,2W,3W, 5W,7W,10W ,15W。

4) 對于電阻的溫漂,J檔溫漂不能超過500ppm/℃,F(xiàn)檔溫漂不能超過100ppm/℃,B檔溫漂不能超過10ppm/℃。

5) 慎選電位器,如果無法避免,選用多圈的,品牌用BOURNS。

6) 優(yōu)選貼片封裝。

7) 電阻品牌優(yōu)選YAGEO,厚生。

8) 特種場合電阻選型:

Ø 反饋電路,電流/電壓采樣檢測電阻選無感電阻,精度越高越好。

Ø 芯片或網(wǎng)絡(luò)輸入端的啟動電阻或濾波吸收電阻,電壓功率降額。

Ø 高壓電阻:安規(guī)認(rèn)證; 1KV額定電壓,電阻本體長度≥10mm,4KV時本體長度≥25mm。

 

3.2 電容選型

 

3.2.1 鋁電解電容

Ø 缺點:體積大,ESR大,感抗較大,溫度敏感;

Ø 適用場合:溫度變化小、工作頻率低(<25kHz)場合;

選型規(guī)則:

1) 需快速充放電的場合禁用鋁電解電容。

2) 壽命:普通應(yīng)用中選擇標(biāo)準(zhǔn)型、壽命1000HR~3000HR(為價格考慮,慎選長壽命型),優(yōu)選2000Hr。

3) 耐壓:降額使用,3.3V系統(tǒng)取10V、5V系統(tǒng)取10V、12V系統(tǒng)取25V、24V系統(tǒng)取50V;48V系統(tǒng)選100V,

4) 在發(fā)熱元件附件使用,慎選電解電容;

5) 濾波電路,按(電路額定電壓+噪聲疊加后)的電壓峰值*(1.2—1.5)選擇電解電容耐壓。

6) 額定電壓*1.3 作為電容器的浪涌電壓,工作電壓>160V時,額定工作電壓+50V作為浪涌電壓;

7) 降額標(biāo)準(zhǔn)參見GJB/Z35 《元器件降額準(zhǔn)則》 。

8) 工作溫度:鋁電解電容必須選用工作溫度為105度的。

9) 容值:優(yōu)選10、22、47系列;25V以下禁選224、105、475之類容值型號(用片狀多層陶瓷電容或鉭電解電容替代)。

10) 極性:對于高壓型鋁電解電容保留400V。禁選無極性鋁電解電容。

11) 品牌:普通鋁電解電容選用品牌“SAMWHA”(三和),高端鋁電解電容選用NCC(黑金剛)或其他日本名牌鋁電解電容,或者臺灣利隆。

12) 封裝:優(yōu)先選用貼片的鋁電解電容。

 

3.2.2 鉭電解電容

Ø 優(yōu)點:在串聯(lián)電阻、感抗、對溫度的穩(wěn)定性與鋁電解相比優(yōu)勢明顯;

Ø 缺點:工作電壓較低。

選型規(guī)則:

1) 漏電流要求較高的場合,不選鉭電解電容,需選用薄膜電容。

2) 耐壓:降額選用,禁止選用耐壓超過35V以上的,3.3V系統(tǒng)取10V、5V系統(tǒng)取16V、12V系統(tǒng)取35V、

3) 10V、16V、35V為優(yōu)選,4V、6.3V、50V為禁用(用鋁電解電容替代),電源輸入級或低阻抗環(huán)境使用,推薦降額到0.3,電源輸出級及一般應(yīng)用環(huán)境推薦降額0.5。

4) 封裝:插腳式鉭電解電容禁選。

5) 品牌:僅限選擇KEMET、AVX。

3.2.3 片狀多層陶瓷電容

1) 選用基本原則:低ESR和高的諧振頻率,ESR越小越好。

2) Q值:高Q值陶瓷電容慎選;只用在射頻電路上。

3) 封裝:0603、0805優(yōu)選、1206、1210慎選、1808以上禁選。

4) 耐壓:優(yōu)選25V、50V、100V; 106(含)以上容值的耐壓不大于25V。

5) 容量:優(yōu)選10、22、33、47、68系列。

6) 材料:優(yōu)選NPO、X7R、X5R,其它禁選。

7) 品牌:優(yōu)選YAGEO,其他可選TAIYO(太陽誘電)、MURATA(村田)、KEMET、TEMEX(高Q陶瓷電容)

 

3.3 電感選型

 

電感選型時考慮的因素如下:

1) 體積大??;

2) 電感值所在工作頻率;

3) 開關(guān)頻率下的電感值為實際需要的電感值;

4) 線圈的直流阻抗(DCR)越小越好;

5) 工作電流應(yīng)降額至額定飽和電流的0.7倍以下,額定rms電流;

6) 交流阻抗(ESR)越小越好;

7) Q因子越大越好;

8) 屏蔽類型:屏蔽式或非屏蔽式,優(yōu)先選擇屏蔽式。

9) 工作頻率和繞組電壓不可降額;

10) 品牌:貼片電感優(yōu)選TDK,MURATA(村田),“三禮”(臺灣)和“SUMIDA”(勝美達,日本)。

 

3.4 二極管選型

 

二極管參數(shù)需降額使用,具體參考《GJB/Z 35元器件降額準(zhǔn)則》。

 

3.4.1 發(fā)光二極管:

1) 發(fā)光二極管優(yōu)選直徑為5mm的插腳型號.貼片發(fā)光二極管優(yōu)選選用有焊接框架的型號,ESD/MSL等級遵循上述的標(biāo)準(zhǔn)。

2) 發(fā)光二極管優(yōu)選有邊、短腳的;為了保持公司產(chǎn)品的一致性,紅發(fā)紅、綠發(fā)綠等型號優(yōu)選,白發(fā)紅、白發(fā)綠等型號慎選;如果沒有特殊要求,盡量不要使用長腳、無邊的。

3) 發(fā)光二極管優(yōu)選品牌為“億光”。

 

3.4.2 快恢復(fù)二極管:

1) 低電壓(耐壓值200V以下)下,高時間特性時選肖特基二極管;

2) 肖特基管熱阻和電流都較大,優(yōu)選分立式封裝。通常3A以下可以選擇SOD-123或D-64封裝;3~8A可以選擇D2-PAK封裝;8A以上DO-201、TO-220、TO-3P。

3) 在高電壓時選擇PIN結(jié)構(gòu)快恢復(fù)二極管。

 

3.4.3 整流二極管:

1) 主要考慮最大整流電流、最大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時間等參數(shù);

2) 開關(guān)電源整流、脈沖整流用整流二極管,宜選工作頻率較高、反向恢復(fù)時間較短、或選快恢復(fù)二極管。

3) 低電壓、大電流時整流,選肖特基二極管。

4) 同電流等級優(yōu)先選擇反壓最高的型號.如1A以下選用1N4007(M7),3A的選用IN5408。

 

3.4.4 肖特基二極管:

同電流檔次的保留反壓最高的等級,如:1N5819保留,1N5817禁選, SS14保留,SS12禁選;B340A保留。

 

3.4.5 穩(wěn)壓二極管:

1) 穩(wěn)定電壓值應(yīng)與應(yīng)用電路的基準(zhǔn)電壓值相同;

2) 最大穩(wěn)定電流高于應(yīng)用電路的最大負(fù)載電流50%左右;

3) 穩(wěn)壓管在選型時務(wù)必注意器件功率的降額處理。實際功率應(yīng)小于0.5×P。

4) 功率在0.5W以下的型號選擇貼片式封裝,0.5W及以上選擇直插式封裝

 

3.4.6 瞬態(tài)抑制二極管:

1) Vrmax(最大反向工作電壓)≥正常工作電壓。

2) Vcmax(最大鉗位電壓)≤最大允許安全電壓。常規(guī)CMOS電路電源電壓為3~18V,擊穿電壓為22V,則應(yīng)選Vcmax為18~22V的TVS管。

3) Pp(瞬態(tài)脈沖功率的最大值)=最大峰值脈沖電流Ipmax與Vcmax。Pp大于被保護器件或線路的最大瞬態(tài)

4) 浪涌功率。

5) 品牌:優(yōu)選NXP和ON。

 

3.5 三極管選型

 

1) 三極管選型時,以下幾個參數(shù)必須考慮:

Ø ICM集電極最大允許電流 < 實際集電極電流,降額70%使用;

Ø BVCEO,基極開路時,集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓 > 電源電壓 * 70%,有感電路降額使用,并加保護電路;

Ø PCM,集電極最大允許耗散功率,降額70%使用;

Ø Ft,特征頻率 > 3倍實際工作頻率;

2) 小功率的三極管選用901X系列的9012,9013,9014以及8550,8050等;

3) 開關(guān)用三極管可用NMOS管代替的,盡量用NMOS管代替,可用NMOS有:2N2002,IRF120N,IRF540N等。

4) 品牌:盡量選用大品牌的貼片封裝器件,例如:NXP,DIODE,ST,TI等;

 

3.6 晶體和晶振選型

 

1) 優(yōu)選表貼封裝晶體或晶振;

2) 優(yōu)選金屬殼封裝,電磁屏蔽特性好;

3) 要求頻率穩(wěn)定度(溫度穩(wěn)定度)<15ppm時,優(yōu)選溫補晶振(TCXO);

4) 晶體物料通用技術(shù)要求:AT切(基頻),12.5pF負(fù)載電容,溫度范圍-20~+70℃(工業(yè)溫度等級),制造頻偏30ppm,溫漂50ppm/℃,無鉛產(chǎn)品。

5) 負(fù)載電容:對于內(nèi)置振蕩器的處理器,注意振蕩器對晶體負(fù)載電容的要求,如STM32的RTC晶體,為6pf負(fù)載電容,不滿足可能造成振蕩器不起振或者頻率偏差過大。

6) 晶體和晶振品牌優(yōu)選HOSONIC和EPSON。

7) 晶體和晶振優(yōu)選系列如下表:

名稱

品牌

優(yōu)選型號

頻率范圍

矮型插腳晶體

HOSONIC

ESA**.****F20E35F

<25MHz

矮型貼片晶體

HOSONIC

ESB**.****F20E35F

<25MHz

方形貼片晶體

HOSONIC

E6SB**.****F20E35F

8MHz<fo<25MHz

小型塑封表晶

EPSON

MC-15632.7680KA-A5

32.768kHz

方形貼片晶振

HOSONIC

D36B**.****NNS

 

方形插腳晶振

HOSONIC

D22B**.****NNS

 

 

3.7 繼電器選型

 

由于熱敏干簧繼電器屬于機電器件,相對半導(dǎo)體器件,體積較大,使用不當(dāng)、設(shè)計保護措施不足都容易造成產(chǎn)品故障,故盡量減少熱敏干簧繼電器的使用。

選型時考慮以下參數(shù):

1) 額定工作電壓:正常工作時線圈所需電壓;

2) 直流電阻:線圈的直流電阻,通過萬能表測量;

3) 吸合電流:繼電器能夠產(chǎn)生吸合動作的最小電流;

4) 釋放電流:繼電器產(chǎn)生釋放動作的最大電流;當(dāng)繼電器吸合狀態(tài)的電流減小到一定程度時,繼電器就會恢

復(fù)到未通電的釋放狀態(tài)。這時的電流遠遠小于吸合電流。

5) 觸點切換電壓和電流:是指繼電器允許加載的電壓和電流,使用時不能超過此值,否則很容易損壞繼電器的觸點。

6) 另外繼電器選型時還應(yīng)遵循以下原則:

Ø 降額使用:根據(jù)不同類型負(fù)載,降額使用,具體參考《GJB/Z 35 元器件降額準(zhǔn)則》。

Ø 設(shè)計無法避免的情況下,優(yōu)選固態(tài)繼電器。

Ø 品牌:優(yōu)選PANASONIC、OMRON、松川。

 

3.8 電源選型

 

3.8.1 AC/DC電源選型規(guī)則

1) 對于可靠性要求高的產(chǎn)品,電源優(yōu)選LAMBDA和COSEL;對于無特殊要求的通用產(chǎn)品,可選用利得華福,星原豐泰和銘緯的電源,優(yōu)先選擇銘偉電源。

2) 選Lambda電源時,便于歸一化要求大家統(tǒng)一選帶JST接插件的型號。

3) 新產(chǎn)品盡量選用標(biāo)準(zhǔn)電源,不推薦定制電源。

 

3.8.2 隔離DC/DC電源選型規(guī)則

1) 隔離DC/DC電源優(yōu)選TI公司的產(chǎn)品,TI產(chǎn)品不能滿足要求時優(yōu)選C&D。

 

3.9 運放選型

 

運放選型時參數(shù)要求:

1) 開環(huán)電壓放大倍數(shù):Avd≥80dB(Avd·β足夠大);

2) 差模輸入電阻:Rid比反饋網(wǎng)絡(luò)的輸出阻抗大1~2個量級,由輸入電阻引起的誤差就可以忽略;

3) 輸出電阻:Ro比后級輸出端外總負(fù)載電阻小1~2個量級,由輸出電阻引起的誤差就可以忽略;

4) 單位增益帶寬:BWG比實際閉環(huán)增益帶寬大1個量級以上;

5) 共模抑制比:CMRR足夠大,抗干擾設(shè)計中重要;

6) 輸入失調(diào)電壓:Vio不超過系統(tǒng)精度要求的1/3。

7) 品牌:盡量選擇公司已經(jīng)在使用或者市面上常用的型號,推薦使用TI,ADI或者LT的相關(guān)型號。

 

3.10A/D和D/A芯片選型

 

1) 精度:與系統(tǒng)中所測量控制的信號范圍有關(guān),但估算時要考慮到其他因素,轉(zhuǎn)換器位數(shù)應(yīng)該比總精度要求的最低分辯率高一位。常見的A/D、D/A器件有8位,10位,12位,14位,16位等。

2) 速度:應(yīng)根據(jù)輸入信號的最高頻率來確定,保證轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換速率要高于系統(tǒng)要求的采樣頻率,滿足Nyquist采樣定理。

3) 通道:

確認(rèn)A/D轉(zhuǎn)換需要的通道數(shù)量,多路采樣的模式,并行還是串行。

4) 數(shù)字接口方式:

接口有并行/串行之分,串行又有SPI、I2C、SM等多種不同標(biāo)準(zhǔn)。數(shù)值編碼通常是二進制,也有BCD(二~十進制)、雙極性的補碼、偏移碼等,優(yōu)選SPI和I2C接口。

5) 模擬信號類型:

通常AD器件的模擬輸入信號都是電壓信號,而D/A器件輸出的模擬信號有電壓和電流兩種。

6) 極性:

根據(jù)信號是否過零,還分成單極性(Unipolar)和雙極性(Bipolar),優(yōu)先選擇單極性芯片。

7) 電源電壓:

有單電源,雙電源和不同電壓范圍之分,早期的A/D、D/A器件要有+15V/-15V,如果選用單+5V電源的芯片則可以使用單片機系統(tǒng)電源,優(yōu)選5V供電電壓。

8) 量程

確認(rèn)輸入信號在A/D芯片的量程范圍內(nèi),并能充分利用的量程。

9) 基準(zhǔn)電壓:

有內(nèi)、外基準(zhǔn)和單、雙基準(zhǔn)之分,優(yōu)先有內(nèi)部基準(zhǔn)的芯片。

10)功耗:

一般CMOS工藝的芯片功耗較低,對于電池供電的手持系統(tǒng)對功耗要求比較高的場合一定要注意功耗指標(biāo)。

11)封裝:

禁止選用DIP封裝,只使用貼片封裝。

12)跟蹤/保持(Track/Hold縮寫T/H):

原則上直流和變化非常緩慢的信號可不用采樣保持,其他情況都應(yīng)加采樣保持。

13)滿幅度輸出(Rail-to Rail)

新近業(yè)界出現(xiàn)的新概念,最先應(yīng)用于運算放大器領(lǐng)域,指輸出電壓的幅度可達輸入電壓范圍。在D/A中一般是指輸出信號范圍可達到電源電壓范圍。

14)品牌:優(yōu)先選擇ADI,TI,LT和MAXICM幾個大公司的產(chǎn)品。

 

3.11處理器選型

 

各類元器件選型過程中,除應(yīng)考慮上述的原則外,還應(yīng)根據(jù)不同類別元器件的參數(shù)和特點,進行細致考慮。

處理器選型要求:

1) 歸一化原則,盡量采用本公司正在使用或者使用過的型號或者系列。

2) 應(yīng)用領(lǐng)域

盡量選用工業(yè)領(lǐng)域和商業(yè)領(lǐng)域常使用的型號,注意該領(lǐng)域的芯片使用溫度范圍,溫度等級。

3) 自帶資源

確認(rèn)芯片自帶資源是否滿足要求,包括:

Ø 主頻

Ø 內(nèi)存:RAM,ROM

Ø 外設(shè)資源

Ø 是否支持在線仿真

Ø 支持的OS類型

4) 可擴展資源

是否支持?jǐn)U展RAM,ROM等。

5) 功 耗

確認(rèn)芯片各種工作狀態(tài)下消耗的電流,為芯片的電源設(shè)計提供依據(jù)。

6) 封 裝

PCB面積許可的情況下,優(yōu)先選擇QFP、SOP封裝,盡量少用QFN和BGA封裝。

7) 芯片的可延續(xù)性及技術(shù)的可繼承性

目前,產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度很快,所以在選型時要考慮芯片的可升級性,優(yōu)選大公司的同一系列產(chǎn)品。

8) 價格及供貨保證

選型時盡量選擇量產(chǎn)的芯片,慎選樣片階段的芯片。

9) 仿真器和開發(fā)平臺

確認(rèn)開發(fā)時所使用的仿真器以及軟件開發(fā)平臺,優(yōu)選公司已有的開發(fā)工具和開發(fā)平臺支持的處理器。

10)OS及開發(fā)工具

確認(rèn)處理器支持的OS以及BSP,以及提供開發(fā)用例的豐富程度。

11)勘誤資料

查閱最新版本的芯片勘誤資料,確認(rèn)芯片的限制使用條件。

12)技術(shù)支持

優(yōu)選知名度高的半導(dǎo)體公司的產(chǎn)品,選擇市面上使用較廣、可利用的軟硬件資源較多的芯片,盡量選擇有廠家或者代理商技術(shù)支持的芯片。

 

3.12FLASH選型

 

1) 并行FLASH品牌優(yōu)選SPANSION、SST,SAMSUNG。

2) 串行FLASH品牌優(yōu)選ATMEL。

 

3.13SRAM選型

 

品牌優(yōu)選ISSI ,CYPRESS,MICRON,IDT,SAMSUNG。

 

3.14EEPROM選型

 

1) 禁止選用并行的EEPROM。

2) 串行EEPROM品牌優(yōu)選ATMEL和MICROCHIP。

3) 新的產(chǎn)品禁止選用24LC65-I/SM。

 

3.15開關(guān)選型

 

1) 禁選撥碼開關(guān)。

2) 電源開關(guān)優(yōu)選船形開關(guān)。

3) 觸點電壓和電流需降額使用。

 

3.16接插件選型

 

3.16.1選型時考慮的電氣參數(shù):

3) 額定電壓:加載的電壓≤額定電壓*50%;

4) 額定電流:加載電流≤額定電流*50%。

5) 多芯連接器,額定電流降額使用(esp. 大電流)。

6) 絕緣阻抗。

7) 抗電強度:單位時間所能耐的電壓。

8) 接觸電阻:指插針和插孔接觸部分產(chǎn)生的電阻,高頻、mV / mA級別時影響信號質(zhì)量。

9) 鍍層材料。

 

3.16.2選型時考慮的機械參數(shù):

1) 插拔壽命:

2) 插拔力:總拔出力=2*單腳分離力之和。優(yōu)選50N ≥總拔出力≥13N,低于4PIN連接器(3/2/1PIN)拔出力≥8N;常插拔連接器或者可靠性要求高的連接器優(yōu)選鎖扣式連接器;

選型基本規(guī)則:

1) 禁選IC插座,如果不能避免使用IC插座,必須使用圓孔的IC插座。

2) 成套的接插件要求使用同一品牌的,既插頭、插座配套使用的要求它們?yōu)橥黄放频摹?/span>

3) 品牌:優(yōu)選JST、AMP、MOLEX等日美品牌或臺產(chǎn)的知名品牌,非特殊情況不得選用國產(chǎn)品牌。

3.16.3歐式連接器選型規(guī)則

1) 歐式連接器品牌優(yōu)選HARTING、ERNI、EPT,同一套產(chǎn)品使用的插頭和插座要求使用同一個品牌,禁止不同品牌配合使用。

2.16.2 RJ系列連接器選型規(guī)則

2) 如果不是外接通信信號必須使用,禁止選用RJ11和RJ12連接器。

3) RJ45優(yōu)選連接彈片為圓針的、帶屏蔽殼、屏蔽殼有彈片的,RJ45連接彈片的鍍金層要求厚度不能低于3uin。

4) RJ系列連接器品牌優(yōu)選PULSE(FRE)。

3.16.4白色端子選型規(guī)則

1) 盡量不使用白色端子。

2) 白色端子品牌優(yōu)選JST、AMP、MOLEX。

a) 2.16.4 PCB板安裝螺釘接線連接器選型規(guī)則

3) PCB板安裝螺釘接線連接器品牌優(yōu)選PHOENIX。

4) PCB板安裝螺釘接線連接器品牌優(yōu)選2位和3位接線端子,其它位數(shù)的連接器可以使用2位和3位接線端子拼接而成。

5) 優(yōu)選5.08mm間距的,禁止選用5.00mm間距的。

 

3.16.5其它矩形連接器選型規(guī)則

1) 其它矩形連接器優(yōu)選品牌如下:AMP、MOLEX、SAMTEC、HIROSE、WCON、NSTECH。

2) 連接器插針的鍍金層要求厚度不能低于3uin。

3) 優(yōu)選通用的連接器,禁止定制連接器

 

3.17電子線纜選型

 

電子線選型應(yīng)從以下角度考慮:

1) 標(biāo)準(zhǔn):單芯絕緣電子線優(yōu)先選擇UL1007標(biāo)準(zhǔn),需要細線徑的場合選用UL1061標(biāo)準(zhǔn)的電子線。

2) 排線優(yōu)選UL2651標(biāo)準(zhǔn),排線間距優(yōu)先選擇1.27mm。

3) 額定電流:電子線的實際工作電流不要超過它的安全載流量(額定電流)。

4) 額定電壓:電子線的工作電壓不允許超過額定電壓。

5) 額定溫度:電子線的工作環(huán)境溫度和工作時的溫升必須在選型時仔細考慮,高溫場合,比如鹵素?zé)艄庠?、加熱帶附近的連接線,必須采用鍍銀耐高溫的導(dǎo)線。

 

4 附則

1) 本制度由研發(fā)部擬定,經(jīng)研發(fā)部經(jīng)理審核,報總經(jīng)理審批,修正亦同。

2) 本制度頒布時間為****年**月**日。

 

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來源:嘉峪檢測網(wǎng)

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