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嘉峪檢測(cè)網(wǎng) 2020-03-02 17:20
降額設(shè)計(jì)是常用可靠性設(shè)計(jì)方法之一,在工程上如何應(yīng)用呢?本文分享關(guān)于降額設(shè)計(jì)的案例,供學(xué)習(xí)參考。
1、半導(dǎo)體集成電路降額設(shè)計(jì)實(shí)施示例
(1) 模擬電路(運(yùn)算放大器)降額設(shè)計(jì)實(shí)施示例
要求:對(duì)國(guó)產(chǎn)運(yùn)算放大器進(jìn)行I級(jí)降額。
實(shí)施:從數(shù)據(jù)手冊(cè)上查得某型號(hào)運(yùn)算放大器的額定值如下:
正電源電壓 VCC=+22V;負(fù)電源電壓 VEE=-22V
輸入差動(dòng)電壓VID=±20V;輸出短路電流 IOS=20mA
最高結(jié)溫 Tjm=150℃
總功率 Ptot=500mW;熱阻qJC=160℃/W
在70℃以上,按-6.25mW/℃降額。
根據(jù)規(guī)定,以I級(jí)降額為例計(jì)算得出:
正電源電壓 VCC=+15.4V;負(fù)電源電壓 VEE=-15.4V
輸入差動(dòng)電壓VID=±12V;輸出短路電流 IOS=14mA
總功率 Ptot=350mW;最高結(jié)溫 Tjm=80℃
根據(jù)“輸入電壓在任何情況下不得超過電源電壓”的原則,輸入差動(dòng)電壓VID應(yīng)不大于±15V。II級(jí)和III級(jí)降額的計(jì)算可依此類推。
為了使結(jié)溫和功率同時(shí)滿足鏈接表規(guī)定的降額因子要求,放大器必須根據(jù)不同的降額等級(jí)工作在圖1所示降額曲線的范圍內(nèi),TC為器件殼溫。
圖1 國(guó)產(chǎn)運(yùn)算放大器降額曲線
(2) 數(shù)字電路(TTL電路)降額設(shè)計(jì)實(shí)施示例
要求:對(duì)國(guó)產(chǎn)TTL門電路進(jìn)行I、II、III級(jí)降額。
實(shí)施:從數(shù)據(jù)手冊(cè)上查得某型號(hào)TTL門電路的額定值如下:
電源電壓 VCC=5.0±5%V; 電源電流ICC=27mA(不帶負(fù)載)
輸入高電平 VIM=2.0V; 輸入低電平 VIL=0.8V
輸出高電平 VOH=2.4V; 輸出低電平 VOL=0.4V
扇出 NO=20; 熱阻 qJC=28℃/W
從鏈接表有關(guān)說明中的規(guī)定,降額后的扇出NO及最高結(jié)溫為:
NO=20×0.8=16;
I、II、III級(jí)降額的最高結(jié)溫分別為:85℃、100℃、115℃。
最壞情況的靜態(tài)功率PD:此時(shí)VCCⅠ=5.15V、VCCⅡ=VCCⅢ=5.52V,
I級(jí) PDI=5.15×27=139.05mW;
II、III級(jí) PDII=P DⅢ=5.25×27=141.75mW;
已知每個(gè)典型TTL門的VOL=0.4V、IOL=1.6mA,當(dāng)NO=16時(shí),該電路所帶的最大負(fù)載功率PL=16×0.4×1.6=10.24mW
I級(jí)總功率 Ptot=139.05+10.24=149.29mW»0.149W
II級(jí)、III級(jí)總功率 Ptot=141.75+10.24=151.99mW»0.152W
殼溫 TC=Tjm-Ptot×qJC
對(duì)于I級(jí) TCI=85-0.149×28=80.83℃;
II級(jí) TCII=100-0.152×28=95.74℃;
III級(jí) TCIII=115-0.153×28=110.74℃。
通過熱分析或熱測(cè)量,該電路殼溫超過上述范圍時(shí),功率(輸出電流)必須進(jìn)一步降額,以保持最高結(jié)溫在鏈接表規(guī)定的范圍內(nèi)。
2、 半導(dǎo)體分立器件降額設(shè)計(jì)實(shí)施示例
(1) 晶體管降額設(shè)計(jì)實(shí)施示例
晶體管反向電壓或電流和結(jié)溫降額容易實(shí)現(xiàn),下面介紹功率降額和安全工作區(qū)降額。
1)功率降額
晶體管允許的總耗散功率與環(huán)境溫度TA(或殼溫TC)的關(guān)系可用圖2的“功率—溫度負(fù)荷特性曲線”來表示。
圖2(a)、(b)、(c) 陰影部分分別為I、II、III級(jí)降額的允許工作區(qū)。降額的曲線均與額定值曲線平行。晶體管功率與殼溫的降額曲線示例見圖3。
小功率晶體管最大額定功率對(duì)應(yīng)的環(huán)境溫度通常在-55℃~+25℃之間,當(dāng)超過了溫度上限后,其允許的總耗散功率值線性下降,直至下降到0,此時(shí)的環(huán)境溫度(或殼溫)對(duì)應(yīng)于晶體管的最高結(jié)溫。曲線斜線部分的斜率約等于熱阻的倒數(shù),它與器件的物理常數(shù)有關(guān)。
功率晶體管降額也應(yīng)同時(shí)考慮滿足功率和溫度的降額曲線要求,其降額曲線見圖4所示。
2) 安全工作區(qū)降額
大功率晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常給出一個(gè)確定的安全工作區(qū)(SOA),當(dāng)器件在安全工作區(qū)內(nèi)工作時(shí),應(yīng)保證不發(fā)生二次擊穿現(xiàn)象。
圖5是大功率晶體管典型的直流工作安全工作區(qū)曲線。安全工作區(qū)降額應(yīng)按表6對(duì)最大額定集電極電流IC和集電極—發(fā)射極電壓VCE進(jìn)行降額,再對(duì)功率限值和二次擊穿限值進(jìn)行降額。安全工作區(qū)降額應(yīng)用示例見圖5。
(2) 二極管降額設(shè)計(jì)實(shí)施示例
二極管反向電壓、電流和結(jié)溫降額容易實(shí)現(xiàn),下面介紹功率降額。
二極管允許的總耗散功率(或電流)與環(huán)境溫度(或殼溫)的關(guān)系可用“功率(或電流)一溫度負(fù)荷曲線”表示,見圖6。
小電流或小功率二極管最大額定電流或功率對(duì)應(yīng)的環(huán)境溫度范圍通常在-55℃~+25℃之間,當(dāng)超過了溫度上限后,其允許的電流或功率將線性下降,直至下降到0,此時(shí)的環(huán)境溫度TA(或殼溫TC)對(duì)應(yīng)于二極管的最高結(jié)溫。曲線斜線部分的斜率約等于熱阻的倒數(shù),它與器件的物理常數(shù)有關(guān)。

圖2 晶體管功率降額曲線
(a)I級(jí)降額工作區(qū);(b) II級(jí)降額工作區(qū);(c) III級(jí)降額工作區(qū)
圖3 開關(guān)晶體管功率—殼溫降額曲線

圖4 功率晶體管降額曲線

圖5 大功率晶體管安全工作區(qū)降額

圖6 整流二極管電流—環(huán)境溫度降額
(3) 可控硅降額設(shè)計(jì)實(shí)施示例
可控硅降額設(shè)計(jì)實(shí)施與(2)二極管降額設(shè)計(jì)實(shí)施示例相同。其平均電流與環(huán)境溫度的降額曲線示例見圖7。

圖7 可控硅降額曲線
3、 電阻器降額設(shè)計(jì)實(shí)施示例
各類電阻器(包括電阻網(wǎng)絡(luò)和電位器)降額設(shè)計(jì)實(shí)施較容易。下面僅對(duì)不同類別電阻器的額定功率值與環(huán)境溫度關(guān)系(電阻器負(fù)荷特性曲線)作說明。
對(duì)應(yīng)不同的電阻器,由額定功率值,額定環(huán)境溫度(見元件詳細(xì)規(guī)范,圖8示例為70℃)及電阻器零功率點(diǎn)的最高環(huán)境溫度(圖8示例為130℃),可直接作出電阻器負(fù)荷特性曲線或由生產(chǎn)廠給出。進(jìn)而由功率降額要求畫出與負(fù)荷特性曲線的平行線。由圖8可見,在環(huán)境溫度不大于70℃(元件額定功率允許的最高環(huán)境溫度見詳細(xì)規(guī)范)時(shí),各級(jí)功率降額可按額定功率降額;在環(huán)境溫度大于70℃時(shí),考慮環(huán)境溫度的降額影響,電阻器功率必須作進(jìn)一步降額。

圖8 某合成型電阻器降額曲線
4、 電容器降額設(shè)計(jì)實(shí)施示例
典型的鉭電解電容器(不包括鉭箔電容器)的降額曲線示例如圖9所示。圖中所示的鉭電容器的額定電壓時(shí)最高環(huán)境溫度為85℃,電解電容器應(yīng)降額至65℃,對(duì)應(yīng)I、II、III級(jí)降額的工作直流電壓與額定直流電壓之比分別為0.5、0.6和0.7。
對(duì)于最高環(huán)境溫度超過85℃時(shí)的電容器降額曲線形狀仍與圖9相似,但電解電容器最高電壓為類別電壓,對(duì)應(yīng)Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級(jí)降額的工作直流電壓與類別電壓之比仍為0.5、0.6和0.7。最高環(huán)境溫度125℃則降額至105℃。

圖9 電容器降額曲線

來源:可靠性知識(shí)