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石墨烯具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電化學(xué)性能，以及優(yōu)良的結(jié)構(gòu)、電子、機械、導(dǎo)熱、光學(xué)透明、固有電荷遷移率、機械強度、彈性等特性，是一種高效的電極材料。石墨烯因其特殊的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的性能，被廣泛應(yīng)用于鋰電池中。

石墨烯的快速發(fā)展急需實現(xiàn)大規(guī)模，批量化地制備結(jié)構(gòu)、厚度和尺寸可控的高質(zhì)量石墨烯。目前制備石墨烯的方法主要包括微機械剝離法，氧化還原法，SiC外延生長法和化學(xué)氣相沉積(CVD)法等。

機械剝離法

通過機械力從石墨晶體的表面剝離出石墨烯片層。該方法的優(yōu)點是得到的產(chǎn)物保持著比較完美的晶體結(jié)構(gòu)，缺陷的含量較低。缺點是產(chǎn)生石墨烯的效率較低，不適合大規(guī)模的工業(yè)生產(chǎn)，一般僅僅用于實驗室的基礎(chǔ)研究。

氧化還原法

目前，制備氧化石墨(GO)的技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟，用石墨制備氧化石墨是低成本、大規(guī)模制備石墨烯的起點。氧化石墨烯溶液經(jīng)過還原即可得到石墨烯，氧化還原方法最大的缺點是制備的石墨烯有一定的缺陷，因為經(jīng)過強氧化劑氧化得到的氧化石墨，并不一定能被完全還原，可能會損失一部分性能，如透光性、導(dǎo)熱性，尤其是導(dǎo)電性，但氧化還原方法價格低廉，可以制備出大量石墨烯，是目前最常用的制備石墨烯的方法。

SiC外延生長法

該法是通過加熱單晶6H-SiC脫除Si，在單晶(0001)面上分解出石墨烯片層。具體過程是：將經(jīng)氧氣或氫氣刻蝕處理得到的樣品在高真空下通過電子轟擊加熱，除去氧化物。用俄歇電子能譜確定表面的氧化物完全被移除后，將樣品加熱使溫度升高至1250~1450℃后恒溫1~20min，從而形成極薄的石墨層。該方法通常會產(chǎn)生比較難以控制的缺陷，以及多晶疇結(jié)構(gòu)，很難獲得較好的長程有序結(jié)構(gòu)，制備大面積具有單一厚度的石墨烯比較困難。

化學(xué)氣相沉積(CVD)法

ＣＶＤ法是指反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)物質(zhì)沉積在襯底或催化劑表面，進而制得固體材料的方法?；瘜W(xué)氣相沉積法是應(yīng)用最廣泛的一種大規(guī)模工業(yè)化制備半導(dǎo)體薄膜材料的方法。但該方法仍有一些不足之處亟待解決。研究表明，目前使用這種方法得到的石墨烯在某些性能上(如輸運性能)可以與機械剝離法制備的石墨烯相比，但后者所具有的另一些屬性(如量子霍爾效應(yīng))并沒有在CVD法制備的石墨烯中觀測到。同時，CVD法制備的石墨烯的電子性質(zhì)受襯底的影響很大。

此外還有熱膨脹剝離法、電弧法、電化學(xué)方法等制備石墨烯的方法，但這些方法都或多或少地存在一些缺點，所以石墨烯的大規(guī)模應(yīng)用至今難以實現(xiàn)。