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現(xiàn)象描述

在對(duì)某工業(yè)顯示屏進(jìn)行ESD測試時(shí)，在測試網(wǎng)絡(luò)端口、USB端口和串口±6kV時(shí)，系統(tǒng)LCD屏幕出現(xiàn)藍(lán)屏，系統(tǒng)會(huì)崩潰，重新通電后自動(dòng)恢復(fù)。

這個(gè)問題經(jīng)過半年的時(shí)間，v1.0-v1.31已經(jīng)換了4次，投入了大量的人力物力，但問題仍然沒有得到解決。

故障診斷

該板從接地、濾波、隔離等方面進(jìn)行了設(shè)計(jì)和整流，但均未改進(jìn)。因此，確定敏感源診斷與整改方案，找出系統(tǒng)的薄弱環(huán)節(jié)，從源頭徹底解決問題。

通過對(duì)實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象的分析，判斷出CPU功能單元受到了干擾。對(duì)核心子板(CPU模塊電路)的引腳信號(hào)進(jìn)行了分析。從實(shí)際經(jīng)驗(yàn)和信號(hào)函數(shù)來看，表1所列信號(hào)比較敏感，容易受到靜電干擾。

DDR_ CLK配線4mil,且布線未預(yù)留焊盤,矯正手段有限,為了確定靜電輻射電磁場DDR_ CLK時(shí)鐘信號(hào)是否有任何影響,使用金屬接地線和把它放在DDR_ CLK線以上,用靜電槍打接地線銅鼻，如下圖所示，6KV接觸放電時(shí)，5次放電內(nèi)問題都能復(fù)現(xiàn)，因此確認(rèn)靜電電磁場輻射對(duì)DDR_CLK信號(hào)和DDR器件有影響。

在確認(rèn)輻射電磁場對(duì)鐵芯板的DDR模塊有影響，導(dǎo)致ESD問題再次出現(xiàn)后，對(duì)鐵芯板區(qū)域進(jìn)行銅箔屏蔽接地，保護(hù)DDR敏感信號(hào)和模塊。

核心板模塊區(qū)域屏蔽后，IO接口進(jìn)行正、負(fù)6kV、8Kv、10kV接觸放電，每次40次。系統(tǒng)運(yùn)行正常，問題得到解決。

解決方案

由于核心子板是客戶公司的平臺(tái)產(chǎn)品，模塊上的DDR電路非常敏感，建議主板采用屏蔽罩屏蔽敏感的核心子板模塊方案進(jìn)行測試和量產(chǎn)。該方案簡單易行，成本增加約0.5元，效果可靠。

——本案例來源于深圳市阿賽姆科技有限公司（https://emc.asim-emc.com/）

EMC寄語：隨著時(shí)代的發(fā)展，越來越多的電子、電氣設(shè)備或系統(tǒng)產(chǎn)品都需要進(jìn)行檢驗(yàn)檢測，其中EMC測試是必備的檢驗(yàn)檢測指標(biāo)之一。但EMC測試項(xiàng)目費(fèi)用較貴，EMC實(shí)驗(yàn)室造價(jià)昂貴，絕大部分測量設(shè)備又需要采用進(jìn)口設(shè)備，導(dǎo)致很少檢驗(yàn)檢測機(jī)構(gòu)有能力建造EMC實(shí)驗(yàn)室。產(chǎn)品的EMC性能是設(shè)計(jì)階段賦予的，一般電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)如果不考慮EMC因素，就會(huì)很容易導(dǎo)致EMC測試失敗，以致不能通過相關(guān)EMC法規(guī)的測試或認(rèn)證。例如，產(chǎn)品設(shè)計(jì)研發(fā)工程師們根據(jù)需求，設(shè)計(jì)出效果良好的濾波電路，置入產(chǎn)品I/O(輸入/輸出）接口的前級(jí)，可使因傳導(dǎo)而進(jìn)入系統(tǒng)的干擾噪聲消除在電路系統(tǒng)的入口處；設(shè)計(jì)出隔離電路（如變壓器隔離和光電隔離等）解決通過電源線、信號(hào)線和地線進(jìn)入電路的傳導(dǎo)干擾，同時(shí)阻止因公共阻抗、長線傳輸而引起的干擾；設(shè)計(jì)出能量吸收回路，從而減少電路、器件吸收的噪聲能量；通過選擇元器件和合理安排的電路系統(tǒng)，使干擾的影響減少。