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前言

AEC-Q101標準包含了分立半導(dǎo)體元件（如晶體管，二極管等）最低應(yīng)力試驗要求的定義和試驗條件，試驗項目主要參考了軍用級，工業(yè)級和車用級的標準，其中Group A加速環(huán)境應(yīng)力試驗的間隙工作壽命（IOL）就參考了軍用級標準MIL-STD-750半導(dǎo)半導(dǎo)體器件的標準環(huán)境測試方法Method 1037進行。

01試驗?zāi)康?/span>

確定半導(dǎo)體器件在特定條件下是否符合規(guī)定的周期數(shù)，在器件反復(fù)開啟和關(guān)閉的條件下，它加速了器件的芯片和安裝面之間的所有鍵合和接口的應(yīng)力，因此較適合用于管殼安裝類型（例如螺柱、法蘭和圓盤）器件。

02試驗條件

在初始預(yù)熱周期后處于穩(wěn)定狀態(tài)時，一個周期應(yīng)包括一個“開啟”階段，即當器件突然而非逐漸接通電源直到?Tj最低達到100℃（不超過器件的最大額定結(jié)溫），緊接著為一個“關(guān)閉”階段，即當電源突然斷開時，通過冷卻管殼達到變化的?Tj溫度，輔助（強制）冷卻只允許在關(guān)閉階段進行。如?Tj不能達到100℃，可進行功率溫度循環(huán)（PTC）試驗代替。

所有器件都應(yīng)進行標準要求的時間或循環(huán)次數(shù)，?Tj ≥ 100°C時進行1000小時或15000個循環(huán)，?Tj ≥ 125°C時進行500小時或7500個循環(huán)，最終測試時間或循環(huán)數(shù)依據(jù)下列公式進行計算：

示例1：一個能夠開2分鐘/關(guān)4分鐘的封裝，在△Tj≥100℃時需要10000次循環(huán)[60000/(2+4)]，或在△Tj≥125℃時需要5000次循環(huán)。

示例2：一個能夠開1分鐘/關(guān)1分鐘的封裝，在△Tj≥100℃時需要15000次循環(huán)，或在△Tj≥125℃時需要7500次循環(huán)。

X = 器件從環(huán)境溫度達到規(guī)定的結(jié)溫△Tj 所需的最短時間。

Y =  器件從規(guī)定的結(jié)溫△Tj 冷卻到環(huán)境溫度所需的最短時間。

測試板上的儀器、零件安裝和散熱方法將影響每個封裝的x和y。

03電性能參數(shù)選擇

間隙工作壽命（IOL）試驗前后需檢測電性能參數(shù)，以下是最小檢測的參數(shù)要求，所有器件性能參數(shù)必須符合用戶零件規(guī)范的要求。

晶體管

二極管

變?nèi)莨?/span>

  04失效判定

試驗后電性能參數(shù)不能保持在初始讀數(shù)的±20%以內(nèi)為失效

對于RDS（ON）最大≤2.5 mOhm的器件，RDS（ON）的變化允許值為≤0.5 mOhm。

允許的泄漏電流不超過測試前初始值的5倍，對MOSFET而言，對于0h測試值<10nA(IGSS和IDSS)，測試后為50nA。

器件外觀不可以出現(xiàn)任何物理損壞。