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摘要：

 

      隨著電子產(chǎn)品的微型化和智能化，MEMS得到了廣泛使用，其中具有代表性的就是MEMS振動傳感器，其可靠性問題越來越被重視。本文針對MEMS振動傳感器封裝膠殘留致失效的問題，從傳感器的結(jié)構(gòu)和原理開展分析。其常見的失效原因包括硅體傾斜、彈性梁損傷、阻尼異常、多余物殘留等。

 

      MEMS傳感器的封裝膠殘留就是一種常見的多余物殘留。封裝膠殘留導致的MEMS振動傳感器失效，主要有兩種典型失效機理，一種是芯片與保護蓋之間的封裝膠導殘留致輸出限幅，另一種是敏感芯體電阻兩電極之間封裝膠殘留導致輸出偏移。

 

      接下來針對某失效MEMS振動傳感器開展了失效分析，確認了膠污染殘留物在水汽作用下短接了芯片電阻兩極，導致零點輸出異常的失效原因，分析了失效機理，并提出了改進意見：在生產(chǎn)中注意封裝加工環(huán)境水汽控制，在生產(chǎn)后增加芯片篩選，對于之前已生產(chǎn)產(chǎn)品進行復測，重點關(guān)注零點輸出異常。

 

      隨著電子產(chǎn)品的微型化和智能化，MEMS（Micro-electromechanical Systems，微機電系統(tǒng)）傳感器因其體積小、重量輕、工藝一致性好，得到了廣泛的發(fā)展和應用。

 

      MEMS振動傳感器作為一種常用產(chǎn)品，在小至智能手機、手持設備，大至飛機、導彈中都廣泛應用，而一旦其失效，就會導致振動狀態(tài)感知錯誤，影響設備使用甚至造成裝備毀壞，其質(zhì)量與可靠性是設備正常使用的重要前提。

 

      而MEMS振動傳感器結(jié)構(gòu)精密、工藝復雜，不僅包括傳統(tǒng)集成電路的結(jié)構(gòu)和工藝，還包括微小機械組件，失效原因較為復雜，包括硅體傾斜、彈性梁損傷、阻尼異常、多余物殘留等，其中封裝膠就是一種常見的多余物。

 

1、封裝膠殘留致失效的機理分析

 

1.1 MEMS振動傳感器內(nèi)部結(jié)構(gòu)與工作原理

 

      MEMS是一個微機械系統(tǒng)，隨著系統(tǒng)的縮小，表面效應將會占據(jù)主導地位，毛細管力、范德華力和靜電力增大。由于尺寸效應，材料自身表面的瑕疵和錯位也不再是小尺寸。MEMS常見的失效模式和原因如下表所示。

 

表1 MEMS失效模式和原因

 

 

      典型MEMS傳感器設計為三層硅結(jié)構(gòu)，中間層為主芯片，由帶四根梁的硅框架支撐一塊經(jīng)微細加工而成的硅質(zhì)量塊，上下分別由硅蓋板進行限位保護，上下蓋板是用專用膠與中間層外框架相連，如下圖所示。

 

 

圖1 典型MEMS振動傳感器微結(jié)構(gòu)

 

      當硅框架受到加速度作用時，加速度使硅質(zhì)量塊產(chǎn)生慣性力，硅質(zhì)量塊相對于硅框架運動，從而使彈性梁產(chǎn)生應力，彈性梁表面的應變電阻發(fā)生變化，通過電橋轉(zhuǎn)換為電壓輸出。

 

      在加工中，大多采用圓片級涂膠、勻膠和鍵合工藝。硅蓋板表面呈凸凹結(jié)構(gòu)，在涂膠量的控制方面，如果涂膠量偏少，則鍵合強度難以保障；如果涂膠偏多，則多余的封裝膠難以清除，因此在鍵合時，也就有可能對圓片中的個別主芯片產(chǎn)生局部膠污染。

 

1.2 芯片與保護蓋之間封裝膠導致輸出限幅

 

      如果封裝內(nèi)的封裝膠污染存在于主芯片與保護蓋之間，改變質(zhì)量塊和保護蓋上限位塊的間隙寬度，也改變了此間隙的設計寬度，使質(zhì)量塊的位移限變小，可能導致傳感器最大量程變小，輸出限幅。

 

      針對此失效模式，需要對產(chǎn)品進行滿量程輸出測試，即可很容易發(fā)現(xiàn)失效產(chǎn)品，并予以剔除。

 

1.3 敏感芯體電阻兩電極之間封裝膠致輸出偏移

 

      如果封裝內(nèi)的封裝膠污染存在于芯片兩電極之間，當主芯片處于干燥環(huán)境時，封裝膠處于絕緣狀態(tài)，對全橋電路不會產(chǎn)生影響。當封裝膠處于潮濕環(huán)境時，封裝膠因吸潮會導致絕緣性能下降，相當于在橋臂上并聯(lián)一個較大的電阻。有可能因封裝膠吸收封裝中的水汽，導致其絕緣性能下降，可能引起電橋電阻短接，影響傳感器輸出電平。如下圖所示。

 

 

圖2 封裝膠對電橋影響示意圖

 

1.4 封裝膠殘留的影響程度分析

 

      由于這種鍵合膠在正常情況下是絕緣狀態(tài)，不會對產(chǎn)品造成電氣影響。因此，只要封裝過程中控制好殼體密封性，產(chǎn)品的性能都會處于良好狀態(tài)。只有在封裝過程中，殼體密封性不良或芯體封裝時內(nèi)部殘留濕氣的情況下，才會導致器件失效情況發(fā)生。對于芯體封裝時內(nèi)部殘留濕氣的情況，這種情況可通過高溫應力進行篩選剔除。對于殼體密封性不良的情況，可通過高濕應力進一步篩選剔除。

 

2、失效案例

 

2.1 失效現(xiàn)象

 

      某型三軸振動傳感器+變換器裝機前測試發(fā)現(xiàn)X 軸零點輸出異常，經(jīng)過故障定位，確認是其中一型MEMS振動傳感器芯片零點輸出異常并伴有波動。針對其開展失效分析工作。

 

2.2 分析過程

 

      首先開展非破壞性試驗分析，對失效件進行外觀檢查，無腐蝕、裂紋或者明顯機械損傷，一切正常。

 

      然后進行破壞性試驗分析，對敏感芯體進行開封，用顯微鏡觀察敏感芯體內(nèi)部，未發(fā)現(xiàn)敏感芯體表面有明顯異?，F(xiàn)象。失效樣品和對比件的版圖一致，但芯片表面均有封裝過程中引入的膠污染。如下圖所示：

 

 

圖3 失效件芯片表面膠污染形貌

 

      芯片上的膠污染可能帶來兩點影響：一是封裝膠處于主芯片質(zhì)量塊和保護蓋之間，改變質(zhì)量塊和保護蓋上限位塊的間隙寬度，也改變了此間隙的設計寬度，使質(zhì)量塊的位移限變小，可能導致最大量程變小，輸出限幅。二是封裝膠在吸潮情況下并非完全絕緣，搭接在電阻兩電極之間時，可能影響器件輸出電平。

 

      已知敏感芯體在產(chǎn)品過程測試及出廠測試中，滿量程輸出測試均合格，且本次產(chǎn)品失效表現(xiàn)為“零點輸出異常并伴有波動”，與上述失效模式無關(guān)。

 

      而器件的失效模式，符合敏感芯體電阻兩電極之間封裝膠導致的零點輸出異常。另外，由于受到封裝膠大小、內(nèi)部環(huán)境濕度、吸潮程度以及芯片通電狀態(tài)自熱程度因素的影響，這個吸潮封裝膠的導電特性會有相應變化，而且處于不穩(wěn)定狀態(tài)，這種情況可能導致主芯片橋路輸出波動此信號經(jīng)變換器放大后，可顯示出失效產(chǎn)品“零點輸出異常并伴有波動”的失效模式。

 

      綜上所述，判斷該型MEMS振動傳感器失效原因是封裝鍵合膠殘留在敏感芯片電阻兩電極之間，殘留封裝膠吸收水汽后絕緣性降低，造成橋電阻短接，零點輸出異常，且因?qū)щ娞匦圆环€(wěn)定，輸出有波動。

 

2.3 失效分析結(jié)論和改進

 

      該型MEMS振動傳感器失效原因：

 

      1)主芯片上存在封裝膠，且封裝膠恰好存在于橋路電阻兩電極之間；

 

      2)敏感芯體殼體密封性不良吸入水汽或芯體封裝時內(nèi)部殘留水汽導致封裝膠絕緣性能下降。

 

      經(jīng)過調(diào)研傳感器生產(chǎn)廠家，發(fā)現(xiàn)廠家在敏感芯體的質(zhì)量控制上，采用隨產(chǎn)品整機篩選條件進行控制。產(chǎn)品整機篩選條件相對較低，試驗時敏感芯體承受的應力還會相應降低，致使該敏感芯體的早期失效未能及時剔除。建議廠家在生產(chǎn)中注意封裝加工環(huán)境水汽控制、在生產(chǎn)后加芯片篩選，對于之前已生產(chǎn)產(chǎn)品進行復測，重點關(guān)注零點輸出，排查異常。

 

3、總結(jié)

 

      MEMS振動傳感器在生產(chǎn)過程中，因封裝膠殘留，造成封裝膠污染芯片，常見失效模式包括導致芯片與保護蓋之間封裝膠導致輸出限幅、敏感芯體電阻兩電極之間封裝膠致輸出偏移且波動。

 

      針對某失效MEMS振動傳感器開展了失效分析，確認了膠污染殘留物在水汽作用下短接了芯片電阻兩極，導致零點輸出異常的失效原因，分析了失效機理，并提出了在生產(chǎn)中注意封裝加工環(huán)境水汽控制，在生產(chǎn)后加芯片篩選，對于之前已生產(chǎn)產(chǎn)品進行復測，重點關(guān)注零點輸出，排查異常的改進意見。研究結(jié)果對MEMS振動傳感器質(zhì)量與可靠性控制有積極意義。