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今天我們?cè)俅畏窒硪粋€(gè)關(guān)于VHF頻段CISPR 25 CLASS 3 基準(zhǔn)超標(biāo)整改的案例

164.75MHz 限值要求：27dB以下  實(shí)測(cè)數(shù)值：28.35dB  超出限值 1.35dB 

根據(jù)實(shí)際測(cè)試結(jié)果可以看出，雖然超標(biāo)限值的頻點(diǎn)只有164.75MHz,但是整個(gè)結(jié)果看似是伴有相關(guān)間隔規(guī)律性的noise發(fā)生，通過上圖測(cè)算我們發(fā)現(xiàn)了2.2MHz間隔頻率發(fā)生noise的現(xiàn)象。

接下來要做的就是去尋找noise源頭，根據(jù)之前我們做成的倍頻表，立刻鎖定了涉及到2.2MHz相關(guān)器件和信號(hào)，內(nèi)容如下。

a.DCDC 電源轉(zhuǎn)換芯片工作頻率 2.2MHz (主機(jī)側(cè))

b.背光驅(qū)動(dòng)電源芯片的開關(guān)頻率為2.2MHz(DISPLAY側(cè))

 備注：產(chǎn)品構(gòu)成圖如下

到底是主機(jī)側(cè)干擾還是DISPLAY的干擾引起的呢，為了調(diào)查清楚，我們采用外置電源給DISPLAY單獨(dú)進(jìn)行供電(主機(jī)不供電)，又重新對(duì)VHF頻段進(jìn)行了測(cè)試，結(jié)果如下。

      由此可以判斷出2.2MHz對(duì)外的輻射的noise主要是來源于背光驅(qū)動(dòng)電源芯片的開關(guān)頻率引起的noise，接下來我們就要看看我們的回路和基板設(shè)計(jì)是否是合理。

       如上圖所示，我們的回路和基板都是按照設(shè)計(jì)基準(zhǔn)進(jìn)行設(shè)計(jì)的，那么是不是我們的吸收回路參數(shù)設(shè)計(jì)的有問題呢？

     吸收回路的基本工作原理是利用電感電流不能突變的特性抑制器件的電流上升率，利用電容電壓不能突變的特性抑制器件的電壓上升率。我們其實(shí)就是在MOSFET管后利用了緩沖電路。其中L的串聯(lián),以抑制導(dǎo)通時(shí)的電流上升率dI/dt,電容和電阻組成關(guān)斷吸收電路，抑制當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管關(guān)斷時(shí)端電壓的上升率dV/dt，其中電阻R為電容C提供了放電通路。言歸正傳，那我們的參數(shù)設(shè)計(jì)的是否合理呢。

     我們通過示波器對(duì)SW的輸出端進(jìn)行了測(cè)試，確實(shí)有很高的振鈴影響(overshot)

     經(jīng)過多次的仿真實(shí)驗(yàn)我們將參數(shù)進(jìn)行了如下調(diào)整

    C3012  1000p⇒330p    R3002 2.2Ω⇒28Ω 

    從仿真結(jié)果上看有了比較明顯的改善，我們通過手動(dòng)改造后再次通過示波器進(jìn)行了波形確認(rèn)。波形不再出現(xiàn)振鈴現(xiàn)象，得到了明顯改善。

      那么EMC測(cè)試的結(jié)果如何呢？下圖所示得到了明顯的改善，而且余量也比較大。

       作為副作用檢證，我們還進(jìn)行了突入電流/端子出力/位相等檢證，均滿足規(guī)格要求。