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什么是高溫反向偏壓試驗(yàn)HTRB?

嘉峪檢測(cè)網(wǎng)        2022-04-29 21:18

21世紀(jì)的今天,集成電路高度市場(chǎng)化,越來越多的元器件存在于我們生活各個(gè)領(lǐng)域,大到航空航天、軍工汽車,小到生活各類消費(fèi)品,例如手機(jī)、電腦、手表、電視等等,都離不開各類元器件的使用,元器件與我們的生活息息相關(guān)。同時(shí)元器件也帶來了一定的風(fēng)險(xiǎn),市面上出現(xiàn)的炸機(jī)現(xiàn)象也是屢見不鮮,汽車故障、電路板起火等大部分與器件的質(zhì)量相關(guān),因此,提前篩選出質(zhì)量高,可靠性好的器件是各大廠商的迫切需求。

 

高溫反向偏壓試驗(yàn)(High TemperatureReverseBias),簡(jiǎn)稱HTRB。是分立器件可靠性最重要的一個(gè)試驗(yàn)項(xiàng)目,實(shí)驗(yàn)在高溫條件下,模擬器件長時(shí)間工作狀態(tài)中的耐受能力,以此可推算出實(shí)際應(yīng)用中器件的壽命和應(yīng)力大小。在器件量產(chǎn)或使用前按照實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景模擬實(shí)驗(yàn),提前摸清器件應(yīng)力情況,可完全避免因應(yīng)力、環(huán)境導(dǎo)致的失效及影響,是出廠器件必不可少的一項(xiàng)老化實(shí)驗(yàn)。

 

1實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span>

 

暴露器件跟時(shí)間、應(yīng)力相關(guān)的缺陷,衡量當(dāng)前器件是否滿足規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)要求,排查出封裝或晶圓本身的質(zhì)量問題

 

2測(cè)試相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

 

可覆蓋車規(guī)、工規(guī)及AEC-Q101、AEC-Q102、AQG324、JEDEC、 JESD 22-A108、JEDEC、 JESD 22-A101、MIL-STD-750、GJB 128等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求;

 

3適應(yīng)器件種類

 

可覆蓋各種半導(dǎo)體分立器件(二極管、三極管、MOSFET 管 (增強(qiáng)型、耗盡型)、達(dá)林頓管、可控硅、IGBT)進(jìn)行高溫反偏試驗(yàn),適用于各種封裝。

 

4覆蓋實(shí)驗(yàn)范圍

 

覆蓋實(shí)驗(yàn)溫度:0℃~200℃  

 

可試驗(yàn)電壓范圍:0~2000V  

 

漏電流測(cè)量范圍:0.001uA~50mA   

 

試驗(yàn)工位:整機(jī)可檢測(cè)工位為16×80位/板=1280位

 

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來源:Internet

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