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3、Serdes信號的TX和RX完全隔離設(shè)計(jì)

 

所有TX信號分布在上半層，RX信號分布在下半層，可以避免Serdes信號相互干擾。由于在交換芯片內(nèi)部，TX信號的PIN腳分布在芯片外側(cè)，RX信號的PIN腳分布在芯片內(nèi)側(cè)，信號通過過孔換層后，進(jìn)行過孔背鉆，這樣TX和RX信號實(shí)現(xiàn)完全隔離，避免互相干擾。

 

4、SI設(shè)計(jì)優(yōu)化

 

56G Serdes信號推薦采用十度線設(shè)計(jì)，能夠有效降低玻纖效應(yīng)帶來的阻抗不連續(xù)。

 

 

B.采用Via in pad設(shè)計(jì)，可以優(yōu)化交換芯片和光模塊信號連接器區(qū)域阻抗的連續(xù)性。

 

 

C.反焊盤處理，需要通過調(diào)整過孔反焊盤的尺寸，優(yōu)化過孔阻抗的容性，進(jìn)而達(dá)到優(yōu)化過孔整體阻抗的目的。

 

 

PCB加工可靠性

 

1、采用Skip Via技術(shù)

 

連接TOP層和第三層的過孔采用Skip Via技術(shù)，即通過控深鉆+激光鉆孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)表層和第三層信號的連通?？厣钽@使用機(jī)械鉆頭將TOP層和第二層的銅皮打穿，利用激光的熱能和化學(xué)燒蝕將過孔周圍的玻璃纖維清理干凈，之后對過孔化學(xué)沉銅并樹脂塞孔。此工藝，既實(shí)現(xiàn)了信號的連通，又不會產(chǎn)生stub，對信號完整性的提升有很大幫助。

 

另外，對PCB制程而言，Skip Via工藝和盲孔工藝都可以達(dá)成同樣的效果，但Skip Via與盲孔相比，加工周期短（不用多次壓合），加工過程更簡單，具有明顯的成本優(yōu)勢，推薦采用Skip Via工藝。

 

 

2、采用3D背鉆技術(shù)

 

推薦采用3D背鉆技術(shù)，該技術(shù)可以將過孔的stub精準(zhǔn)控制在2-8mil，能極大地改善反射對信號完整性帶來的影響。建議背鉆孔徑采用D+6方案，即背鉆鉆刀在一鉆鉆刀的基礎(chǔ)上直徑增加6mil，相較于常規(guī)的D+8方案，背鉆鉆刀直徑減小2mil，盡可能加大Serdes信號相鄰參考層（GND平面）的面積，避免Serdes信號出現(xiàn)跨分割風(fēng)險(xiǎn)。

 

 

3、采用樹脂塞孔技術(shù)

 

建議所有8-10mil的過孔全部采用樹脂塞孔技術(shù)。樹脂塞孔為真空塞孔，過孔內(nèi)100%填滿樹脂。相對于普通的綠油塞孔，樹脂塞孔的優(yōu)勢非常明顯，樹脂塞孔為全塞，過孔內(nèi)全部填滿樹脂，也就不會殘留空氣和水汽，從根本上避免了水汽對孔壁的腐蝕，提升了過孔的長期可靠性，也就大大提升了板卡的使用壽命。

 

 

4、采用POFV技術(shù)

 

56G Serdes信號的收發(fā)端（交換芯片端和光模塊端）采用POFV（Plated over Filled Via）設(shè)計(jì)，也就是Via in pad技術(shù)，信號的換層過孔直接打在零件封裝的焊盤上。這樣既節(jié)省了PCB布局布線的空間，又極大提升了SI和PI的性能，一舉兩得。生產(chǎn)中，鉆孔環(huán)節(jié)完成之后，接著進(jìn)行孔壁沉銅，之后樹脂塞孔，然后電鍍填平，處理之后絲毫不會影響SMD器件的貼裝。

 

 

5、先進(jìn)的壓合技術(shù)

 

推薦采用PIN lam+CCD電磁熔合技術(shù)，最大限度地提升壓合對準(zhǔn)度，減小整體層偏，相鄰層層偏誤差可以控制在3mil以內(nèi)，整體層偏可以控制在5mil以內(nèi)。

 

 

6、精確的阻抗控制

 

所有內(nèi)層走線層銅厚均為1 OZ設(shè)計(jì)，內(nèi)層走線的阻抗精準(zhǔn)控制在±8%以內(nèi)，表層采用0.5 OZ+plating設(shè)計(jì)，也可以將表層阻抗控制在±10%以內(nèi)，以確保56G Serdes信號全鏈路阻抗的連續(xù)性和穩(wěn)定性。