您當(dāng)前的位置:檢測(cè)資訊 > 法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)
嘉峪檢測(cè)網(wǎng) 2022-09-24 00:19
什么是功率半導(dǎo)體?
功率半導(dǎo)體可用于改變電壓和頻率,也可將交流轉(zhuǎn)換至直流,或?qū)⒅绷鬓D(zhuǎn)換至交流的電力轉(zhuǎn)換。

使用功率半導(dǎo)體可以驅(qū)動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)、為電池供電、或是運(yùn)作微電腦與LSI等。是一種可以控制與供應(yīng)電力的半導(dǎo)體。
功率半導(dǎo)體器件是新能源、軌道交通、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用和家用電器等應(yīng)用的核心部件。特別是隨著新能源電動(dòng)汽車的高速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)更是爆發(fā)式的增長(zhǎng),區(qū)別于消費(fèi)電子市場(chǎng),車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體器件由于高工作結(jié)溫、高功率密度、高開關(guān)頻率的特性,和更加惡劣的使用環(huán)境,使得器件的可靠性顯得尤為重要。
什么是功率循環(huán)測(cè)試?
功率循環(huán)power cycling顧名思義就是讓芯片間歇流過電流產(chǎn)生間隙發(fā)熱功率,從而使芯片溫度波動(dòng)。因?yàn)闊嵩礊樾酒陨戆l(fā)熱,所以一般稱之為主動(dòng)加熱。功率循環(huán)的周期一般為3~5秒。
功率循環(huán)對(duì)IGBT模塊損傷的機(jī)理,主要是銅綁定線熱膨脹系數(shù)與芯片表面鋁層熱膨脹系數(shù)不同,芯片熱膨脹系數(shù)與DBC板不同導(dǎo)致的。損傷的結(jié)果主要是綁定線脫落,斷裂,芯片焊層分離。

功率循環(huán)作為功率器件耐久性試驗(yàn)中的一種,被工業(yè)界和學(xué)術(shù)界認(rèn)為是考核功率器件封裝可靠性最重要的可靠性測(cè)試。
功率循環(huán)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
車規(guī)級(jí)功率模塊測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)最常見的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是由 ECPE 歐洲電力電子研究中心發(fā)布的AQG324,其中有對(duì)功率循環(huán)測(cè)試進(jìn)行詳細(xì)的規(guī)范,其中規(guī)定對(duì)于Tvj的數(shù)據(jù)必須通過Vce(T)方法(參考JESD51-14)進(jìn)行測(cè)量,試驗(yàn)中必須實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)被測(cè)器件的正向或飽和壓降Vce,結(jié)溫差ΔTvj和熱阻,并作為判定失效的關(guān)鍵參數(shù)。具體測(cè)試條件如下:
|
參數(shù) |
條件 |
||
|
PCsec |
PCmin |
||
|
開通時(shí)間 |
Ton |
<5s |
>15 s |
|
負(fù)載加熱電流 |
IL |
> 0.85IN |
|
|
柵極電壓 |
Vgate |
15V |
|
|
冷卻流量 |
Qcool |
恒定 |
|
表2 AQG324-QL-2/QL-3功率循環(huán)測(cè)試條件

圖4 測(cè)試流程
業(yè)界的功率循環(huán)測(cè)試加載的方法并不統(tǒng)一,Impact of Test control Strategy on Power Cycling Lifetime這篇文章中論述了四處加載方法:
恒定的導(dǎo)通及關(guān)斷時(shí)間:在測(cè)試過程中始終保持恒定的導(dǎo)通時(shí)間,關(guān)斷時(shí)間及導(dǎo)通電流。
恒定的殼溫Tc波動(dòng):逐漸關(guān)少導(dǎo)通的時(shí)間維持恒定的殼溫波動(dòng)
恒定的功率Pv:在測(cè)試過程中,通過減少導(dǎo)通電流來始終保持恒定的功率
恒定的結(jié)溫Tj波動(dòng):在測(cè)試過程中,減少導(dǎo)通的時(shí)間來維持恒定的結(jié)溫波動(dòng)

來源:Internet