根據(jù)開關(guān)電源產(chǎn)生共模、差模干擾的特點，將整個頻率范圍劃分為3個部分：
即0.15-0.5MHz 差模干擾為主；
0.5-5MHz 差、共模干擾共存；
5-30MHz 共模干擾為主。
重點注意的是，濾波器件應(yīng)該遠(yuǎn)離變壓器、散熱器，否則很容易跳過濾波電路，直接耦合到L,N線導(dǎo)致EMI超標(biāo)。
一． 1MHZ 以內(nèi)，以差模干擾為主。（整改建議）
1. 增大 X 電容量；
2. 添加差模電感；
3. 小功率電源可采用 PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。
二 . 1MHZ-5MHZ，差模共?；旌?，采用輸入端并聯(lián)一系列 X(0.47uF或更大容量) 電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決（整改建議）
1. 對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整 X 電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量；
2. 對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制；
3. 也可改變整流二極管特性來處理例如：快速二極管如 FR107 用普通整流二極管 1N4007來代替。
三 . 5M 以上，以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法（整改建議）
1. 對于外殼接地的，在地線上用一個磁環(huán)串繞 2-3 圈會對 10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用;
2. 可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán)，然后通過一條線連接到原邊的參考地。
3. 處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電解并聯(lián)電容的大小。
四 .20-30MHZ，（整改建議）
1. 對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地 Y2 電容量或改變 Y2 電容位置；
2. 調(diào)整一二次側(cè)間的 Y1 電容位置及電容量；
3. 在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。
五 .30-50MHZ，（整改建議）
1.增加原邊MOS管的驅(qū)動電阻，MOS管D,S之間并10-100pF的高壓瓷片電容（或RC電路）。對大功率電源MOS管D極串引線或貼片磁珠。
2.RCD的緩沖電路采用慢管，RCD的二極管串聯(lián)10-100Ω的電阻。
3.VCC供電的二極管用慢管。
4. 調(diào)整一二次側(cè)間的 Y1 電容位置及電容量；
5.減小原邊功率環(huán)（即MOS管，變壓器，大電解回路的）的面積。
6.對單路大電流輸出的適配器等，輸出電解后加雙線并繞的共模電感，圈數(shù)盡量大于3圈。
六．.50-80MHZ，（整改建議）
1.減小副邊功率環(huán)（即二極管，變壓器，輸出電解回路的）的面積。對大功率電源二極管正極可以串引線或貼片磁珠。
2.輸出電解可以采用PI型濾波（靠近二極管的電容，容值稍大）。
3.對單路大電流輸出的適配器等，輸出電解后加雙線并繞的共模電感，圈數(shù)盡量大于3圈。
4.調(diào)整輸出二極管并聯(lián)的RC吸收的參數(shù)。
七．200MHz 以上，開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過 EMI 標(biāo)準(zhǔn)。
EMI盡量將有高頻電流流過的銅箔做在線路板內(nèi)側(cè)，將流過直流電的銅箔或是低頻電流的銅箔放在外側(cè)，高頻大電流銅箔盡量短，用EMC的儀器測試都沒有什么問題，當(dāng)然低端的用Pai型濾波就可以，20W以上則要變壓器屏敝+共模電感，當(dāng)有Y電容時，后級紋波的大小對EMI影響較大;另外變壓器用銅箔屏敝比繞線效果要好很多，成本也低。反饋電路有諧振時EMI也很難過，特別是從變壓器中出來的一串串高頻尖峰電壓，會使該頻段的MEI數(shù)值上升10甚至20DB以上，這在恒流開關(guān)電源中比較常見。單是怎樣把環(huán)路面積做到最少，就是很難的問題，共模濾波部分跟初級怎樣布局，大電解電容怎樣放置，散熱器器怎么做，接地應(yīng)該怎么樣接，都需要考慮，X電容與Y電容的排法，都很有講究。比如：共模電感下面不要走初級的任何銅線，但濾波電路可以通過，如果有PFC電感，這個電感離共模電感要遠(yuǎn)，而且這個電感下面最好不要放置控制IC，特別是CRM模式的PFC。
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