1.先判斷試樣成分導(dǎo)電與否導(dǎo)電性較差試樣應(yīng)進行噴金處理；
2.第二,FIB,斷面觀察SEM或TEM是否合格；TEM到底是要做一般高分辨的還是球差的，一般高分辨減薄的厚度比球差厚，最薄的可減薄至十幾個nm；
3.然后切割或者采樣的地點；
4.判斷物料耐高壓的能力,FIB制樣通常使用的電壓為30KV；5試樣以表面拋光為佳。
FIB樣品為什么需要導(dǎo)電？
樣品是在SEM電鏡下進行操作，需要清晰觀察到樣品形貌，否則無法精準(zhǔn)制樣。
FIB可以做什么？
1.FIB-SEM:FIB制備微米級樣品截面，進行SEM和能譜分析；樣品尺度需在2~30μm之間，切樣面直徑一般不得大于10μn；
2.FIB-TEM:FIB制備出滿足透射電鏡要求的TEM截面試樣；樣品包括：薄膜，塊體樣品和微米級顆粒；樣品種類：陶瓷，金屬等等。
FIB切下來的樣品直接上TEM嗎？是否還需要離子減??？
FIB切過的樣品不需要離子減薄，可以直接上TEM，但要盡量減得薄一些，否則TEM不太好看，最好不要超過100 nm。
FIB-TEM的制樣流程是什么?
1.找出目標(biāo)位置（定位非常重要），表面噴Pt保護（樣品導(dǎo)電則不用噴Pt）；
2.在目標(biāo)地點的正面和背面分別掏空樣本，在其余目標(biāo)區(qū)域之后做U-cut處理；
3.用Easylift取此薄片，在銅網(wǎng)中焊接試樣柱并標(biāo)記試樣位置；
4.變薄至理想厚度時，停止。
FIB制樣可能引入的雜質(zhì)？
Pt和Ga，其中Pt是為了保護減薄區(qū)域，Ga是離子源。如果樣品不導(dǎo)電可能噴Au或者噴Cr，從而引入這兩種元素。
FIB切的透射薄片有孔或者部分脫落有影響嗎？
樣目的是使試樣變薄，有些材料變薄后會發(fā)生局部脫落，穿孔等情況，屬正常情況，存在薄的區(qū)域，對透射拍攝沒有影響也可以，如離子變薄制樣是將試樣穿入材料中。
FIB電路修補的原理是什么？
原理是利用鎵離子撞擊樣品表面，搭配有機氣體進行有效的選擇性蝕刻(切斷電路)、沉積導(dǎo)體或非導(dǎo)體(新接電路)。
FIB離子注入的優(yōu)點有哪些？
無需掩模和感光膠層，簡化工藝，減少污染，提高器件的可靠性和成品率；對離子種類、電荷、能量等進行精確控制。
FIB三維重構(gòu)的原理是什么？
它主要是利用FIB對樣品表面進行切割（厚度~2nm），然后利用背散射電子信號進行成像，重復(fù)上述切割和成像兩個動作，本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)成像試樣三維結(jié)構(gòu)，并利用后期計算機圖像處理技術(shù)得到試樣三維空間結(jié)構(gòu)信息。
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