1、 儀器原理
聚焦離子束技術(shù)（Focused Ion beam，F(xiàn)IB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。
FIB采用高強度聚焦離子束納米加工材料，并結(jié)合掃描電鏡（SEM）和其他高倍數(shù)電子顯微鏡進行實時觀測，已成為納米級分析，制作的主要手段。
2、主要應用
用途及功能
定點剖面形貌和成分表征；TEM樣品的制備；微納結(jié)構(gòu)的處理；芯片線路的重構(gòu)；切片式的三維重構(gòu)；材料的傳遞；三維原子探針樣品的制備；
適用領域
結(jié)構(gòu)分析、材料表征、芯片修補、生物檢測、三維重構(gòu)、材料轉(zhuǎn)移等功能，該系統(tǒng)可用于橫截面和斷層掃描、3D分析、TEM試樣制備及納米圖形加工等領域。
3、 測試項目
1、 TEM透射樣品制備（FIB+TEM）
針對表面薄膜，涂層，粉末大顆粒、塊體等試樣，通過對規(guī)定位置精確定位切割來制備TEM試樣；
2、微納結(jié)構(gòu)加工
通過微納結(jié)構(gòu)運行機械手,Omniprobe運行探針和離子束切割的協(xié)同作用，實現(xiàn)了多種微納結(jié)構(gòu)搬運和多種顯微結(jié)構(gòu)外形或花紋的處理。
3、剖面分析（SEM/EDS）
FIB準確定位切割，制備截面樣品，進行SEM和EDS能譜分析；
4、EBSD電子背散射衍射分析
進行晶體取向成像、顯微織構(gòu)、界面等分析；
5、三維原子探針制樣；
6、三維重構(gòu)；
7、其他需求。
4、制樣說明
FIB-TEM的制樣流程
找到目標位置（定位非常重要），表面噴Pt保護（樣品導電則不用噴Pt）；
將目標位置前后兩側(cè)的樣品挖空，剩下目標區(qū)域；
機械納米手將這個薄片取出，開始離子束減薄；
減薄到理想厚度后停止；
在銅網(wǎng)的試樣柱中焊接試樣并標記試樣位置。
樣品要求
樣品狀態(tài)：粉末、塊狀/薄膜樣品均可測試；
粉末樣品：至少5μm以上尺寸，且無磁性；
塊狀/薄膜樣品：最大≤2cm,高度≤3mm,無揮發(fā)性，可以有磁性（盡可能使強磁樣品體積變?。?/span>
注意事項
送樣前應在SEM電鏡中證實樣品符合FIB規(guī)定，訂貨時需寫出全部測試要求并一次性拍片。
由于所制備TEM樣品的厚度約為50nm,在二次測試時采樣、移動試樣等會對試樣產(chǎn)生破壞，導致拍攝目的不能實現(xiàn)；
送樣前用酒精將樣品表面洗凈，保證樣品表面潔凈，無油脂類物質(zhì)存在，切勿用裸手接觸樣品表面；
透射制樣默認垂直于樣品表面向下切割取樣，一般切片大小3~4μm的邊長，太大易碎；
透射樣品制備只保證切出的樣品厚度可以拍透射；
試樣需具有較好的導電性，若導電性相對較差需噴金或者噴碳；
FIB制樣后如果需要TEM拍攝，請咨詢測試老師后再下單。
5、 結(jié)果展示
1、TEM透射樣品制備
2、剖面分析（SEM/EDS）
3、微納加工
4、三維原子探針制樣
6、三維重構(gòu)（FIB-3D重構(gòu)）
6、 常見問題及回答
FIB切的透射薄片有孔或部分脫落有影響嗎？
切樣目的是使試樣變薄，有些材料變薄后會局部剝落、穿孔，屬正常情況，存在薄區(qū)域，不會影響透射拍攝也可以，如離子變薄制樣是將試樣穿入孔內(nèi)。
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