引言
某輕觸開關(guān)在生產(chǎn)測試發(fā)現(xiàn)不良，表現(xiàn)為引腳間絕緣阻抗降低?，F(xiàn)對失效輕觸開關(guān)和功能正常輕觸開關(guān)進(jìn)行分析，查找失效原因。
測試分析
1、失效現(xiàn)象確認(rèn)
為確認(rèn)失效輕觸開關(guān)引腳間阻抗是否存在異常，利用萬用表測試引腳間阻值。發(fā)現(xiàn)失效輕觸開關(guān)pin1~pin2、pin2~pin3間阻抗明顯低于功能正常輕觸開關(guān)。
圖1.引腳示意圖
表1.輕觸開關(guān)引腳間阻值
2、外觀檢查
為確認(rèn)失效輕觸開關(guān)外觀是否存在明顯不良，對失效輕觸開關(guān)進(jìn)行外觀檢查。
結(jié)果顯示：失效輕觸開關(guān)表面未發(fā)現(xiàn)明顯的裂紋、破損等異常，引腳間未發(fā)現(xiàn)明顯的金屬遷移現(xiàn)象。
3、X-ray檢查
為確認(rèn)失效輕觸開關(guān)內(nèi)部結(jié)構(gòu)是否存在明顯異常，對失效輕觸開關(guān)進(jìn)行X-ray檢查。發(fā)現(xiàn)失效輕觸開關(guān)內(nèi)部結(jié)構(gòu)完整，未發(fā)現(xiàn)有明顯開裂、破損等異常。
4、熱點(diǎn)定位
為確認(rèn)失效輕觸開關(guān)內(nèi)部的漏電位置，利用熱點(diǎn)定位技術(shù)對失效輕觸內(nèi)部漏電位置進(jìn)行定位。在失效輕觸開關(guān)內(nèi)部發(fā)現(xiàn)熱點(diǎn)，熱點(diǎn)主要集中在引腳附近位置，如圖2所示，說明失效輕觸開關(guān)漏電位置為引腳附近。
圖2.失效輕觸開關(guān)熱點(diǎn)定位形貌
5、切片分析
為確認(rèn)失效輕觸開關(guān)引腳附近漏電的原因，對失效輕觸開關(guān)、功能正常輕觸開關(guān)進(jìn)行切片分析。發(fā)現(xiàn)失效輕觸開關(guān)引腳間都存在黑色物質(zhì)形成的通道，而功能正常樣品內(nèi)部未發(fā)現(xiàn)明顯的黑色物質(zhì)形成的通道。
圖3.失效輕觸開關(guān)切片形貌
圖4.功能正常輕觸開關(guān)切片形貌
6、SEM及EDS分析
為確認(rèn)是否由于黑色物質(zhì)導(dǎo)致的失效輕觸開關(guān)引腳間漏電，對失效輕觸開關(guān)進(jìn)行SEM及EDS分析。
分析結(jié)果顯示：失效輕觸開關(guān)有黑色物質(zhì)周圍未發(fā)現(xiàn)明顯的裂紋、金屬遷移等異常，但發(fā)現(xiàn)有黑色物質(zhì)的位置C含量明顯高于周邊位置。
圖5.失效輕觸開關(guān)切片SEM形貌
圖6.失效輕觸開關(guān)切片EDS
表2. 失效輕觸開關(guān)切片EDS測試結(jié)果（wt.%）
7、拉曼光譜
為確認(rèn)含高C量的物質(zhì)是否為導(dǎo)電物質(zhì)，對NG失效輕觸開關(guān)進(jìn)行拉曼光譜測試。
測試發(fā)現(xiàn)：失效輕觸開關(guān)黑色物質(zhì)部位有1588.66的峰位，通過文獻(xiàn)得知該峰位為石墨拉曼活動模式對應(yīng)C=C鍵的伸縮震動峰，因此得知黑色物質(zhì)存在石墨，而石墨為導(dǎo)電物質(zhì)。
（參考文獻(xiàn)材料導(dǎo)報2006年6月第20卷第6期《非晶碳膜SP2和SP3相的檢測方法》）
圖7.拉曼光譜測試譜圖
8、結(jié)論
輕觸開關(guān)引腳間絕緣阻抗降低的原因為引腳間含有石墨的黑色物質(zhì)形成了漏電通道，此為物料材料本身缺陷。
建議：加強(qiáng)物料的來料檢驗及破壞性物理分析（DPA）。
京公網(wǎng)安備11010802046783號
