寄生的含義就是本來沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線之間存在互容，或者兩個(gè)相互靠近卻絕緣的金屬存在互容，就象寄生在布線之間、金屬導(dǎo)體之間、金屬平面之間，所以叫寄生電容。
寄生電容本身不是電容，根據(jù)電容的原理可以知道，電容是由兩個(gè)極板和絕緣介質(zhì)構(gòu)成的，那么寄生電容是無法避免的。寄生電容一般是指電感繞線間、芯片引腳之間、功率半導(dǎo)體引腳之間在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。
1.1、半導(dǎo)體功率器件寄生電容
功率半導(dǎo)體的核心是PN結(jié)，當(dāng)N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，在結(jié)合面處的兩側(cè)形成空間電荷區(qū)，也稱為耗盡層，當(dāng)PN結(jié)兩端的電壓變化的時(shí)候，PN結(jié)的空間電荷區(qū)的電荷也發(fā)生改變；另外，N區(qū)電子和P區(qū)空穴因?yàn)闈舛鹊牟町愊嗷U(kuò)散，也會(huì)在PN結(jié)的兩側(cè)產(chǎn)生電荷存儲效應(yīng)，這些因素作用在一起，在任何半導(dǎo)體功率器件內(nèi)部，就會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的寄生電容。
二極管寄生電容
1.2、磁性器件寄生電容
變壓器寄生電容
共模電感、電感、變壓器等磁性器件，在繞線之間會(huì)形成分布電容，此電容容量通常為PF級，PF級電容為高頻共模電流提供了耦合路徑。
1.3、功率器件/磁性器件對參考地平面寄生電容
功率器件對參考地平面寄生電容
1.4、金屬體之間的寄生電容
1.4、PCB布線間寄生電容
二、寄生電容的影響分析
寄生電容無處不在，又很隱蔽，且無法通過儀器進(jìn)行測量。故寄生電容的影響就非常難分析，給EMC問題分析調(diào)試帶來巨大挑戰(zhàn)。
2.1、寄生電容改變信號回流路徑
高頻電流環(huán)路面積是影響輻射發(fā)射的重要因素，可控的電流環(huán)路面積是保證EMC性能的重要前提。寄生電容的存在會(huì)改變高頻電流的回流路徑，其環(huán)路面積也隨之變大，引發(fā)嚴(yán)重的EMC問題。
2.2、寄生電容容性耦合串?dāng)_
在開關(guān)電源EMC問題分析與調(diào)試過程中，發(fā)現(xiàn)容性耦合是引發(fā)電源端傳導(dǎo)騷擾測試不達(dá)標(biāo)的重要原因。容性耦合往往發(fā)生在電位差比較大的兩條布線之間，容性耦合會(huì)將濾波器的性能降低，甚至旁路掉而失效。
2.3、寄生電容產(chǎn)生寄生振蕩
二極管、MOS管、半導(dǎo)體芯片等功率器件引腳間的寄生電容與線路中電感器件、變壓器、磁珠、及PCB Layout布線的寄生電感之間往往會(huì)產(chǎn)生寄生振蕩。開關(guān)電源產(chǎn)品中寄生振蕩是EMI測試不達(dá)標(biāo)的重要原因之一，卻很容易被設(shè)計(jì)工程師所忽略。
在開關(guān)電源EMC問題分析與調(diào)試過程中，發(fā)現(xiàn)容性耦合是引發(fā)電源端傳導(dǎo)騷擾測試不達(dá)標(biāo)的重要原因。容性耦合往往發(fā)生在電位差比較大的兩條布線之間，容性耦合會(huì)將濾波器的性能降低，甚至旁路掉而失效。
2.4、寄生電容產(chǎn)生偶極子天線
金屬導(dǎo)體經(jīng)常用于電磁干擾屏蔽，金屬導(dǎo)體之間的良好搭接設(shè)計(jì)是保證實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的屏蔽效果的前提。而實(shí)際結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)考慮到金屬導(dǎo)體的氧化問題，在金屬表面噴涂絕緣漆來避免金屬氧化的問題。噴完絕緣漆的兩個(gè)金屬搭接在一起的時(shí)候，不能夠良好導(dǎo)通形成等電位體，當(dāng)高頻噪聲電流流過其中的一個(gè)導(dǎo)體，就會(huì)在另個(gè)導(dǎo)體上產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢形成電偶極天線，將噪聲輻射出去。
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