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我國科學(xué)家突破硅基閃存器件尺寸極限!

嘉峪檢測(cè)網(wǎng)        2024-08-15 08:42

8月13日,從復(fù)旦大學(xué)獲悉,該校周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)從界面工程出發(fā),在國際上首次實(shí)現(xiàn)了最大規(guī)模1Kb納秒超快閃存陣列集成驗(yàn)證,并證明了其超快特性可延伸至亞10納米。相關(guān)研究成果12日發(fā)表于國際期刊《自然·電子學(xué)》。

 

人工智能的飛速發(fā)展迫切需要高速非易失存儲(chǔ)技術(shù),當(dāng)前主流非易失閃存的編程速度普遍在百微秒級(jí),無法支撐應(yīng)用需求。該研究團(tuán)隊(duì)在前期發(fā)現(xiàn)二維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑵渌俣忍嵘磺П兑陨?,?shí)現(xiàn)顛覆性的納秒級(jí)超快存儲(chǔ)閃存技術(shù)。但是,實(shí)現(xiàn)規(guī)模集成、走向?qū)嶋H應(yīng)用仍具有挑戰(zhàn)。

 

為此,研究人員開發(fā)了超界面工程技術(shù),在規(guī)?;S閃存中實(shí)現(xiàn)了具備原子級(jí)平整度的異質(zhì)界面,結(jié)合高精度的表征技術(shù),顯示集成工藝優(yōu)于國際水平。研究人員通過嚴(yán)格的直流存儲(chǔ)窗口、交流脈沖存儲(chǔ)性能測(cè)試,證實(shí)了二維新機(jī)制閃存在1Kb存儲(chǔ)規(guī)模中,在納秒級(jí)非易失編程速度下的良率可高達(dá)98%,這一良率高于國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖對(duì)閃存制造89.5%的良率要求。

 

同時(shí),研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)了不依賴先進(jìn)光刻設(shè)備的自對(duì)準(zhǔn)工藝,結(jié)合原始創(chuàng)新的超快存儲(chǔ)疊層電場(chǎng)設(shè)計(jì)理論,成功實(shí)現(xiàn)了溝道長度為8納米的超快閃存器件。該器件是目前國際最短溝道閃存器件,突破了硅基閃存物理尺寸極限,約15納米。在原子級(jí)薄層溝道支持下,這一超小尺寸器件具備20納秒超快編程、10年非易失、10萬次循環(huán)壽命和多態(tài)存儲(chǔ)性能。

 

研究人員介紹,此項(xiàng)研究工作將推動(dòng)超快閃存技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

 

 

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來源:科技日?qǐng)?bào)

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