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倒裝芯片的靜電損傷失效分析

嘉峪檢測(cè)網(wǎng)        2024-10-06 10:08

靜電放電ESD,對(duì)集成電路的危害巨大,會(huì)造成靜電潛在損傷或者直接將集成電路的端口保護(hù)網(wǎng)絡(luò)擊穿,造成集成電路的失效。特別是對(duì)于倒裝芯片,靜電損傷是造成其失效的一大重要因素,這種靜電損傷很難用掃描電鏡顯微鏡直接找到,通過(guò)激光掃描顯微鏡對(duì)其進(jìn)行失效定位可以快速準(zhǔn)確的定位到損傷點(diǎn)。

樣品為倒裝芯片,視頻輸出端口輸出異常,圖像不顯示。

 

 

 

分析方法簡(jiǎn)述:電參數(shù)測(cè)試結(jié)果表明,樣品的3.3v video IF supply端口對(duì)地端之間表現(xiàn)為漏電特性。對(duì)樣品進(jìn)行開(kāi)封檢查,表面未發(fā)現(xiàn)異常形貌。在漏電端口和vss之間施加電壓,激光掃描顯微鏡下進(jìn)行失效定位,可見(jiàn)樣品芯片上存在異常亮點(diǎn),該點(diǎn)在激光加熱下,阻值發(fā)生變化,光發(fā)射顯微鏡的電源探測(cè)到該阻抗變化,并標(biāo)記顏色。對(duì)存在異常亮點(diǎn)的芯片進(jìn)行去層并用SEM放大觀察,發(fā)現(xiàn)樣品異常亮點(diǎn)附近存在靜電損傷形貌。

通過(guò)激光掃描顯微鏡準(zhǔn)確的定位了倒裝芯片中的靜電損傷點(diǎn)。對(duì)于襯底相對(duì)較薄的倒裝芯片,無(wú)需對(duì)芯片進(jìn)行任何處理,就可以直接應(yīng)用激光掃描熱激發(fā)技術(shù)進(jìn)行失效定位,提高了失效分析的水平和效率。

倒裝芯片一般都是靜電敏感器件,在其貯存,運(yùn)輸和使用過(guò)程中,一定做好靜電防護(hù)措施,避免靜電對(duì)芯片造成損傷和擊穿。其次,在芯片的設(shè)計(jì)層面,也可以通過(guò)電容保護(hù),電阻保護(hù),電阻-電容保護(hù)或者通過(guò)合理的布線技術(shù),也可以增強(qiáng)芯片的ESD抵抗能力。

 

 

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