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    某芯片IO口開路失效，難道又是一個封裝級故障。

    X射線檢查沒有發(fā)現(xiàn)故障Pin鍵合絲EOS燒毀斷線形貌，也未見鍵合點明顯異常。

    開蓋后芯片正面未見明顯異常，故障Pin位置也未見明顯的燒毀或鍵合脫落形貌。

    探針分別點在一焊點pad和外部引腳，進(jìn)行IV測試，pad對地開路、外部引腳對地開路、pad對外部引腳短路，從該測試結(jié)果可知，二焊點接觸良好，是芯片內(nèi)部發(fā)生了開路問題。開路的IV曲線如下圖所示。

    首先，進(jìn)行理論分析，以制定下一步分析策略：典型的IO端口電路原理圖示意如下圖所示。

    1）如果位置1開路，符合目前的IV測試結(jié)果，故障點應(yīng)該在Pad往里走的via孔位置，該位置還沒有到一級ESD保護(hù)電路；

    2）如果位置2燒開路，正常芯片表面會有燒毀形貌，甚至?xí)焰I合絲燒毀，且IV測試會走poly電阻過二級ESD保護(hù)電路，會有IV曲線，與目前的開蓋鏡檢和IV測試結(jié)果不符；

    3）如果位置3燒開路，芯片頂層可能不會有明顯的燒毀形貌，但是IV測試會走一級ESD保護(hù)電路，與目前的IV測試結(jié)果不符。

    小結(jié)：該芯片燒毀位置在Pad到一級保護(hù)電路之前的位置，大概率為過孔位置有問題，因此可以對芯片表面金屬進(jìn)行去除觀察。

    頂層金屬去層觀察：去除頂層后發(fā)現(xiàn)該P(yáng)ad往內(nèi)部電路走的過孔有疑似燒毀形貌。

    繼續(xù)向下去層：確認(rèn)該過孔燒毀導(dǎo)致開路。

    寫在最后：本案只分析到故障現(xiàn)象，該案例主要介紹的是在缺少EFA故障點定位條件的時候，如何進(jìn)行缺陷暴露的方案制定。此類問題的分析，需要結(jié)合電性測試結(jié)果以及芯片IO口典型設(shè)計大致推斷故障點在哪個位置，然后針對性的制定缺陷暴露方法，最后實施精確的小范圍有針對性的故障觀察。