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    小信號(hào)MOS在進(jìn)行可靠性測(cè)試時(shí)失效，經(jīng)測(cè)試為GS漏電，對(duì)故障樣品進(jìn)行失效分析。

    失效確認(rèn)：IV測(cè)試，確認(rèn)GS存在漏電

    故障點(diǎn)定位：對(duì)樣品進(jìn)行Backside處理，EMMI測(cè)試抓取存在漏電點(diǎn)

    化學(xué)開(kāi)封，取die，因?yàn)殇X層較厚未發(fā)現(xiàn)明顯異常。

    去除鋁層后，故障位置OM觀察也未見(jiàn)明顯異常。

    使用SEM觀察，發(fā)現(xiàn)故障點(diǎn)疑似燒毀。

    使用化學(xué)去層：可見(jiàn)熱點(diǎn)位置明顯擊穿點(diǎn)。

     FIB切片，發(fā)現(xiàn)GS燒毀。

    分析：該MOS為trench結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)示意圖如下圖所示。

    導(dǎo)致失效的可能原因：測(cè)試時(shí)引入ESD損傷。

經(jīng)驗(yàn)總結(jié)：在SEM觀察到異常后，直接使用FIB避免化學(xué)去層時(shí)導(dǎo)致故障點(diǎn)損傷加劇。