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1、MOS管開(kāi)通過(guò)程

圖1：MOS管開(kāi)通過(guò)程時(shí)序圖

第一階段（t0-t1)

VGS從0到VTH：絕大部分電流給CGS充電，微小電流流過(guò)CGD;VGS增大VGD微降，漏極的電壓及電流不變，也稱(chēng)為開(kāi)通準(zhǔn)備（Turn On Delay）。

第二階段（t1-t2)

VGS從VTH到V miller:此過(guò)程MOS管開(kāi)始導(dǎo)通，MOS流過(guò)的電流與VGS呈線(xiàn)性關(guān)系，VGS繼續(xù)增大，VGD微降，保持開(kāi)通準(zhǔn)備狀態(tài)；漏極電壓依然不變，但漏極電流開(kāi)始增加直到所有電流全部流向MOS管（體二極管截止），到達(dá)米勒平臺(tái)處。

第三階段（t2-t3)

VGS=V miller:因VDS開(kāi)始下降，所有從驅(qū)動(dòng)源獲得的驅(qū)動(dòng)電流全部提供給CGD放電來(lái)促進(jìn)VDS減小促始VGS恒定在一個(gè)值，俗稱(chēng)米勒平臺(tái)，漏極電流保持恒定。

第四階段（t3-t4)

VGS從V miller到最終的驅(qū)動(dòng)電壓:G極電流始終給CGS和CGD充電，增強(qiáng)導(dǎo)通溝道的過(guò)程；VGS的大小影響導(dǎo)通電阻的大小，VDS隨著VGS的增大略微減小。    

圖2：MOS管開(kāi)通過(guò)程時(shí)序圖（實(shí)測(cè)）

2、MOS管關(guān)斷過(guò)程

圖3：MOS管關(guān)斷過(guò)程時(shí)序圖

第一階段（t0-t1)

VGS從最終驅(qū)動(dòng)電壓到V miller：G極電流由CISS自供，給CGS充電，微小電流流過(guò)CGD;隨著VGS降低，漏極電壓輕微增大，電流不變，叫關(guān)斷準(zhǔn)備狀態(tài)（Turn Off Delay）。

第二階段（t1-t2)

VGS=V miller:VDS由ID*RDSON上升到VDS（off）,驅(qū)動(dòng)電流全部由CGD充電提供，促始VGS恒定在一個(gè)值，俗稱(chēng)米勒平臺(tái)，漏極電流保護(hù)恒定；直到電流開(kāi)始部分流向負(fù)載。（體二極管導(dǎo)通）    

第三階段（t2-t3)

VGS從V miller到VTH:此過(guò)程MOS管開(kāi)始關(guān)斷，MOS管流過(guò)電流與VGS呈線(xiàn)性關(guān)系，G極電流主要由CDS放電提供，此區(qū)域?yàn)榫€(xiàn)性區(qū)，隨著VGS減小，漏極電流減小直到為零，漏極電壓VDS(OFF)不變。

第四階段（t3-t4)

VGS從VTH到零：G極電流主要由CGS放電提供，與第三階段一致，VGS增大VGD微降，漏極電壓及電流不變。

圖4：MOS管關(guān)斷過(guò)程時(shí)序圖（實(shí)測(cè)）