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    刻蝕在芯片制造過程中占據(jù)著極為關(guān)鍵的地位，它是一個(gè)把光刻膠上所形成的圖形轉(zhuǎn)換到光刻膠下方各層材料之上的工藝步驟。

    在芯片制造領(lǐng)域，常見的刻蝕方式主要有濕法刻蝕和干法刻蝕這兩種類型。在本文當(dāng)中，我們主要的目的是對(duì)濕法刻蝕的部分配方進(jìn)行分享與展示。這些配方有著特殊的用途，它們能夠被應(yīng)用在芯片的失效分析工作之中。

    接下來詳細(xì)說說濕法刻蝕。濕法刻蝕這種工藝是利用恰當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)試劑來進(jìn)行操作的。具體而言，首先，這些化學(xué)試劑會(huì)針對(duì)未被光刻膠所覆蓋的晶片部分發(fā)揮作用，將這部分晶片分解開來。然后，經(jīng)過分解后的物質(zhì)會(huì)形成可溶性的化合物，這樣就能夠達(dá)到將未被光刻膠覆蓋部分去除的目的了。

下面介紹幾種硅基芯片材料的刻蝕配方：

1、硅的刻蝕：選用硝酸與氫氟酸或者醋酸的混合水溶液為腐蝕液，其中醋酸的作用是降低硝酸溶解度，水溶液作為稀釋液。

反應(yīng)過程：

1）硝酸使硅氧化形成氧化硅：

2）氫氟酸溶解氧化硅層：

2、氧化硅的刻蝕：BOE溶液，通常使用氟化銨作為緩沖劑稀釋45%濃度的氫氟酸，常用的配方為。

反應(yīng)過程：

3、氮化硅的刻蝕：氫氟酸緩沖液和沸騰的磷酸，使用185℃含量為85%的磷酸溶液作為氮化硅和氧化硅之間的選擇腐蝕劑。

4、鋁的腐蝕：熱磷酸、硝酸、醋酸和去離子水混合液。

配方：73%H3PO4+4%HNO3+3.5%CH3COOH+19.5%DI水

溫度：80℃

反應(yīng)過程：

1）鋁和硝酸反應(yīng)生成氧化鋁

2）氧化鋁和磷酸反應(yīng)生成磷酸鹽

匯總：