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雪崩擊穿參數(shù)是MOS管在關(guān)斷狀態(tài)能承受過壓能力的指標(biāo)，電壓超過漏源極限電壓將導(dǎo)致器件處在雪崩狀態(tài)。

單脈沖雪崩能量EAS

單次脈沖雪崩擊穿能量，是極限參數(shù)，說明MOS管所能承受的最大雪崩擊穿能量。MOS管開啟到瞬間關(guān)斷時，漏極電壓升高，漏極體二極管中耗盡層產(chǎn)生位移電流，隨著D極電壓的上升，位移電流會呈現(xiàn)雪崩持續(xù)狀態(tài)，足夠大最終導(dǎo)致熱損壞。

單脈沖雪崩電流IAS

單脈沖雪崩能力EAS時通過的雪崩電流。

重復(fù)雪崩能量EAR

規(guī)范沒有對重復(fù)脈沖的頻率和脈沖持續(xù)時間做出規(guī)定，不同廠家測試數(shù)據(jù)沒有可比性。MOS管的連續(xù)雪崩擊穿能量只有單脈沖雪崩擊穿能量的幾十分之一，因此應(yīng)該盡量防止出現(xiàn)這種情況。

雪崩破壞電流、能量值與測試電感值大小的關(guān)系

隨著電感值L的增大，破壞電流IAP降低，破壞能量EAR增大；判斷雪崩耐量強弱時，必須考慮電流值IAP和能量值EAR；通常認為電感值L小且破壞能量值EAR大的器件就是雪崩耐量強的器件。

圖1：MOS管雪崩測量電路與雪崩能量計算公式

影響雪崩耐量值的三要素：IAS的大小，當(dāng)雪崩能量未達到但電流已超過IAS時，則會產(chǎn)生破壞；雪崩時的MOS管溝道原有的結(jié)溫大小，初始結(jié)溫越高，當(dāng)然雪崩耐量就會降低；雪崩時dv/dt大小的影響。

圖2：MOS管雪崩破壞電流與電感值之間關(guān)系曲線