中文字幕一级黄色A级片|免费特级毛片。性欧美日本|偷拍亚洲欧美1级片|成人黄色中文小说网|A级片视频在线观看|老司机网址在线观看|免费一级无码激情黄所|欧美三级片区精品网站999|日韩av超碰日本青青草成人|一区二区亚洲AV婷婷

MOSFET并聯(lián)使用可提高輸出電流性能，由于MOSFET以高頻率開關(guān)，其電氣特性的差異和電路寄生電感可能會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)瞬時(shí)電壓峰值，以及并聯(lián)MOSFET之間的電流分配不平衡，電流不平衡可能導(dǎo)致功率損耗過大并損壞器件。

MOSFET并聯(lián)使用時(shí)，最重要的是避免電流集中（包括在開關(guān)轉(zhuǎn)換期間），并確保在所有可能的負(fù)載條件下，流向所有MOSFET的電流保持平衡且均勻，應(yīng)特別注意兩個(gè)方面問題：一是避免因器件特性不匹配導(dǎo)致的電流不平衡；二是避免并聯(lián)使用時(shí)的寄生振蕩。

MOSFET并聯(lián)使用時(shí)產(chǎn)生的振蕩是由各個(gè)器件的動(dòng)作時(shí)序的差別觸發(fā)引起的振蕩，布線的不平衡或MOSFET自身離散性引起ON和OFF的時(shí)序差別時(shí)，電流偏向某個(gè)MOSFET，布線寄生電感中發(fā)生的感應(yīng)電壓與旁邊的MOSFET不同引起電位差，電位差產(chǎn)生的能量在MOSFET的寄生電容中來回往復(fù)，出現(xiàn)振蕩的現(xiàn)象。

因漏源電壓振蕩導(dǎo)致的柵極電壓振蕩

開關(guān)期間MOSFET的漏極和源極中會(huì)發(fā)生浪涌電壓VSURGE,主要因?yàn)殛P(guān)斷期間的dｉ/dｔ和漏極及引線中的寄生電感。

VSURGE=LD(寄生電感)*dｉ/dｔ

VSURGE,導(dǎo)致的振蕩電壓通過MOSFET的漏極電容CGD傳輸?shù)綎艠O，與柵極線路中的寄生電感L形成諧振電路。大電流、高頻高速M(fèi)OSFET的內(nèi)部柵極電阻極小。在無外部柵極電阻器的情況下，諧振電路的品質(zhì)因數(shù)會(huì)很大，如果發(fā)生諧振，諧振電路會(huì)在MOSFET的柵極和源極中產(chǎn)生振蕩電壓，發(fā)生寄生振蕩。

圖1：MOS管并聯(lián)使用寄生參數(shù)等效模型

除非并聯(lián)MOSFET的瞬態(tài)開關(guān)電流在關(guān)斷期間平衡良好，否則電流會(huì)不均勻地分配到之后關(guān)斷的MOSFET。電流在漏極和源極中產(chǎn)生很大的電壓浪涌（振蕩），而電壓浪涌又傳遞到柵極，導(dǎo)致柵極和源極中產(chǎn)生振蕩電壓，如振蕩電壓過大，會(huì)導(dǎo)致發(fā)生柵源過電壓故障、開通故障和振蕩故障。

當(dāng)最快的MOSFET關(guān)斷時(shí)，其漏極電壓上升，漏極電壓的上升通過柵漏電容CGD傳遞到另一個(gè)MOSFET的柵極，導(dǎo)致MOSFET發(fā)生意外翻轉(zhuǎn)，造成寄生振蕩。

并聯(lián)MOSFET的寄生振蕩原因分析

一般來說，并聯(lián)MOSFET比單個(gè)MOSFET更易發(fā)生寄生振蕩，并聯(lián)MOSFET電路寄生振蕩的等效電路模型如下圖所示，LD1、LD2是漏極線路的寄生電感，LS1、LS2是源極線路的寄生電感，L1和L2是柵極線路的寄生電感，CDS1、CDS2、CGS1、CGS2、CGD1、CGD2是MOSFET本體的寄生電容。

圖2：MOS管并聯(lián)使用寄生參數(shù)等效模型

并聯(lián)MOSFET Q1和Q2的電感值和電容值相等（CDS1=CDS2、CGS1=CGS2、CGD1=CGD2、LD1=LD2、LS1=LS2、L1=L2），那么當(dāng)Q1和Q2在線性區(qū)發(fā)生寄生振蕩時(shí)，二者以反相運(yùn)行，在這種情況下，振蕩電壓在寄生振蕩頻率下被視為0，可將其視為虛擬接地。    

在寄生振蕩頻率下可以認(rèn)為A與B處于短路狀態(tài)，意味著寄生振蕩的發(fā)生與漏源負(fù)載、續(xù)流二極管、電源、共用柵極電阻器和柵極驅(qū)動(dòng)電路無關(guān)。并聯(lián)MOSFET形成了具有高品質(zhì)因數(shù)的諧振電路，由于具有高增益的反饋環(huán)路，諧振電路極易發(fā)生振蕩。

作為寄生振蕩環(huán)路的等效電路，簡化后的電路模型如圖3，通常LD和LS之間的關(guān)系是：

LD＜＜LS，L1和LS之間的關(guān)系是：LD＜＜L1，在振蕩頻率下，LS和CDS發(fā)生并聯(lián)諧振，L1和CGD發(fā)生并聯(lián)諧振，CGS電容與L1電感形成串聯(lián)諧振。

圖3：MOS管并聯(lián)使用寄生參數(shù)等效模型（半邊電路等效）