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失效模式分析：下管先過(guò)壓擊穿，然后上管過(guò)熱失效。

市場(chǎng)有兩種故障類(lèi)型：

1、Vin和SW均與GND短路；

2、SW與GND短路。

市場(chǎng)失效共性分析：下管失效位置一致，上管失效位置隨機(jī)分布（但都在上管的中間位置，即散熱最差的位置）

開(kāi)蓋分析：市場(chǎng)故障開(kāi)蓋及去層發(fā)現(xiàn)下管邊緣處有過(guò)壓擊穿點(diǎn)形貌，上管中間有熱斑，推斷故障機(jī)理為下管先受過(guò)電應(yīng)力導(dǎo)致?lián)舸ㄍǔ＿吘夁吘壩恢秒姂?yīng)力最大先擊穿），上管在下管被擊穿后開(kāi)通時(shí)上下管同時(shí)導(dǎo)通MOS發(fā)熱導(dǎo)致熱失效，失效點(diǎn)在MOS中間散熱最差的地方形成一個(gè)熱斑。

導(dǎo)致其下管擊穿的原因，通常不是存在真實(shí)的過(guò)電應(yīng)力，因?yàn)橐呀?jīng)有很多客戶(hù)在其官網(wǎng)提報(bào)，可能是其耐壓設(shè)置偏下限，在低溫下耐壓進(jìn)一步下降導(dǎo)致發(fā)生擊穿失效。

解決方案：使用TLV62569A或者國(guó)產(chǎn)替代，經(jīng)受害者驗(yàn)證，這兩種方案均有效。

需注意：TLV62569A我司選用的是SOT563-6封裝，該封裝采用的是bump；TLV62569我司選用的是SOT23-6封裝，該封裝采用的是wire bonding。

國(guó)產(chǎn)替代：鈺泰/ETA3485，受害者已驗(yàn)證沒(méi)問(wèn)題。國(guó)產(chǎn)替代很多，查看規(guī)格書(shū)可用發(fā)現(xiàn)耐壓規(guī)格做的比TI大，目前這個(gè)物料國(guó)產(chǎn)替代已經(jīng)有很多，杰華特也有相應(yīng)的規(guī)格。

寫(xiě)在最后：有的時(shí)候EOS只是一個(gè)現(xiàn)象，但是導(dǎo)致EOS問(wèn)題的并不一定真的存在過(guò)電應(yīng)力，可能是芯片設(shè)計(jì)存在薄弱點(diǎn)。TLV62569的問(wèn)題分析并沒(méi)有找到根因，這個(gè)根因可能只能存在于TI內(nèi)部，但因?yàn)楹芏嗫蛻?hù)均已提報(bào)了相同類(lèi)型的問(wèn)題，那么可以學(xué)習(xí)這些受害者的經(jīng)驗(yàn)，導(dǎo)入改善措施。