您當(dāng)前的位置:檢測(cè)資訊 > 科研開(kāi)發(fā)
嘉峪檢測(cè)網(wǎng) 2025-04-09 08:35
1.PCB基本內(nèi)容
1.1基礎(chǔ)規(guī)范
1、板名+版本號(hào):電路板的唯一名稱(chēng),需簡(jiǎn)潔明確,反映功能或所屬系統(tǒng)。版本號(hào)需與設(shè)計(jì)文件、BOM(物料清單)及生產(chǎn)文件嚴(yán)格對(duì)應(yīng)。
2、設(shè)計(jì)日期:設(shè)計(jì)完成或修訂的日期,用于追蹤版本迭代。版本變更日志,記錄大致修改內(nèi)容及責(zé)任人。
3、設(shè)計(jì)者與審核者信息:設(shè)計(jì)、校對(duì)、審核人員簽名或縮寫(xiě),標(biāo)注于圖紙或絲印層。
4、條碼框:PCB上預(yù)留的空白區(qū)域,通常位于板邊,用于印制生產(chǎn)條碼、序列號(hào)或二維碼,便于自動(dòng)化貼片和追溯。
5、企業(yè)信息:企業(yè)標(biāo)志、版權(quán)聲明或客戶(hù)標(biāo)識(shí)。
6、項(xiàng)目名稱(chēng):所屬項(xiàng)目或產(chǎn)品的名稱(chēng)(xxx飛控設(shè)計(jì))。
7、板材板材與工藝要求:板材類(lèi)型、板厚、表面工藝(如沉金、噴錫)等基礎(chǔ)參數(shù)。
8、尺寸標(biāo)注:板框尺寸、安裝孔位置、限高區(qū)等機(jī)械信息,需與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)匹配。
9、層標(biāo)識(shí):多層板的每一層需標(biāo)注層序號(hào)及功能(如“L1: Top Layer”“L2: GND Plane”)。
10、設(shè)計(jì)說(shuō)明或注釋?zhuān)∟otes):特殊設(shè)計(jì)要求、未體現(xiàn)圖紙的注意事項(xiàng)(如“禁布區(qū)說(shuō)明”“測(cè)試點(diǎn)用途”)。
11、防靜電標(biāo)識(shí)。
12、無(wú)鉛標(biāo)識(shí)。
13、板邊要打地孔。
14、保持英制單位,不要切換單位類(lèi)型,會(huì)導(dǎo)致長(zhǎng)度誤差。
1.2建庫(kù)規(guī)范
1、庫(kù)文件集中管理
所有元器件庫(kù)(原理圖符號(hào)、PCB封裝、3D模型等)必須存儲(chǔ)在企業(yè)服務(wù)器,禁止本地存儲(chǔ)或私自建庫(kù)。
服務(wù)器庫(kù)路徑統(tǒng)一為:[指定服務(wù)器路徑/庫(kù)名稱(chēng)],僅允許通過(guò)企業(yè)賬號(hào)訪(fǎng)問(wèn)。
2、權(quán)限管控
設(shè)計(jì)工程師:僅可調(diào)用已審核的庫(kù)文件,無(wú)修改、刪除權(quán)限。
庫(kù)管理員:唯一擁有庫(kù)文件創(chuàng)建、修改權(quán)限,需通過(guò)審批流程操作。
訪(fǎng)客/外部協(xié)作方:僅可查看庫(kù)文件,不可下載或?qū)С觥?/span>
3、元器件命名規(guī)則
原理圖符號(hào):功能_參數(shù)_封裝類(lèi)型(例:IC_Power_LDO_SOT-223)。
PCB封裝:遵循IPC-7351標(biāo)準(zhǔn),格式:封裝類(lèi)型_引腳數(shù)_尺寸(例:SMD-0805_2P_2.0x1.2mm)。
3D模型:與PCB封裝名稱(chēng)完全一致,格式為STEP或WRL。
4、原理圖符號(hào):
引腳編號(hào)、名稱(chēng)必須與數(shù)據(jù)手冊(cè)一致。
添加必要的參數(shù)標(biāo)注(如電壓、容差)
5、PCB封裝:
焊盤(pán)尺寸按IPC標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算(補(bǔ)償生產(chǎn)誤差)。
禁止使用未經(jīng)驗(yàn)證的異形封裝(如FPC連接器)。
6、3D模型強(qiáng)制綁定:
所有PCB封裝必須綁定3D模型,用于結(jié)構(gòu)干涉檢查。
3D模型需標(biāo)注方向標(biāo)識(shí)(如Pin 1位置)。
7、版本和標(biāo)簽管理
每次修改需更新版本號(hào)(例:Rev1.0 → Rev1.1),并添加變更說(shuō)明。
服務(wù)器庫(kù)文件必須添加標(biāo)簽(Tag),禁止覆蓋歷史版本。
8、審核與發(fā)布流程
新庫(kù)文件需提交至審核隊(duì)列,由庫(kù)管理員檢查數(shù)據(jù)手冊(cè)一致性,焊盤(pán)尺寸與間距合規(guī)性,3D模型匹配性
審核通過(guò)后,文件標(biāo)記為“已發(fā)布”(Released),未發(fā)布文件禁止調(diào)用。
9、沖突解決規(guī)則
發(fā)現(xiàn)庫(kù)錯(cuò)誤時(shí),禁止直接修改,需提交問(wèn)題報(bào)告(Issue)至管理員。
緊急情況下可申請(qǐng)臨時(shí)權(quán)限,修改后需補(bǔ)審。
10、備份與災(zāi)備
服務(wù)器庫(kù)每日自動(dòng)備份至異地存儲(chǔ)(如NAS/云盤(pán))。
備份保留最近3個(gè)月的歷史版本。
11、違規(guī)處罰
私自建庫(kù)或修改庫(kù)文件:警告并暫停設(shè)計(jì)權(quán)限。
未審核文件導(dǎo)致生產(chǎn)事故:追責(zé)相關(guān)人員。
1.3快速自查清單
庫(kù)文件是否從服務(wù)器調(diào)用?
命名是否符合IPC或企業(yè)規(guī)則?
封裝焊盤(pán)是否補(bǔ)償了生產(chǎn)工藝誤差?
3D模型是否綁定且方向正確?
版本號(hào)與標(biāo)簽是否更新?
禁止布線(xiàn)區(qū)域檢查:確認(rèn)禁布區(qū)(如螺絲孔、卡扣位)無(wú)元件、走線(xiàn),避免裝配沖突。
干涉檢查:核查元件、走線(xiàn)與結(jié)構(gòu)件(外殼、連接器等)無(wú)物理干涉,保證裝配可行性。
機(jī)械孔附近走線(xiàn)檢查:機(jī)械孔(固定孔等)周邊禁止走線(xiàn),防止鉆孔損傷線(xiàn)路,保障機(jī)械強(qiáng)度。
絲印調(diào)整:檢查絲印內(nèi)容(位號(hào)、方向標(biāo)識(shí))清晰,位置不覆蓋焊盤(pán)、測(cè)試點(diǎn)。
MARK 點(diǎn)檢查:確保 MARK 點(diǎn)尺寸、位置正確,便于 SMT 設(shè)備定位,提升貼片精度。
板名、版本號(hào)檢查:確認(rèn)板名、版本號(hào)絲印正確,用于生產(chǎn)追溯與版本管理。
Logo 檢查:確保硬件 Logo 絲印位置不影響功能區(qū),字符清晰。
Outline 檢查:核查 PCB 外形(outline)與設(shè)計(jì)外形(designoutline)一致,保證尺寸精度。
DRC 與短路檢查:運(yùn)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC),排查短路、間距違規(guī)等電氣問(wèn)題。
RATLine 及未連接線(xiàn)檢查:檢查飛線(xiàn)(RATLine)確保網(wǎng)絡(luò)連接正確,無(wú)未布線(xiàn)或錯(cuò)連。
焊盤(pán)過(guò)孔檢查:確認(rèn)焊盤(pán)按設(shè)計(jì)打過(guò)孔(多層板互連),避免電氣連接遺漏。
電源樹(shù)與載流能力檢查:驗(yàn)證電源網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浜侠硇?,確保走線(xiàn)載流能力滿(mǎn)足需求,防過(guò)流發(fā)熱。
等長(zhǎng)檢查:針對(duì)高速信號(hào)(差分對(duì)、時(shí)鐘等),檢查長(zhǎng)度匹配,保障信號(hào)時(shí)序與完整性。
螺釘孔加固檢查:螺釘孔周邊添加過(guò)孔接地,增強(qiáng)機(jī)械穩(wěn)定性與屏蔽效果,防孔位斷裂。
2.結(jié)構(gòu)相關(guān)
2.1機(jī)械尺寸要求
PCB 外形尺寸需嚴(yán)格匹配結(jié)構(gòu)圖,公差控制在 ±0.1mm 內(nèi),確保與機(jī)箱、支架等機(jī)械結(jié)構(gòu)精確配合。
邊緣不得有銳角或毛刺,避免組裝時(shí)損傷其他部件或人員。
明確禁布區(qū)(如螺絲孔周邊、卡扣位、散熱孔區(qū)域),禁布區(qū)內(nèi)禁止布置元件、走線(xiàn)或焊盤(pán),邊界預(yù)留 ≥1mm 安全距離,避免結(jié)構(gòu)裝配沖突。
2.2固定孔設(shè)計(jì)
固定孔位置需對(duì)稱(chēng)分布,數(shù)量≥4 個(gè),直徑≥3mm(根據(jù) PCB 尺寸調(diào)整),避免因受力不均導(dǎo)致 PCB 變形。
固定孔需與結(jié)構(gòu)件(如螺絲柱)對(duì)齊,孔邊保留≥0.5mm 銅皮并接地,增強(qiáng)穩(wěn)定性與屏蔽效果。
2.3散熱設(shè)計(jì)
大功率器件(如 MOS 管、電源芯片)下方需鋪銅并開(kāi)散熱孔(直徑≥0.3mm),銅箔面積≥器件封裝面積的 2 倍。
散熱器安裝區(qū)域需預(yù)留足夠空間,避免與其他元件干涉,并通過(guò)螺絲孔或卡扣固定。
2.4屏蔽罩設(shè)計(jì)
敏感電路(如 RF 模塊、時(shí)鐘電路)需加金屬屏蔽罩,罩體與 PCB 邊緣間距≥1mm,開(kāi)口位置避開(kāi)關(guān)鍵信號(hào)路徑。
屏蔽罩需通過(guò)金屬?gòu)椘驅(qū)щ娔z與 PCB 接地層可靠連接,接地接觸點(diǎn)間距≤10mm。
2.5連接器布局
連接器需靠近 PCB 邊緣,與板邊距離≥2mm,便于線(xiàn)纜插拔。
核查連接器間距,如 USB 連接器間距需≥5mm,排針連接器周邊預(yù)留≥2mm 空間,避免與其他元件碰撞。
確認(rèn)扣板(如 FPC 扣板、接口扣板)的位置、方向與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)一致,檢查扣板焊接區(qū)域是否與結(jié)構(gòu)定位孔對(duì)齊,避免因方向錯(cuò)誤導(dǎo)致干涉。
高密連接器(如 USB、HDMI)需避開(kāi)高速信號(hào)走線(xiàn),防止串?dāng)_,具體規(guī)則參考第四章 SI 相關(guān)規(guī)范。
2.6絲印與標(biāo)識(shí)
關(guān)鍵元件(如晶振、保險(xiǎn)管)需絲印位號(hào)與方向標(biāo)識(shí),字符高度≥1mm,避免組裝錯(cuò)誤。
結(jié)構(gòu)件(如螺絲孔、散熱孔)需用特殊符號(hào)(如 “X”)標(biāo)記,便于生產(chǎn)識(shí)別。
2.7層疊與厚度
多層板厚度需符合機(jī)械強(qiáng)度要求(如 4 層板厚度≥1.6mm),層疊結(jié)構(gòu)需平衡信號(hào)完整性與散熱需求(參考第三章電源完整性規(guī)范)。
特殊層(如埋孔層)需與結(jié)構(gòu)件位置協(xié)調(diào),避免孔位沖突。
2.8拼板設(shè)計(jì)
拼板需采用 V-CUT 或郵票孔連接,連接處保留≥0.3mm 工藝邊,確保分板后無(wú)毛刺。
拼板尺寸需適配 SMT 生產(chǎn)線(xiàn)最大加工尺寸(通常≤400mm×400mm)。
2.9公差與工藝邊
外形尺寸公差 ±0.1mm,孔位公差 ±0.05mm,滿(mǎn)足精密組裝需求。
工藝邊需預(yù)留定位孔(直徑≥3mm)與 MARK 點(diǎn),便于貼片機(jī)定位。
2.10元件限高設(shè)計(jì)
針對(duì)有高度限制的區(qū)域(如外殼內(nèi)腔、插槽上方),布局時(shí)嚴(yán)格控制元件高度(如連接器、電解電容等),使用 PCB 工具 3D 預(yù)覽功能驗(yàn)證,確保元件高度≤限高值,避免裝配后外殼無(wú)法閉合或接口干涉。
3.SI(信號(hào)完整性)相關(guān)
3.1走線(xiàn)規(guī)則
高速信號(hào)(如時(shí)鐘、差分對(duì))線(xiàn)寬需≥5mil(0.127mm),線(xiàn)間距≥3W(W 為線(xiàn)寬),減少串?dāng)_。
走線(xiàn)長(zhǎng)度盡量短,避免 90° 直角,優(yōu)先使用 45° 角或圓弧過(guò)渡,降低反射與 EMI。
高速信號(hào)轉(zhuǎn)角處采用弧形走線(xiàn)(彎曲半徑≥3W),避免直角反射;板邊高速信號(hào)附近均勻分布地孔(間距≤50mil),形成回流路徑,抑制邊緣輻射。
3.2阻抗控制
單端信號(hào)線(xiàn)阻抗控制為 50Ω±10%,差分對(duì)阻抗 100Ω±10%,通過(guò)疊層仿真(如 Polar SI9000)驗(yàn)證。
阻抗匹配區(qū)域需連續(xù),避免突變(如線(xiàn)寬 / 層厚變化),防止信號(hào)反射。
3.3層疊設(shè)計(jì)
電源層與地層相鄰,形成低阻抗平面,減少電源噪聲對(duì)信號(hào)的影響(參考第四章電源完整性)。
高速信號(hào)層需緊鄰地層,確保參考平面完整,避免跨分割;信號(hào)換層后檢查參考平面連續(xù)性,換層過(guò)孔靠近信號(hào)過(guò)孔,維持回流路徑短捷。
3.4時(shí)鐘信號(hào)處理
時(shí)鐘線(xiàn)長(zhǎng)度控制在最短路徑,避免與其他信號(hào)線(xiàn)平行走線(xiàn)超過(guò) 20mm。
時(shí)鐘差分對(duì)需等長(zhǎng)(誤差≤5mil),間距≤30mil,包地并單點(diǎn)接地。
3.5差分對(duì)設(shè)計(jì)
差分對(duì)需保持等長(zhǎng)(誤差≤10mil),間距均勻(如 10mil),避免過(guò)孔或拐點(diǎn)引入相位差。
差分對(duì)避免跨平面分割,若不可避免需添加回流地過(guò)孔補(bǔ)償。
借助 PCB 設(shè)計(jì)工具(如 Cadence Allegro 約束管理器)設(shè)定等長(zhǎng)規(guī)則,布線(xiàn)后通過(guò) DRC 檢查等長(zhǎng)誤差,確保滿(mǎn)足時(shí)序要求。
3.6過(guò)孔處理
過(guò)孔直徑≤12mil,焊盤(pán)直徑≥24mil,防止阻抗突變。
高速信號(hào)過(guò)孔需背鉆(Backdrill)去除多余殘樁,減少寄生電感。
3.7串?dāng)_控制
敏感信號(hào)(如復(fù)位、中斷)與高速信號(hào)間距≥100mil,或采用屏蔽地線(xiàn)隔離。
多層板中,相鄰層信號(hào)線(xiàn)走線(xiàn)方向正交,降低層間串?dāng)_。
排查高速信號(hào)相鄰層是否存在電源干擾源(如整板輸入電源大電流路徑),若無(wú)法避免,增加屏蔽層或調(diào)整走線(xiàn)間距(≥3W),降低耦合干擾。
明確電感下方及附近(半徑 5mm 內(nèi))禁止高速信號(hào)線(xiàn)穿越,通過(guò)布局 DRC 規(guī)則約束,避免電感磁場(chǎng)對(duì)高速信號(hào)的耦合干擾,從布局源頭降低串?dāng)_風(fēng)險(xiǎn)。
3.10 測(cè)試點(diǎn)設(shè)計(jì)
關(guān)鍵信號(hào)(如時(shí)鐘、差分對(duì))需預(yù)留測(cè)試焊盤(pán),位置靠近連接器或板邊,便于測(cè)量。
測(cè)試點(diǎn)間距≥1mm,避免探針短路,焊盤(pán)尺寸≥0.8mm×0.8mm。
4.電源完整性相關(guān)
4.1電源層與地層設(shè)計(jì)
電源層與地層需相鄰且對(duì)稱(chēng)分布,銅箔厚度≥1.5oz,降低電源阻抗(參考第三章層疊結(jié)構(gòu))。
電源層與地層間介質(zhì)厚度≤0.1mm,形成低阻抗電容,抑制高頻噪聲。
4.2去耦電容布局
每個(gè) IC 電源引腳旁需放置 0.1μF 陶瓷電容(距引腳≤5mm),高頻噪聲通過(guò)低 ESL 路徑回流。
大容值電容(如 10μF)與小容值電容(如 0.1μF)按 “遠(yuǎn) - 近” 原則分布,覆蓋寬頻噪聲。
4.3電源分割與隔離
不同電壓域電源層需用隔離槽(寬度≥20mil)分割,避免相互干擾。
分割處需通過(guò) 0Ω 電阻或磁珠連接,確保單點(diǎn)接地。
4.4電流路徑優(yōu)化
大電流路徑(如主電源輸入)銅箔寬度≥1mm,過(guò)孔數(shù)量≥4 個(gè),降低 IR 壓降。
開(kāi)關(guān)電源輸出端需加濾波電感(如共模電感),抑制高頻紋波。
4.5電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)設(shè)計(jì)
VRM 輸入 / 輸出端需預(yù)留足夠空間,避免散熱不良導(dǎo)致效率下降(參考第二章散熱設(shè)計(jì))。
VRM 反饋環(huán)路走線(xiàn)需遠(yuǎn)離噪聲源,避免自激振蕩。
4.6電源濾波網(wǎng)絡(luò)
電源入口處需并聯(lián) 10μF 電解電容 + 0.1μF 陶瓷電容,濾除低頻紋波與高頻噪聲。
敏感模擬電路電源需單獨(dú)加 RC 濾波(如 R=10Ω,C=1μF),隔離數(shù)字噪聲。
4.7電源平面完整性
電源平面上禁止布置信號(hào)線(xiàn),避免電流環(huán)路耦合噪聲。
平面開(kāi)槽寬度≥30mil,開(kāi)槽方向與電流流向垂直,減少電感。
4.8測(cè)試點(diǎn)與監(jiān)控
關(guān)鍵電源節(jié)點(diǎn)(如主電源、內(nèi)核電源)需預(yù)留測(cè)試焊盤(pán),位置靠近連接器或板邊。
監(jiān)控點(diǎn)(如電壓檢測(cè)引腳)走線(xiàn)需屏蔽,避免引入干擾。
4.9瞬態(tài)響應(yīng)控制
大負(fù)載切換路徑需加粗銅箔(≥1.5mm),并增加儲(chǔ)能電容(如鉭電容),減少電壓跌落。
同步開(kāi)關(guān)噪聲(SSN)敏感電路需遠(yuǎn)離電源入口,通過(guò)局部去耦電容緩解沖擊。
4.10時(shí)序與電源協(xié)同
時(shí)鐘信號(hào)與電源網(wǎng)絡(luò)保持≥100mil 間距,避免電源噪聲調(diào)制時(shí)鐘相位。
多電源域上電時(shí)序需通過(guò) RC 電路或 PMIC 控制,防止邏輯沖突。
5.EMC相關(guān)
5.1輻射發(fā)射控制
高速信號(hào)(如時(shí)鐘、差分對(duì))走線(xiàn)長(zhǎng)度≤1/20λ(λ 為信號(hào)波長(zhǎng)),超過(guò)時(shí)需包地或屏蔽。
信號(hào)環(huán)路面積需最小化(如差分對(duì)間距≤10mil),減少輻射天線(xiàn)效應(yīng)(參考第三章 SI 設(shè)計(jì))。
5.2傳導(dǎo)發(fā)射控制
電源輸入端口需加共模電感(如 1mH)與 X/Y 電容(X 電容≥0.1μF,Y 電容≥1nF),抑制傳導(dǎo)噪聲。
開(kāi)關(guān)電源功率環(huán)路需緊湊,銅箔寬度≥2mm,降低寄生電感。
5.3屏蔽與隔離
屏蔽罩需連續(xù)覆蓋敏感電路(如 RF 模塊),接縫處用導(dǎo)電膠密封,避免縫隙輻射(參考第二章結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì))。
數(shù)字地與模擬地需單點(diǎn)連接,通過(guò) 0Ω 電阻或磁珠隔離噪聲耦合。
5.4濾波設(shè)計(jì)
連接器引腳需并聯(lián)濾波電容(如 100pF)到地,濾除高頻共模噪聲。
晶體振蕩器周?chē)桎併~并開(kāi)密集過(guò)孔到地,形成局部屏蔽。
防護(hù)器件(如 TVS 管、ESD 抑制器)需靠近接口放置(如連接器引腳旁),確保干擾信號(hào)在進(jìn)入主板前被濾除,縮短干擾路徑。
5.5接地策略
接地層需完整,避免分割,接地過(guò)孔間距≤50mil,降低接地阻抗。
多層板采用 “電源層 - 地層” 交替疊層,減少跨層噪聲耦合(參考第三章層疊設(shè)計(jì))。
板邊高速信號(hào)附近需均勻分布地孔,形成低阻抗回流路徑,抑制邊緣輻射噪聲,地孔間距≤50mil。
5.6布局策略
高頻元件(如晶振、MOS 管)需靠近連接器或板邊,縮短輻射路徑。
敏感模擬電路與數(shù)字電路保持≥20mm 距離,或用接地銅墻隔離。
內(nèi)電層、表層走線(xiàn)需內(nèi)縮,避免走線(xiàn)靠近板邊邊緣(距板邊≥2mm),減少邊緣輻射;高速信號(hào)走線(xiàn)需約束在指定區(qū)域,避免隨意跨層或擴(kuò)散,降低 EMI 風(fēng)險(xiǎn)。
5.7層疊與阻抗
信號(hào)層與地層相鄰,參考平面完整,阻抗控制(如單端 50Ω)減少反射輻射(參考第三章 SI 設(shè)計(jì))。
電源層與地層間距≤0.1mm,形成低阻抗平面,抑制高頻噪聲。
5.8連接器處理
屏蔽連接器(如 USB 3.0)外殼需與 PCB 接地層焊接,接觸點(diǎn)≥4 個(gè),確保屏蔽連續(xù)性。
連接器濾波電容需貼近引腳放置(≤3mm),形成最短回流路徑。
5.9測(cè)試與驗(yàn)證
預(yù)留 EMI 測(cè)試點(diǎn)(如電源輸入、時(shí)鐘線(xiàn)),位置避開(kāi)屏蔽罩,便于頻譜儀測(cè)量。
采用近場(chǎng)探頭(如 Loop Probe)掃描 PCB 表面,定位輻射熱點(diǎn)并優(yōu)化。
5.10特殊場(chǎng)景處理
高速差分線(xiàn)需包地并單點(diǎn)接地,包地銅箔寬度≥10mil,避免共模輻射。
高壓電路(如 AC-DC 模塊)需與低壓電路保持≥5mm 距離,爬電距離符合安規(guī)要求。
6.DFM相關(guān)
6.1焊盤(pán)設(shè)計(jì)規(guī)則
SMD 焊盤(pán)尺寸需符合 IPC 標(biāo)準(zhǔn)(如 0402 元件焊盤(pán)寬度≥0.5mm,長(zhǎng)度≥0.6mm),確保焊錫量充足。
引腳間距≤0.5mm 的 QFP 焊盤(pán)需設(shè)計(jì)防焊橋(≥0.1mm),避免短路。
過(guò)孔與焊盤(pán)間距≥0.3mm,防止焊接時(shí)錫膏流入過(guò)孔。
6.2絲印與標(biāo)識(shí)要求
絲印字符高度≥1mm,寬度≥0.2mm,避免生產(chǎn)時(shí)誤讀。
極性元件(如電容、二極管)絲印需包含極性標(biāo)識(shí),且標(biāo)識(shí)與元件本體對(duì)齊。
板名,版本號(hào),硬十logo等絲印字跡清晰,且不得覆蓋焊盤(pán)、測(cè)試點(diǎn)或散熱孔,防止影響焊接或散熱。
6.3元件間距與布局
相鄰 SMD 元件焊盤(pán)間距≥0.5mm,THT 元件引腳間距≥2.54mm(100mil),避免焊接短路。
波峰焊元件需與板邊保持≥5mm 距離,防止焊料溢出。
連接器引腳需垂直于板邊,便于自動(dòng)化插裝。
6.4工藝邊與定位孔
工藝邊寬度≥5mm,用于貼片機(jī)夾持,邊緣無(wú)元件或焊盤(pán)。
定位孔直徑≥3mm,位置對(duì)稱(chēng)分布(如板角對(duì)角線(xiàn)處),孔邊距板邊≥3mm。
6.5拼板設(shè)計(jì)
拼板采用 V-CUT 連接時(shí),槽寬≥0.3mm,深度≤板厚的 1/3,分板后毛刺≤0.1mm。
拼板尺寸≤400mm×400mm,滿(mǎn)足 SMT 設(shè)備最大加工范圍。
MARK 點(diǎn)需位于拼板對(duì)角,直徑≥1mm,周?chē)?5mm 內(nèi)無(wú)遮擋。
6.6過(guò)孔與測(cè)試點(diǎn)
過(guò)孔阻焊需覆蓋(蓋油),防止焊錫短路。
測(cè)試點(diǎn)直徑≥0.8mm,間距≥1.5mm,便于探針接觸。
高壓區(qū)域(如 AC 輸入)過(guò)孔需增加焊盤(pán)直徑(≥2mm),滿(mǎn)足爬電距離要求。
6.7BGA 布局優(yōu)化
BGA 焊盤(pán)直徑≥0.5mm,間距≥0.8mm,滿(mǎn)足錫球焊接要求。
BGA 下方過(guò)孔需設(shè)計(jì)為盲孔 / 埋孔,或使用盤(pán)中孔(NPTH),避免焊盤(pán)損傷。
BGA 周?chē)桀A(yù)留≥1mm 環(huán)形工藝邊,便于返修。
6.8阻焊與字符處理
阻焊開(kāi)窗尺寸比焊盤(pán)大≥0.05mm,確保焊盤(pán)完全裸露。
字符與阻焊層間距≥0.1mm,避免油墨污染焊盤(pán)。
接地銅箔需開(kāi)網(wǎng)格(間距≤2mm),防止阻焊起泡。
絲印布局需合理,生產(chǎn)前檢查絲印是否壓焊盤(pán)、遮擋測(cè)試點(diǎn),確保符合 6.2 節(jié)絲印設(shè)計(jì)規(guī)則。
6.9特殊工藝要求
埋盲孔板需明確標(biāo)注層對(duì)關(guān)系,孔徑≤0.2mm 時(shí)需與廠(chǎng)商確認(rèn)能力。
厚銅箔(≥3oz)需增加預(yù)鍍銅工藝,避免蝕刻不均。
沉金板需控制金厚≤0.05μm,防止焊接不良。
6.10生產(chǎn)文檔規(guī)范
Gerber 文件需包含絲印層、阻焊層、鉆孔文件,格式為 RS-274X。
坐標(biāo)文件(CSV 格式)需包含元件位號(hào)、坐標(biāo)、旋轉(zhuǎn)角度,與 BOM 表對(duì)應(yīng)。
特殊工藝說(shuō)明(如混裝工藝、散熱片涂膠)需在生產(chǎn)指示中明確標(biāo)注。
7.DFT相關(guān)
7.1測(cè)試點(diǎn)設(shè)計(jì)
關(guān)鍵信號(hào)(如時(shí)鐘、復(fù)位、總線(xiàn))需預(yù)留測(cè)試焊盤(pán),直徑≥0.8mm,間距≥1.5mm,便于探針接觸(參考第六章 DFM 焊盤(pán)規(guī)則)。
測(cè)試點(diǎn)位置需避開(kāi)屏蔽罩、散熱器等障礙物,距離板邊≥5mm,確保探針可達(dá)。
7.2邊界掃描(JTAG)設(shè)計(jì)
支持 IEEE 1149.1 標(biāo)準(zhǔn),JTAG 接口需包含 TCK、TMS、TDI、TDO、TRST 引腳,通過(guò) 2×5 排針引出。
JTAG 鏈需覆蓋所有可編程器件(如 FPGA、MCU),長(zhǎng)度≤16 個(gè)器件,避免過(guò)長(zhǎng)導(dǎo)致時(shí)序問(wèn)題。
7.3在線(xiàn)測(cè)試(ICT)支持
每 10cm² 面積內(nèi)至少設(shè)置 4 個(gè) ICT 定位點(diǎn)(直徑≥1mm),位置對(duì)稱(chēng)分布,便于探針定位。
測(cè)試點(diǎn)需與 PCB 表面垂直,高度差≤0.1mm,確保探針接觸可靠。
7.4可訪(fǎng)問(wèn)性?xún)?yōu)化
測(cè)試點(diǎn)需位于同一平面,避免多層板通孔測(cè)試,減少測(cè)試成本。
BGA 下方信號(hào)需通過(guò)過(guò)孔引出至表層測(cè)試點(diǎn),過(guò)孔直徑≤0.3mm,焊盤(pán)直徑≥0.8mm。
7.5測(cè)試向量生成
使用 ATE(自動(dòng)測(cè)試設(shè)備)生成測(cè)試向量,覆蓋電源、時(shí)鐘、復(fù)位等關(guān)鍵信號(hào)。
測(cè)試向量需包含開(kāi)路、短路、功能驗(yàn)證等場(chǎng)景,故障覆蓋率≥95%。
7.6故障診斷支持
設(shè)計(jì)內(nèi)置自測(cè)試(BIST)電路,用于芯片級(jí)功能驗(yàn)證,如 SRAM、ADC 的自測(cè)模塊。
關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)需添加狀態(tài)指示燈(如 LED),實(shí)時(shí)反饋工作狀態(tài)。
7.7測(cè)試模式控制
通過(guò)跳線(xiàn)或寄存器設(shè)置測(cè)試模式,避免正常工作時(shí)誤觸發(fā)測(cè)試功能。
測(cè)試模式需與量產(chǎn)模式隔離,防止測(cè)試數(shù)據(jù)干擾系統(tǒng)運(yùn)行。
7.8測(cè)試文檔規(guī)范
提供測(cè)試點(diǎn)位置圖(Gerber 格式)、測(cè)試向量文件(如 STIL 格式)及測(cè)試步驟說(shuō)明。
BOM 表需標(biāo)注可測(cè)試元件(如 JTAG 接口型號(hào)),便于測(cè)試設(shè)備配置。
7.9特殊場(chǎng)景處理
高頻信號(hào)測(cè)試點(diǎn)需串聯(lián) 100Ω 電阻(如 0402 封裝),防止測(cè)試設(shè)備引入負(fù)載效應(yīng)。
敏感模擬電路測(cè)試點(diǎn)需添加保護(hù)二極管(如 TVS 管),避免靜電損傷。
7.10與 DFM 協(xié)同設(shè)計(jì)
測(cè)試點(diǎn)布局需與 SMT 鋼網(wǎng)開(kāi)口協(xié)調(diào),避免錫膏覆蓋測(cè)試焊盤(pán)。
拼板分板處需預(yù)留測(cè)試點(diǎn),確保單板分板后仍可獨(dú)立測(cè)試。

來(lái)源:硬十