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芯片Test escape（測(cè)試逃逸）是指在測(cè)試階段未能有效攔截存在缺陷的芯片，導(dǎo)致其流入市場(chǎng)并引發(fā)故障。

Test escape常見(jiàn)的失效原因

1、測(cè)試程序或配置錯(cuò)誤

測(cè)試文件或機(jī)臺(tái)參數(shù)設(shè)置錯(cuò)誤（如BIN分類錯(cuò)誤），導(dǎo)致不良品被誤判為良品。例如，某案例中晶圓廠因測(cè)試文件變更時(shí)編輯錯(cuò)誤，將BIN11（不良品）歸入BIN1（良品）。

2、測(cè)試覆蓋率不足

未覆蓋關(guān)鍵功能或極端條件（如低溫、高溫、高壓等），導(dǎo)致潛在缺陷未被觸發(fā)；或未覆蓋應(yīng)用場(chǎng)景，導(dǎo)致參數(shù)漂移樣品未被檢出。

典型案例分析

故障背景收集：

風(fēng)扇在整機(jī)生產(chǎn)測(cè)試測(cè)試中，在整機(jī)低溫測(cè)試時(shí)多臺(tái)風(fēng)扇不工作，常溫可恢復(fù)正常；進(jìn)一步定位確認(rèn)為風(fēng)扇板上的霍爾芯片低溫不工作。

霍爾芯片具體分析過(guò)程：

1）芯片原廠初始分析結(jié)論：芯片EOS失效，懷疑為ESD導(dǎo)致；并通過(guò)故障復(fù)現(xiàn)回復(fù)說(shuō)可以復(fù)現(xiàn)一樣的故障現(xiàn)象。

2）內(nèi)部實(shí)驗(yàn)室分析：原廠分析的結(jié)果與整機(jī)故障表現(xiàn)不符，且內(nèi)部實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行IV測(cè)試和開(kāi)蓋均未見(jiàn)明顯的異常；同時(shí)，對(duì)單體進(jìn)行bench測(cè)試，確認(rèn)在低溫時(shí)霍爾芯片參數(shù)會(huì)劣化；對(duì)霍爾芯片進(jìn)行動(dòng)態(tài)熱點(diǎn)定位，未發(fā)現(xiàn)明顯異常的熱點(diǎn)。

綜合上述的分析，推測(cè)失效根因——霍爾芯片test escape，參數(shù)臨界的霍爾芯片未測(cè)試攔截逃逸出來(lái)到終端客戶手上。

3）芯片原廠二次分析結(jié)論：故障芯片為test escape，根因?yàn)橄掳l(fā)給晶圓廠的測(cè)試文件要求錯(cuò)誤，導(dǎo)致某個(gè)不良的bin混入到良品。

根因確認(rèn)：CP測(cè)試機(jī)臺(tái)變更，下發(fā)變更單時(shí)編輯錯(cuò)誤，BIN11的不良品被歸到BIN1的良品中。

調(diào)查生產(chǎn)記錄，從變更后BIN11數(shù)量為0，確認(rèn)根因。