中文字幕一级黄色A级片|免费特级毛片。性欧美日本|偷拍亚洲欧美1级片|成人黄色中文小说网|A级片视频在线观看|老司机网址在线观看|免费一级无码激情黄所|欧美三级片区精品网站999|日韩av超碰日本青青草成人|一区二区亚洲AV婷婷

Silicon wafer 被注入高速、高能量的雜質(zhì)時(shí)，硅晶體結(jié)構(gòu)將會(huì)遭受破壞，形成非晶質(zhì)化。非晶質(zhì)化會(huì)降低電子和空穴的移動(dòng)度，導(dǎo)致器件性能下降。此外，注入的雜質(zhì)原子會(huì)跑到晶格的間隙里，無法正常發(fā)揮作用去改變硅的導(dǎo)電性（無法成為摻雜劑）。

為了修復(fù)這種損壞，我們可以通過加熱 wafer 來提高硅的結(jié)晶性，這個(gè)過程就叫做“熱處理（退火）工程”。特別是針對離子注入后的修復(fù)，專門有個(gè)名字叫“恢復(fù)熱處理”。

退火過程可以修復(fù)晶格缺陷、激活摻雜劑、改變薄膜特性，并形成金屬硅化物。具體來說，退火的原理包括：

晶格缺陷修復(fù)：通過加熱使原子重新排列，消除晶格中的缺陷，提高材料的結(jié)晶質(zhì)量。 

雜質(zhì)擴(kuò)散：在高溫下，摻雜劑能夠更好地?cái)U(kuò)散到半導(dǎo)體材料中，增強(qiáng)其電導(dǎo)性。 

應(yīng)力消除：退火可以消除、減小材料內(nèi)部的應(yīng)力，提高器件的穩(wěn)定性和可靠性。 

常見的退火方式包括熱退火、光退火和激光退火等。 后面有時(shí)間介紹不同退火方式的區(qū)別。

Reference:

1.Semiconductor Devices: Physics and Technology.

2.Introduction to SemiconductorManufacturing Technology.