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在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）中需要電容器主要有以下原因：

數(shù)據(jù)存儲(chǔ) ：DRAM 是一種易失性存儲(chǔ)器，其核心存儲(chǔ)單元是電容器。電容器能夠存儲(chǔ)電荷，當(dāng)電容器充滿電時(shí)，代表存儲(chǔ)了二進(jìn)制的 “1”，而當(dāng)電容器放電時(shí)，則代表存儲(chǔ)了二進(jìn)制的 “0”。通過檢測電容器是否帶電，就可以讀取存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

信號保持與刷新 ：電容器可以暫時(shí)保持其電荷狀態(tài)，但由于存在泄漏電流，電荷會(huì)逐漸減少，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。因此，需要定期對電容器進(jìn)行刷新操作，以維持正確的數(shù)據(jù)狀態(tài)。刷新過程就是重新向電容器充電到相應(yīng)的電平，確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性的。

讀取和寫入操作：電容器使得讀取和寫入操作能夠快速完成。當(dāng)讀取一個(gè)單元時(shí)，電容器中的電荷會(huì)被檢測到，從而獲取數(shù)據(jù)。當(dāng)寫入數(shù)據(jù)時(shí)，電容器的電荷會(huì)被修改以表示所需的值。

實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ) ：電容器的結(jié)構(gòu)相對簡單，占用的芯片面積較小，這使得在有限的芯片空間內(nèi)可以集成大量的存儲(chǔ)單元，從而實(shí)現(xiàn)較高的存儲(chǔ)密度。與靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）等其他類型的存儲(chǔ)器相比，DRAM 的每個(gè)存儲(chǔ)單元只需要一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管，因此能夠在相同的芯片面積上提供更大的存儲(chǔ)容量。

Reference:

1.Why do we need a capacitor in DRAM?

2.Skhynix.