中文字幕一级黄色A级片|免费特级毛片。性欧美日本|偷拍亚洲欧美1级片|成人黄色中文小说网|A级片视频在线观看|老司机网址在线观看|免费一级无码激情黄所|欧美三级片区精品网站999|日韩av超碰日本青青草成人|一区二区亚洲AV婷婷

一個(gè)典型的 DRAM 芯片通常包含三個(gè)主要區(qū)域：

Cell Array，各個(gè) bit 信息存儲(chǔ)在微小的電容器中；

Logic or Core Area，其中如感應(yīng)放大器（sense amplifier），解碼器（decoder）等電路有助于確定如何從單元陣列中讀取數(shù)據(jù)；

Periphery 外圍部分，構(gòu)成了與 DRAM 芯片內(nèi)部和外部進(jìn)行通信的連接線路。外圍電路主要由高速 Logic device 以及連接 DRAM 各部分的線路組成。確保向該電路傳輸?shù)男盘?hào)達(dá)到最大值對(duì)于保持 DRAM 單元中存儲(chǔ)的信息的完整性至關(guān)重要。

這三個(gè)區(qū)域都必須進(jìn)行縮放，以滿足行業(yè)不斷增長的 DRAM 性能要求。這些縮放要求包括最大限度地增加電容器中能夠存儲(chǔ)的電荷、減少 Amplifier的 variation 以及減少電路中布線造成的功率損耗。

Reference:

1.1T-1C Dynamic Random Access Memory Status, Challenges, and Prospects. 

2.applied materials.