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半導體SMT中紫外固化技術原理與關鍵作用

嘉峪檢測網(wǎng)        2025-06-22 11:23

UV curing 即紫外固化,UV是紫外線的英文縮寫,固化是指物質從低分子轉變?yōu)楦叻肿拥倪^程。UV固化一般是指需要用紫外線固化的涂料(油漆)、油墨、膠粘劑(膠水)或其它灌封密封劑的固化條件或要求,其區(qū)別于加溫固化、膠聯(lián)劑(固化劑)固化、自然固化等。

半導體SMT中紫外固化技術原理與關鍵作用

但是,UV curing 技術在半導體行業(yè)中也有重要應用。通過UV curing可以有效改變薄膜的物理和化學性質,進而優(yōu)化器件的性能。

半導體SMT中紫外固化技術原理與關鍵作用

例如,通過UV curing可以增強CESL薄膜的應力,從而提高半導體器件的性能。

半導體SMT中紫外固化技術原理與關鍵作用

Fig1. (a)without UV curing,(b)with UV curing,SiNx膜局部鍵合排列的結構模型

UV curing 的原理在于光化學反應。當 UV 光照射到特定材料時,光子的能量足以激發(fā)材料中的化學鍵,使其斷裂并形成自由基或活性中間體。這些活性中間體隨后會與其他分子發(fā)生反應,形成新的化學鍵,從而實現(xiàn)材料的交聯(lián)和固化。

半導體SMT中紫外固化技術原理與關鍵作用

在 SiNx 薄膜的 UV curing 過程中,UV 光的能量促使薄膜中的氫原子脫去(主要是 Si-H 和 N-H 鍵斷裂),進而促進 Si-N-Si 交聯(lián)(cross-linking)結構的形成。這種交聯(lián)作用會增強薄膜的機械性能,并改變其應力狀態(tài)。具體而言,UV curing 通過脫氫作用使 SiNx 薄膜結構更趨近于化學計量比的 Si?N?,從而增加薄膜的張應力(tensile stress)。這一過程不僅優(yōu)化了薄膜的力學性能,還提高了其化學穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。

為一種關鍵的后處理工藝,UV 固化通過調控脫氫和交聯(lián)程度,成為精細調控 SiNx 薄膜應力狀態(tài)的有效手段。通過精確優(yōu)化 UV 輻照的強度、時間和波長等參數(shù),可以實現(xiàn)對 SiNx 薄膜應力的精細調控。

 

Summary:

UV 光給 SiNx 薄膜能量

能量拆掉多余的氫原子(脫氫,dehydrogenization)

拆掉后,硅和氮原子連接得更緊密、更結實(形成 Si-N-Si cross-linking)

優(yōu)化了薄膜的力學性能,還提高了其化學穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性

增加薄膜的張應力(tensile stress)

通過調節(jié) UV 光的強度、時間和波長,可以精細控制應力大小

 

Reference:

1.Study of Strain Induction for Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors using Transparent Dummy Gates and Stress Liner.

2.Modeling the stress enhancement of plasma enhanced chemical vapor deposited silicon nitride films by UV post treatment – impact of the film density.

3.Effects of mechanical stress on the performance of metaloxidesemiconductor transistors.

 

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來源:十二芯座

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