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故障現(xiàn)象確認： 電路板上出現(xiàn)3.3V電源對地短路故障。通過在板熱點定位技術，確認故障源為CPLD芯片失效。

拆解后阻抗測試： 將失效CPLD芯片解焊取下后，對其電源引腳進行對地阻抗測量：

短路確認： VCC（核心電源）、VCCIO0 和 VCCIO1（I/O Bank 0 & 1 電源）引腳均呈現(xiàn)對地短路狀態(tài)。

阻抗正常： VCCIO2、VCCIO3、VCCIO4 和VCCIO5（I/O Bank 2, 3, 4 & 5 電源）引腳對地阻抗測量結果正常。

單體熱點測試：對取下的故障芯片單獨進行熱點定位測試。

當對 VCCIO1 引腳加電時，觀察到的熱點分布形貌，與對 VCCIO0 引腳加電時觀察到的形貌一致。更重要的是，上述 VCCIO0 和 VCCIO1 加電產生的熱點形貌，與故障發(fā)生時整機（電路板）上電時的熱點形貌完全吻合。

當對 VCC（核心電源）引腳單獨加電時，產生的熱點形貌（表現(xiàn)為基板走線發(fā)熱）與整機上電時的熱點形貌不一致。

聲學掃描 (CSAM)：對故障芯片進行超聲掃描檢查，發(fā)現(xiàn)Bank1 區(qū)域存在大面積的分層現(xiàn)象。該分層區(qū)域的位置與單體測試和整機測試中觀察到的異常熱點位置高度匹配。

開蓋與內部檢查：對芯片進行化學開蓋后實施內部目檢。觀察發(fā)現(xiàn)，在Bank0 和 Bank1 區(qū)域（即對應 VCCIO0 和 VCCIO1 的 I/O 區(qū)域）的熱點位置，存在明顯的電性過應力燒毀形貌（如熔融、碳化等）。這些物理損傷的位置精確對應于之前熱點定位和聲掃發(fā)現(xiàn)的異常區(qū)域。

結論與建議：

綜合分析確認，CPLD 芯片的 Bank0 和 Bank1 I/O 區(qū)域發(fā)生了嚴重的過電擊穿，導致VCCIO0、VCCIO1 及核心 VCC 對地短路。

由于燒毀區(qū)域損毀嚴重，僅憑現(xiàn)有形貌無法明確判斷擊穿的根本誘因是源于 VCCIO 電源網(wǎng)絡本身的問題，還是由連接至 Bank0/Bank1 的某個 I/O 端口引入的異常信號/電壓所致。

注：本案分析只定位到故障現(xiàn)象，因為是零星問題，故沒有進一步深入分析找根因。

如需進一步精確定位根因： 建議針對 Bank0 區(qū)域的失效相關管腳進行 P-lapping（精密剖面研磨） 分析。通過此方法可以精確暴露并確定具體失效管腳的定義，進而追蹤其連接線路，為最終查明失效的根本原因（如外部過壓注入、ESD 事件、內部缺陷等）提供關鍵證據(jù)。