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一、產(chǎn)品概述

該產(chǎn)品為全金屬結(jié)構(gòu)，內(nèi)分為兩個(gè)腔體，其中一腔體需要做成完全封閉式腔體，腔體內(nèi)為主控芯片板和一些主要功能部件，另一腔體內(nèi)為連接外部設(shè)備的轉(zhuǎn)接小板，小板僅有兩個(gè)接口：DC5V 外接電源接口和數(shù)據(jù)傳輸?shù)腢SB 接口。經(jīng)過輻射測(cè)試發(fā)現(xiàn)有24MHz 倍頻雜訊輻射問題。

 二、整改分析

（一）電路分析

此產(chǎn)品整個(gè)電路中，有一個(gè)典型的時(shí)鐘晶振電路；其工作頻率就是24MHz,經(jīng)分析發(fā)現(xiàn)其主要的干擾源就是該晶振。

（二） 數(shù)據(jù)分析

從測(cè)試數(shù)據(jù)的結(jié)果來看，超標(biāo)頻點(diǎn)全都是 24MHz的倍頻，干擾能量主要是晶振頻點(diǎn)的倍頻，且能量很高，超標(biāo)點(diǎn)比較多。要解決問題需要，從晶振電路的輻 射路徑進(jìn)行 EMC控制。

（三） 干擾分析

該產(chǎn)品外殼結(jié)構(gòu)屏蔽良好，搭接處經(jīng)過打磨、導(dǎo)電泡棉處理，但是測(cè)試超標(biāo)點(diǎn) 改善有限，整機(jī)測(cè)試只有電源線和 USB 線引出箱體，懷疑 干擾頻點(diǎn)是由電源線和 USB 線輻射出來的，故分別作了一下幾步測(cè)試：

1、僅在電源線上加磁環(huán)，測(cè)試結(jié)果：改善不明顯；

2、僅在 USB 線上加磁環(huán)，測(cè)試結(jié)果：改善仍然不明顯； 

3、在 USB 線和電源都加磁環(huán)，測(cè)試結(jié)果：改善較明顯干擾頻點(diǎn)整體有所下降。

從上可得，干擾頻點(diǎn)是兩個(gè)接口帶出來的，并非電源接口或USB接口的問 題，而是內(nèi)部干擾頻點(diǎn) 耦合到這兩個(gè)接口所導(dǎo)致的，僅屏蔽某一不能解決問題。

經(jīng)過近場(chǎng)量測(cè)發(fā)現(xiàn)，干擾頻點(diǎn)來自封閉腔體內(nèi)，雜訊通接口轉(zhuǎn)接小板與封閉腔體 內(nèi)主板相連的 USB 排線和制冷片電源耦合出來，導(dǎo)致整個(gè)轉(zhuǎn)接小板上到處都有干  擾頻點(diǎn)雜訊。尤其是制冷片電源線耦合的最嚴(yán)重，通過觀察發(fā)現(xiàn)主板上有一 24MHz晶振下方正好是制冷片的電源線，且電源比較長(zhǎng)，而 USB 線距離晶振稍遠(yuǎn) 一些，且比較短。

三、整改對(duì)策

1、制冷片電 源線要短一些，且使用銅箔將腔體內(nèi)制冷片電包覆起來并與金屬 體相連接地。

2、USB 排線也需要進(jìn)行屏蔽接地處理； US B接口金屬外殼需要與樣機(jī)的相連， 建議再 USB 金屬接口上設(shè)計(jì)彈片。 

3、在制冷片正負(fù)電源線與轉(zhuǎn)接小板相連處各加一多孔珠進(jìn)行濾波理。

外接的 USB 線屏蔽效果需要良好。（一般的屏蔽效果好的USB線要求，外層屏蔽編織網(wǎng)的編織率到達(dá) 85% 以 上，且編織網(wǎng)兩端要進(jìn)行較好的接地處理。）

四：案例總結(jié)

經(jīng)過相應(yīng)的整改 和改版設(shè)計(jì)，產(chǎn)品最終測(cè)試數(shù)據(jù)如下：

結(jié)案小結(jié) ：

晶振時(shí)鐘頻率高，干擾諧波能量強(qiáng)； 諧波 干擾 除了從其輸入與出傳導(dǎo)來，還會(huì)從空間輻射出來，若有未屏蔽的 還會(huì)從空間輻射出來，若有未屏蔽的 還會(huì)從空間輻射出來，若有未屏蔽的 還會(huì)從空間輻射出來，若有未屏蔽的  其他信號(hào) 傳輸線在 晶振電路 附近 經(jīng)過，就會(huì)使 干擾能量耦合到傳輸線上，直接由 傳輸線帶出來。

對(duì)于這類從空間耦合所導(dǎo)致 傳輸線帶出干擾問題 ，最好的方式就是找到輻射源頭和輻射的路徑，再通過結(jié)構(gòu) 屏蔽和電路濾波解決問題。