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1、漏源擊穿電壓與結(jié)溫的關(guān)系：Vds是隨溫度變化而變化的，溫度越低，擊穿電壓越低，在極端低溫環(huán)境下應(yīng)用時(shí)，一定要留裕量。這個(gè)參數(shù)，datasheet的正文中標(biāo)注的是25℃時(shí)的數(shù)據(jù)，不同溫度下的擊穿電壓值需要看 特性曲線。英飛凌某80V耐壓的NMOS:

揚(yáng)杰某100V耐壓的NMOS:說明：標(biāo)準(zhǔn)方法與英飛凌稍有不同，英飛凌標(biāo)注的是不同結(jié)溫下的絕對(duì)值，揚(yáng)杰標(biāo)注的是相對(duì)值（相對(duì)25℃）舉例：-50℃時(shí)， 100V*0.95=95V。

2、源極開啟電壓與結(jié)溫的關(guān)系：結(jié)溫越高，開啟電壓電壓越低，所以在高結(jié)溫的應(yīng)用環(huán)境下，一定要注意注意是否存在誤開啟的問題（驅(qū)動(dòng)因素、分布參數(shù)因素等等）英飛凌某80V耐壓的NMOS:

揚(yáng)杰某100V耐壓的NMOS:說明：標(biāo)準(zhǔn)方法與英飛凌稍有不同，英飛凌標(biāo)注的是不同結(jié)溫下的絕對(duì)值，揚(yáng)杰標(biāo)注的是相對(duì)值（相對(duì)25℃）

2、柵源電壓與結(jié)溫及漏極電流的關(guān)系：其是非單調(diào)的。英飛凌某80V耐壓的NMOS:

揚(yáng)杰某100V耐壓的NMOS:

真茂佳某80V的NMOS: