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案例背景

故障場景：該MOS，在ECU生產(chǎn)過程中，通電測試，該MOS均正常。在客戶生產(chǎn)過程中，通電測試，測試后出現(xiàn)異常，故障件拆件分析后，GS阻抗為70ohm。

分析過程
外觀檢查

對取板樣品外觀檢查；

發(fā)現(xiàn)#NG外觀存在刮傷、沾錫、沾污。

X-ray

為確認失效MOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)，封裝是否存在明顯缺陷，利用X-ray對其進行無損分析。

X-ray結(jié)果顯示：X-RAY顯示目標MOS管內(nèi)部未見明顯異常。

SAT利用超聲掃描對樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行觀察，檢查是否存在異常；結(jié)果顯示：未見明顯異常特征。

電性IV檢查

為確認異?，F(xiàn)象MOS管電性情況，對MOS管D-S、G-S分別上電；

測試結(jié)果顯示：#NG樣品D-S、G-S short。

Decap為確認異?，F(xiàn)象MOS管內(nèi)部是否存在異常，對MOS管進行開封取die觀察；觀察結(jié)果顯示：MOS芯片表面未發(fā)現(xiàn)異?，F(xiàn)象。

定位分析前面分析可知：芯片表面觀察未發(fā)現(xiàn)異?，F(xiàn)象，為確認樣品短路原因?qū)悠纷鰺狳c定位。觀察結(jié)果顯示：#NG終端存在熱點。

深度解析FIB對異常樣品#NG發(fā)現(xiàn)的熱點進行FIB切片分析，觀察熱點下層是否存在異常。測試結(jié)果顯示：在芯片終端發(fā)現(xiàn)crack。

綜合分析

MOS管在上板測試發(fā)現(xiàn)極間阻抗異常：（1）外觀檢查未發(fā)現(xiàn)失效的MOS管存在裂紋、破損等異常，未發(fā)現(xiàn)焊接存在開裂痕跡；（2）X-ray檢查、超聲掃描等無損分析未發(fā)現(xiàn)失效MOS管內(nèi)部明顯異常，IV測試發(fā)現(xiàn)異常品存在極間短路；（3）開封取die后，芯片表面未見明顯失效特征；（4）為確定短路異常發(fā)生位置，對異常樣品做熱點定位，發(fā)現(xiàn)終端存在熱點。（5）對熱點位置進行FIB切片，在邊緣發(fā)現(xiàn)crack，通過側(cè)面觀察發(fā)現(xiàn)側(cè)面劃片道存在開裂；

綜合分析：MOS管失效原因就是封裝劃片過程中，劃片崩裂芯片邊緣，在后續(xù)老化測試過程中加劇裂紋生長，蔓延至芯片內(nèi)部，造成極間短路