中文字幕一级黄色A级片|免费特级毛片。性欧美日本|偷拍亚洲欧美1级片|成人黄色中文小说网|A级片视频在线观看|老司机网址在线观看|免费一级无码激情黄所|欧美三级片区精品网站999|日韩av超碰日本青青草成人|一区二区亚洲AV婷婷

在芯片制造領域，Corner（工藝角）這一概念用于定量刻畫因制造工藝導致的個體間性能差異。芯片制造時，如摻雜 (doping) 濃度、擴散 (diffusion) 深度、刻蝕 (etch) 程度，退火 (anneal) 這些工藝偏差，會使不同批次芯片或同一批次的不同晶圓，甚至同一晶圓上的不同die，都會在性能上產(chǎn)生variation。"

為精準描述這些差異，業(yè)界引入了 PVT（Process，Voltage，Temperature，即工藝、電壓、溫度）概念。其中，工藝（process）維度進一步細分為不同的 Corner，也就是工藝角，典型的工藝角有TT, SS, FF, SF, FS.這里 S 代表 Slow，T 代表 Typical，F(xiàn) 代表 Fast。對我們CMOS 集成電路而言，里面包含 NMOS 和 PMOS 兩種，那么兩個字母分別對應其中一種 MOS 管，如第一個 T 代表 NMOS，那么另一個 T 就代表 PMOS，這里 TT 就代表 NMOS 和 PMOS 都是 typical。通常我們用的 corner 都是指兩個 MOS 管在相同的速度下，對于一些敏感的模擬電路，還需要 SF 或者 FS 這種 corner。典型是這五種 corner 測試，當然，也有更為嚴苛的將所有九個工藝角都測的。

正常情況下管子大部分是 TT 狀態(tài)，而以上5種 corner 在 ±3σ 可以覆蓋約99.73%的范圍。對于管子而言我們最關心的是閾值電壓 VT 和漏極電流 IDS，如果要使你的電路風險最低，那么就要有足夠的 margin，也就是說所有的 PVT 仿真都得通過，這里最主要的就是 SS 通過，SS 能通過那么一般就沒有問題。

Corner analysis 是 Monte Carlo 模擬的一種替代方法，通過綜合考慮單個器件參數(shù)變化的影響，來確定器件或電路級別的性能變化。然后，將最壞情況和最佳情況的性能變化確定為 corner。例如，當閾值電壓 VT、遷移率 μ 和氧化物電容 Cox 發(fā)生變化時，我們可以繪制 N 型金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管（NMOS）和 P 型金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管（PMOS）的速度曲線。

從工藝角度而言：針對摻雜情況，SS 的 VT 偏高，MOS 管開關速度變慢，IDS 偏小，但漏電也降低，F(xiàn)F 為 VTH偏低，MOS 管開關速度變快，IDS 偏大，但漏電也會增加。

從電壓角度而言：S/T/F 對應的 VDD 電壓可以是 1.1V-10%，1.1V，1.1V+10%，VDD 越大，MOS 管的 IDS 越大，MOS 管的速度也就越快，同時功耗也會隨之增加。

從溫度角度而言：S/T/F 分別對應 LT(低溫)/RT(常溫)/HT(高溫)，如常見的-40℃/25℃/125℃。

SS（Slow - Slow）：指 NMOS 和 PMOS 速度均偏慢。芯片工作速度最慢，電路延遲增加，如微處理器指令執(zhí)行時間變長，但因晶體管性能弱、開關動作慢，功耗相對較低。

TT（Typical - Typical）：芯片性能處于典型狀態(tài)，NMOS 和 PMOS 性能在正常模擬范圍內(nèi)。工作速度與功耗在設計預期區(qū)間，數(shù)字電路各性能指標符合規(guī)格，能穩(wěn)定工作。FF（Fast - Fast）：NMOS 和 PMOS 速度較快，因制造工藝使晶體管性能好。芯片工作速度最快、電路延遲最小，利于高頻電路，但開關速度快致瞬態(tài)電流大，功耗較高。