IR Drop和IR Droop是電子工程中兩個不同的概念，主要區(qū)別在于它們的物理機制和應用場景：
IR drop
是指電流（I）流經具有電阻（R）的導線時，根據歐姆定律（V=IR）產生的電壓降。在芯片中，這種電壓降會降低芯片內單元的供電電壓，從而可能影響芯片的時序性能，甚至導致功能故障。
應用場景：
常見于芯片設計（如電源網絡分析）和PCB設計，重點關注電源完整性。例如，芯片 中電源線的電阻會導致供電電壓在傳輸路徑上逐漸降低，可能影響晶體管的工作電壓。
Voltage droop
Voltage Droop 通常指電壓在特定條件下（如負載變化或時間變化）的下降現象。在器件層面，它可能與器件內部的電阻、電感（L?di/dt）或電容充放電（ΔQ = I×Δt）共同導致，導致在動態(tài)負載下電壓無法保持穩(wěn)定。
應用場景：
常見于電源管理、高速電路或信號完整性分析。例如，CPU負載突增時，電流需求驟變 導致電源電壓瞬間跌落（如“負載突降”）。
簡而言之，IR Drop是“靜態(tài)壓降”，而IR Droop是“動態(tài)壓降”，前者和電阻相關，后者和電阻、電容、電感相關，兩者需在不同設計階段分別優(yōu)化。
Reference:
1.Advances in W2W Hybrid and Fusion Bonding to Enable Device Inflections in Logic , Memory & Photonics
京公網安備11010802046783號
