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CPU封裝開路故障的精準(zhǔn)定位新方法

嘉峪檢測(cè)網(wǎng)        2025-12-01 21:28

在高性能計(jì)算(HPC)領(lǐng)域,CPU和GPU等核心芯片的先進(jìn)封裝(如2.5D/3D集成)帶來了前所未有的集成度,同時(shí)也使失效分析(FA)面臨巨大挑戰(zhàn)。

連續(xù)性開路(Continuity OPEN)故障,特別是隱藏在復(fù)雜的凸點(diǎn)(Bump)和RDL(重布線層)中的缺陷,往往難以被傳統(tǒng)方法快速定位。

本文基于NVIDIA芯片失效分析的一個(gè)案例,詳細(xì)展示FA工程師如何利用EOTPR(電光太赫茲脈沖反射計(jì))的“二分法搜索”策略,實(shí)現(xiàn)對(duì)CPU封裝開路失效的精準(zhǔn)、非破壞性定位,并最終確認(rèn)物理根因。 

 

一、故障提報(bào)與初步分析

問題來源:一顆在封裝質(zhì)量認(rèn)證(Package Qual)階段被提交的CPU。

失效模式:在ATE(自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備)的連續(xù)性測(cè)試中,目標(biāo)信號(hào)引腳表現(xiàn)為開路(OPEN)。

初步判斷:這種開路故障通常意味著信號(hào)路徑上的物理斷裂,可能發(fā)生在封裝基板、凸點(diǎn)或芯片接口。由于故障發(fā)生在Qual階段,懷疑與封裝工藝或環(huán)境應(yīng)力有關(guān)。

傳統(tǒng)方法的局限性:面對(duì)這種開路故障,傳統(tǒng)的故障定位(FI)方法如EMMI(光子發(fā)射顯微鏡)或Thermal(熱成像)往往束手無策。

EMMI:主要依賴于電流流過缺陷點(diǎn)產(chǎn)生的光子發(fā)射。對(duì)于完全開路的故障,電流路徑被切斷,無法產(chǎn)生有效的光子信號(hào)。

Thermal/OBIRCH:主要依賴于電流流過缺陷點(diǎn)產(chǎn)生的熱或芯片金屬走線鏈路阻抗變化。對(duì)于封裝缺陷導(dǎo)致的開路故障,無法產(chǎn)生有效的熱點(diǎn)或金屬走線阻抗變化。

因此,F(xiàn)A團(tuán)隊(duì)需要一種能夠在不依賴電流的情況下,精確測(cè)量信號(hào)路徑電學(xué)不連續(xù)性的非破壞性工具。

 

二、EOTPR介入:二分法搜索的精準(zhǔn)制導(dǎo)

NVIDIA的FA團(tuán)隊(duì)果斷引入了EOTPR(電光太赫茲脈沖反射計(jì)),利用其高分辨率TDR特性,對(duì)故障引腳進(jìn)行電學(xué)特征分析。

EOTPR的原理優(yōu)勢(shì):EOTPR通過發(fā)射太赫茲脈沖并測(cè)量其在信號(hào)路徑上的反射波形,來識(shí)別阻抗不連續(xù)點(diǎn)。

高分辨率:EOTPR的分辨率可達(dá)10微米以下,足以區(qū)分先進(jìn)封裝中不同層級(jí)(RDL、Bump、硅中介層)的微小不連續(xù)性。

脈沖響應(yīng):相比傳統(tǒng)TDR的階躍響應(yīng),EOTPR的脈沖響應(yīng)能更清晰地識(shí)別阻抗變化點(diǎn)。

實(shí)施二分法搜索(Binary Search):針對(duì)開路故障,F(xiàn)A團(tuán)隊(duì)采用了EOTPR的二分法搜索策略,以裸基板(Bare Substrate)的波形作為分離點(diǎn)。

裸基板波形:提供了封裝基板本身的電學(xué)基線。

失效單元波形:包含了故障點(diǎn)的反射特征。

CPU封裝開路故障的精準(zhǔn)定位新方法

局部放大:

CPU封裝開路故障的精準(zhǔn)定位新方法

通過對(duì)比,EOTPR波形清晰地顯示,阻抗不連續(xù)性發(fā)生在裸基板波形之后,但在硅芯片內(nèi)部電路之前。這一結(jié)果將故障區(qū)域精準(zhǔn)隔離到了芯片/封裝接口,即凸點(diǎn)(Bump)或RDL區(qū)域。

CPU封裝開路故障的精準(zhǔn)定位新方法

EOTPR的價(jià)值:這一非破壞性分析結(jié)果,避免了對(duì)整個(gè)封裝進(jìn)行破壞性分析的風(fēng)險(xiǎn),將FA工程師的注意力直接聚焦到最可疑的接口區(qū)域。

 

三、根因確認(rèn):3D Xray與物理驗(yàn)證

在EOTPR的精準(zhǔn)制導(dǎo)下,F(xiàn)A團(tuán)隊(duì)隨后進(jìn)行了PFA。最終分析確認(rèn)在die pad處存在異常。

CPU封裝開路故障的精準(zhǔn)定位新方法

結(jié)論:這一物理缺陷與EOTPR檢測(cè)到的高阻抗不連續(xù)性完美吻合,證實(shí)了開路故障的物理根源。

根因:從芯片金屬走線熔融推測(cè),芯片可能經(jīng)受了EOS,然后導(dǎo)致焊盤燒毀開路。

 

四、專業(yè)對(duì)比:EOTPR與其他故障定位技術(shù)的協(xié)同與差異

EOTPR并非要取代所有傳統(tǒng)FA工具,而是作為一種互補(bǔ)且高效的電學(xué)分析手段,尤其在處理先進(jìn)封裝中的高頻、高阻抗不連續(xù)性故障時(shí),展現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。

特性

EOTPR

Thermal 

EMMI 

OBIRCH

檢測(cè)原理

測(cè)量信號(hào)路徑的阻抗不連續(xù)性(脈沖反射)

測(cè)量熱量(電流流過缺陷產(chǎn)生的熱)

測(cè)量光子發(fā)射(PN結(jié)或晶體管的異常電流)

測(cè)量電阻變化(激光加熱引起的電阻變化)

適用故障

開短路、高阻抗不連續(xù)性、頻率敏感型故障

短路、漏電、高功耗熱點(diǎn)

漏電、ESD損傷、晶體管缺陷

短路、漏電、高阻抗接觸

對(duì)電流依賴

低(僅需脈沖注入,不依賴持續(xù)電流)

高(必須有電流產(chǎn)生熱)

高(必須有電流產(chǎn)生光子)

中(需要電流和激光加熱)

分辨率

高(<10 µm),尤其在縱向

中(取決于熱擴(kuò)散和光學(xué)系統(tǒng))

高(光學(xué)分辨率)

高(光學(xué)分辨率)

獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

非破壞性定位開路;適用于高頻信號(hào)路徑。

快速定位大電流短路。

適用于芯片內(nèi)部的微小漏電和PN結(jié)缺陷。

適用于高阻抗接觸和微小短路。

總結(jié): EOTPR在這類完全開路的故障中,提供了不可替代的非破壞性定位能力,極大地彌補(bǔ)了傳統(tǒng)熱/光子定位技術(shù)的盲區(qū),是先進(jìn)封裝FA流程中不可或缺的“外科手術(shù)刀”。

 

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來源:Top Gun 實(shí)驗(yàn)室

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