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嘉峪檢測(cè)網(wǎng) 2025-12-11 20:04
樣品類型:某型號(hào)工業(yè)級(jí)MCU芯片
樣品狀態(tài):市場(chǎng)故障品1片
分析周期:2025年12月10日-2025年12月11日
一、分析背景
本次分析針對(duì)某客戶端返回的一個(gè)MCU失效芯片。通過系統(tǒng)的失效分析定位,確認(rèn)故障點(diǎn)為芯片端口電路。
二、分析流程與結(jié)果
1. 外觀檢查
方法:目檢及光學(xué)顯微鏡觀察。
結(jié)果:封裝完整,未見機(jī)械損傷、腐蝕或其他異常。
2. 聲學(xué)掃描檢查
方法:超聲波掃描芯片內(nèi)部各材料界面是否存在分層。
結(jié)果:市場(chǎng)故障品內(nèi)部發(fā)現(xiàn)die邊緣存在異?;芈晠^(qū)域,提示存在結(jié)構(gòu)損壞。

3. 熱點(diǎn)定位分析
方法:紅外熱成像定位異常發(fā)熱點(diǎn)。
結(jié)果:故障品熱點(diǎn)異常區(qū)域與聲學(xué)異常區(qū)域高度重合。
4. 開封及內(nèi)部光學(xué)檢查
方法:開封后使用光學(xué)顯微鏡進(jìn)行內(nèi)部觀察。
結(jié)果:市場(chǎng)故障品內(nèi)部可見明確燒毀痕跡,證實(shí)聲掃異常對(duì)應(yīng)實(shí)際失效區(qū)域。

5. 背面紅外檢測(cè)
方法:從芯片背面進(jìn)行紅外熱成像與結(jié)構(gòu)分析。
結(jié)果:在開蓋EOS相同位置均檢出晶體管級(jí)損傷。

三、結(jié)論
通過系統(tǒng)性分析,確認(rèn)本次芯片失效由內(nèi)部特定區(qū)域(芯片端口電路)燒毀導(dǎo)致。初步推測(cè)為外部引入的過電應(yīng)力導(dǎo)致,針對(duì)該管腳進(jìn)行浪涌復(fù)現(xiàn)可復(fù)現(xiàn)相同的故障形貌。

來源:Top Gun 實(shí)驗(yàn)室