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聚合物/電鍍Cu方法

對(duì)于上篇文章中的晶圓，使用聚合物的RDL制造工藝如圖1所示，步驟如下（含UBM）：

步驟1：在晶圓上旋涂聚合物，如PI或BCB，固化1h。這將形成4~7um厚的層。

步驟2：涂光刻膠和掩膜，然后使用光刻技術(shù)（對(duì)準(zhǔn)和曝光）在PI或BCB上開通孔。

步驟3：刻蝕PI或BCB。

步驟4：剝離光刻膠。

步驟5：在整個(gè)晶圓片上濺射Ti和Cu。

步驟6：涂光刻膠和掩膜，然后使用光刻技術(shù)在再分布走線位置開孔。

步驟7：在光刻膠開孔處電鍍Cu。

步驟8：剝離光刻膠。

步驟9：完成Ti/Cu和RDL1的刻蝕。

步驟10：對(duì)RDL2重復(fù)步驟1~9，以此類推。

步驟11：重復(fù)步驟1（對(duì)于UBM）。

步驟12：涂光刻膠和掩膜，然后使用光刻技術(shù)（對(duì)準(zhǔn)和曝光）在PI或BCB上為所需的凸點(diǎn)焊盤上開通孔，并覆蓋再分布的走線。

步驟13：在PI或BCB上刻蝕所需的通孔。

步驟14：剝離光刻膠。

步驟15：在整個(gè)晶圓片上濺射Ti和Cu。

步驟16：涂光刻膠和掩膜，然后使用光刻技術(shù)在凸點(diǎn)焊盤上開通孔，以露出UBM區(qū)域。

步驟17：電鍍銅。

步驟18：剝離光刻膠。

步驟19：刻蝕掉Ti/Cu。

步驟20：化學(xué)鍍Ni和浸Au。UBM完成。

圖2顯示了采用聚合物（例如BCB）作為鈍化層和鍍Cu作為金屬層的RDL的典型橫截面?？梢钥闯觯g化層BCB1和BCB2的厚度為6~7um，RDL約為4um。

Cu大馬士革方法

另一種制造RDL的方法是Cu大馬士革工藝。從前述晶圓開始，用Cu大馬士革技術(shù)制造RDL的工藝主要是基于半導(dǎo)體后端工藝，詳情如圖3所示，步驟如下：

步驟1：PECVD淀積SiO2層。

步驟2：涂光刻膠和掩膜，然后使用光刻技術(shù)（對(duì)準(zhǔn)和曝光）在SiO2上開通孔。

步驟3：RIE（反應(yīng)性離子刻蝕）SiO2。

步驟4：剝離光刻膠。

步驟5：在整個(gè)晶圓上濺射Ti和Cu并電鍍Cu。

步驟6：對(duì)Cu和Ti/Cu進(jìn)行CMP。V01完成（通孔使TSV連接到RDL1）。

步驟7：重復(fù)步驟1。

步驟8：涂光刻膠和掩膜，然后用光刻技術(shù)在再分布走線位置開孔。

步驟9：重復(fù)步驟3。

步驟10：重復(fù)步驟4。

步驟11：重復(fù)步驟5。

步驟12：CMP Cu和Ti/Cu。RDL1完成。

步驟13：重復(fù)步驟1~6以完成V12（通孔將RDL1連接到RDL2）。

步驟14：重復(fù)步驟7~12以完成RDL2和任何其他層。

步驟15：（UBM）重復(fù)步驟1。

步驟16：涂光刻膠和掩膜，然后使用光刻技術(shù)（對(duì)準(zhǔn)并曝光）在SiO2上為所需的凸點(diǎn)焊盤開通孔，并覆蓋再分布的走線。

步驟17：在SiO2上刻蝕所需的通孔。

步驟18：剝離光刻膠。

步驟19：在整個(gè)晶圓上濺射Ti和Cu。

步驟20：涂光刻膠和掩膜，然后使用光刻技術(shù)在凸點(diǎn)焊盤上開通孔，以露出UBM區(qū)域。

步驟21：電鍍Cu。

步驟22：剝離光刻膠。

步驟23：腐蝕掉Ti/Cu。

步驟24：化學(xué)鍍Ni和浸Au。UBM完成。

需要注意的是，RDL也可以用雙Cu大馬士革方法制造，如圖4所示。

用Cu大馬士革技術(shù)制備的RDL橫截面的SEM圖像如圖5和圖6所示。最小RDL線寬為3um，RDL1和RDL2的厚度為2.6um，RDL3的厚度為1.3um，RDL之間的鈍化層厚度為1um。