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某芯片問(wèn)題導(dǎo)致的屏閃的現(xiàn)象分析

嘉峪檢測(cè)網(wǎng)        2026-04-13 10:32

某公司反映使用我司CS1628EO驅(qū)動(dòng)LED數(shù)碼管、顯示屏“跳閃”,回我司實(shí)驗(yàn)室測(cè)試時(shí)將電磁爐主板損壞,多項(xiàng)參數(shù)未測(cè)試完全,某公司在試驗(yàn)我司給出的參數(shù)調(diào)整時(shí)發(fā)現(xiàn)仍有顯示屏“跳閃”現(xiàn)象。再次去現(xiàn)場(chǎng)了解情況,現(xiàn)場(chǎng)帶回4塊LED驅(qū)動(dòng)板和電磁爐一臺(tái),“跳閃”電路。
 
1、在現(xiàn)場(chǎng)及我司實(shí)驗(yàn)室對(duì)CS1628EO外圍參數(shù)做如下實(shí)驗(yàn):
 
(1)出現(xiàn)問(wèn)題的電路CS1698Z、X版本,后來(lái)改為CS1698B同樣會(huì)出現(xiàn)閃屏現(xiàn)象;
(2)將顯示版上電路改為TM1628,老版CS1698,無(wú)閃屏現(xiàn)象;
(3)串口CLK、DIO、STB接GND電容由101改為201、102…,無(wú)明顯改善;
(4)在IC封裝體VDD、GND引腳處接104電容,無(wú)明顯改善;
(5)PCB板上DIO信號(hào)線從主控MCU到CS1628有100Ω串接電阻,改為200Ω、510Ω、1kΩ,無(wú)明顯改善;
(6)把PCB版上的DIO、CLK銅箔線隔斷,分別串接1kΩ電阻,電磁爐屏閃現(xiàn)象消失;
(7)在我司實(shí)驗(yàn)室用CS1628EO DEMO板模擬測(cè)試,DEMO板分為主控MCU,CS1628顯示版,之間通過(guò)
 
CLK、DIO、STB通信。將3根通信線加長(zhǎng),放到電磁爐內(nèi)部的線圈下面,MCU每隔10ms發(fā)一次指令,寫入顯示數(shù)據(jù)AA  AA  AA …,電磁爐工作后顯示屏?xí)W,在信號(hào)線CLK、DIO在顯示版處串入510Ω電阻,屏閃現(xiàn)象消失。
 
2、在VDD=5V時(shí),測(cè)試各樣品輸入轉(zhuǎn)換電平,結(jié)果是:
 
某芯片問(wèn)題導(dǎo)致的屏閃的現(xiàn)象分析
 
輸入SMT遲滯我們的電路比TM的要大。
 
新版1628EO與老版1628EO的輸入SMT結(jié)構(gòu)相同,差別在從芯片PAD到SMT輸入端的串接電阻,新版是140Ω電阻(40/4  POLY),老版是850Ω(22/11,25/2,52/2 POLY)。
 
串接電阻應(yīng)該是具有抗干擾作用。
 
某芯片問(wèn)題導(dǎo)致的屏閃的現(xiàn)象分析
 
從某公司原理圖以及實(shí)際板子上看三個(gè)通訊口只有DIO口串接了電阻,CLK和STB并沒(méi)有接電阻。并且串接電阻離IC太遠(yuǎn),抗干擾作用明顯降低。某公司使用的另外供應(yīng)商的TM1668電路在芯片內(nèi)部集成了約1.3kΩ的串接電阻,而我司CS1628由于內(nèi)部串接多晶電阻只有140Ω,所以在抗干擾能力方面弱于TM1668。
 
3、基于以上分析,我司工程師做了如下實(shí)驗(yàn),把PCB版上的DIO、CLK銅箔線隔斷,分別串接1kΩ的電阻,使用群脈沖發(fā)生器在電源中加入干擾,電磁爐功率調(diào)到2100W,觀察顯示情況是否正常。群脈沖設(shè)置如下:脈沖幅度0.3kV(試驗(yàn)中高于此幅度,MCU會(huì)受干擾死機(jī))、群脈沖重復(fù)時(shí)間300ms、脈沖頻率100KHz、一群脈沖個(gè)數(shù)100個(gè),正脈沖負(fù)脈沖各進(jìn)行120秒。在上述試驗(yàn)條件下,顯示正常,沒(méi)有屏閃現(xiàn)象。我司工程師分別試驗(yàn)了510Ω、1kΩ、3kΩ串接電阻均沒(méi)有出現(xiàn)屏閃的現(xiàn)象。   
 
屏閃問(wèn)題與電路相關(guān):我司新版CS1628在芯片內(nèi)部串口輸入端集成電阻只有140Ω,老版是850Ω,而TM1668電路在芯片內(nèi)部集成了約1.3kΩ的串接電阻,串接電阻應(yīng)該是具有抗干擾作用,所以我司CS1628在抗干擾能力方面弱于TM1668。調(diào)整外圍,在接近通訊端口處(DIO端口和CLK端口)串接入1kΩ的電阻可以明顯改善閃爍現(xiàn)象。
 
設(shè)計(jì)電路問(wèn)題分析
 
一,現(xiàn)象
 
某公司反饋CS1628EO在一款電磁爐上使用,在電磁爐功率調(diào)到2100W時(shí),顯示屏?xí)霈F(xiàn)閃爍現(xiàn)象。
 
二,實(shí)裝分析
 
出現(xiàn)問(wèn)題的電路CS1698Z、X版本,后來(lái)改為CS1698B同樣會(huì)出現(xiàn)閃屏象;將顯示版上電路改為TM1628,老版CS1698,無(wú)閃屏現(xiàn)象;串口CLK、DIO、STB接GND電容由101改為201、102…,無(wú)明顯改善;
 
u在電路封裝體VDD、GND引腳處接104電容,無(wú)明顯改善;
 
uPCB上DIO信號(hào)線從主控MCU到1628有100Ω串接電路,改為200、500、1K,無(wú)明顯改善;
 
u把PCB版上的DIO、CLK銅箔線隔斷,分別串接1KΩ電阻,實(shí)裝屏閃現(xiàn)象消失;
 
u1628 DEMO版分為主控MCU,1628顯示版,版之間通過(guò)CLK、DIO、STB通信。將3根通信線加長(zhǎng),放到電磁爐內(nèi)部的線圈下面,MCU每隔10ms發(fā)一次指令,寫入顯示數(shù)據(jù)AA  AA  AA …,電磁爐工作后顯示屏?xí)W,在信號(hào)線CLK、DIO在顯示版處串入500Ω電阻,屏閃現(xiàn)象消失。
 
 在VDD=5V時(shí),測(cè)試各樣品輸入轉(zhuǎn)換電平,結(jié)果是:
 
某芯片問(wèn)題導(dǎo)致的屏閃的現(xiàn)象分析
 
輸入SMT磁滯我們的電路比TM的要大。
 
某芯片問(wèn)題導(dǎo)致的屏閃的現(xiàn)象分析
 
新版1628EO與老版1628EO的輸入SMT結(jié)構(gòu)相同,差別在從芯片PAD到SMT輸入端的串接電阻,新版是140Ω電阻(40/4  POLY),老版是850Ω(22/11,25/2,52/2 POLY)。串接電阻應(yīng)該是具有抗干擾作用。 
 
三,串口抗干擾串口資料
 
1,I2C總線規(guī)范內(nèi)抗干擾說(shuō)明
 
某芯片問(wèn)題導(dǎo)致的屏閃的現(xiàn)象分析
 
某芯片問(wèn)題導(dǎo)致的屏閃的現(xiàn)象分析
 
2,網(wǎng)上下載文檔高于I/O口的抗干擾建議
 
如果單片機(jī)的I/O口用來(lái)控制電機(jī)等噪聲器件,在I/O口與噪聲源之間應(yīng)加隔離,見(jiàn)下圖。其中L為磁珠,也可用100Ω電阻代替。
 
某芯片問(wèn)題導(dǎo)致的屏閃的現(xiàn)象分析
 
與噪聲源隔離
 
3,實(shí)際IC電路的輸入串口線路
 
uCS4110(樣品AAT3110)
 
CS4110的輸入使能引腳的邏輯圖,版圖如下,在接近SMT輸入附件,接入了3.2K高阻多晶和613ΩN+電阻。
 
某芯片問(wèn)題導(dǎo)致的屏閃的現(xiàn)象分析
 
uTM1668
 
 TM1668輸入DIO的邏輯、版圖如下,PAD到SMT有POLY,等效串入1.3KΩ的電阻。
 
某芯片問(wèn)題導(dǎo)致的屏閃的現(xiàn)象分析
 
某芯片問(wèn)題導(dǎo)致的屏閃的現(xiàn)象分析
 
某芯片問(wèn)題導(dǎo)致的屏閃的現(xiàn)象分析
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