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靜電放電損傷特點是電壓高、電荷量小，并且這種損傷是偶然發(fā)生的，損傷引起的破壞性帶有積累性，當損傷較輕時器件并不會失效，但隨著損傷次數(shù)的增加，器件就會突然發(fā)生失效。

在電子工業(yè)中存在的靜電放電現(xiàn)象十分普遍，由于生產(chǎn)過程中大量使用塑料和高分子材料，所以靜電荷的產(chǎn)生與積累都很嚴重。而半導體器件和集成電路都向高速、高集成、微功耗方向發(fā)展，這樣就使得它們對靜電放電損傷變得更加敏感。但是許多器件用戶對靜電放電危害性的認識不足，客觀上是因為ESD損傷很難察覺，例如，人體靜電壓在1～2KV范圍內(nèi)發(fā)生的ESD，人體并無感覺，但對靜電敏感器件卻會引起失效。因此，ESD損傷往往是在不知不覺中發(fā)生的，ESD損傷具有隱蔽性。

 

1、引起ESD損傷的三種途徑

(1)人體活動引起的摩擦起電是重要的靜電來源，帶靜電的操作者與器件接觸并通過器件放電。

(2)器件與用絕緣材料制作的包裝袋、傳遞盒和傳送帶等摩擦，使器件本身帶靜電，它與人體或地接觸時發(fā)生的靜電放電。

(3)當器件處在很強的靜電場中時，因靜電感應(yīng)在器件內(nèi)部的芯片上將感應(yīng)出很高的電位差，從而引起芯片內(nèi)部薄氧化層的擊穿?；蛘吣骋还苣_與地相碰也會發(fā)生靜電放電。

根據(jù)上述三種ESD的損傷途徑，建立了三種ESD損傷模型：人體帶電模型、器件帶電模型和場感應(yīng)模型。其中人體模型是主要的。

 

2、ESD損傷的失效模式

(1)雙極型數(shù)字電路

a.輸入端漏電流增加

b.參數(shù)退化

c.失去功能

其中對帶有肖特基管的STTL和LSTTL電路更為敏感。

 (2)雙極型線性電路

a.輸入失調(diào)電壓增大

b.輸入失調(diào)電流增大

c.MOS電容(補償電容)漏電或短路

d.失去功能

 (3)MOS集成電路

a.輸入端漏電流增大 

b.輸出端漏電流增大 

c.靜態(tài)功耗電流增大 

d.失去功能

(4)雙極型單穩(wěn)電路和振蕩器電路

a.單穩(wěn)電路的單穩(wěn)時間發(fā)生變化 

b.振蕩器的振蕩頻率發(fā)生變化 

c.R.C連接端對地出現(xiàn)反向漏電

 

3、ESD對集成電路的損壞形式

a.MOS電路輸入端保護電路的二極管出現(xiàn)反向漏電流增 b.輸入端MOS管發(fā)生柵穿 

c.MOS電路輸入保護電路中的保護電阻或接觸孔發(fā)生燒 毀

d.引起ROM電路或PAL電路中的熔斷絲熔斷

e.集成電路內(nèi)部的MOS電容器發(fā)生柵穿

f.運算放大器輸入端(對管)小電流放大系數(shù)減小

g.集成電路內(nèi)部的精密電阻的阻值發(fā)生漂移 

h.與外接端子相連的鋁條被熔斷

i.引起多層布線間的介質(zhì)擊穿(例如：輸入端鋁條與n+、間的介質(zhì)擊穿)

            

4、ESD損傷機理

 (1)電壓型損傷

a.柵氧化層擊穿(MOS電路輸入端、MOS電容)

b.氣體電弧放電引起的損壞(芯片上鍵合根部、金屬化 條的最窄間距處、聲表面波器件的梳狀電極條間) 

c.輸入端多晶硅電阻與鋁金屬化條間的介質(zhì)擊穿

d.輸入/輸出端n+擴區(qū)與鋁金屬化條間的介質(zhì)擊穿。

(2)電流型損傷

a.PN結(jié)短路(MOS電路輸入端保護二極管、線性電路輸 入端保護網(wǎng)絡(luò))

b.鋁條和多晶硅條在大電流作用下的損傷(主要在多晶 硅條拐彎處和多晶硅條與鋁的接觸孔)

c.多晶硅電阻和硅上薄膜電阻的阻值漂移(主要是高精 度運放和A/D、D/A電路)

 

5、ESD損傷實例

最容易受到靜電放電損傷的集成電路有：CCD、EPROM、微波集成電路、高精度運算放大器、帶有MOS電容的放大器、HC、HCT、LSI、VLSI、精密穩(wěn)壓電路、A/D和D/A電路、普通MOS和CMOS、STTL、LSTTL等。

(1)國外實例

a.Motorola公司生產(chǎn)的MOS大規(guī)模集成電路─微處理器(CPU)，在進行老練試驗的11個星期中仔細進行了觀察和記錄。發(fā)現(xiàn)在試驗開始階段因為沒有采用導電盒放置樣品，拒收數(shù)與被試驗元件總數(shù)相對比例約為40×10-n(n值為保密數(shù)字)。但從第四個星期開始，樣品采用鍍鎳盒放置后，則降低15×10-n。此試驗相繼跟蹤了7個多星期，平均的拒收比例為18×10-n。說明MOS大規(guī)模電路在使用過程中必須采取嚴格的防ESD措施。

b.某公司共進行了18700只MOS電路的老練，發(fā)現(xiàn)失效率很高，經(jīng)分析和研究認為大部分失效是由ESD引起。于是該公司為此問題專門寫了一份有改正措施的報告，并對全體有關(guān)人員進行了防靜電放電損傷的技術(shù)培訓，器件采用防ESD包裝，加強了各項防ESD損傷的措施，后來又老練了18400只同種器件，拒收率降低到原來的1/3。

 c.某一批“64位隨機存貯器”，從封裝到成品測試，其成品損失率為2％，該存貯器為肖特基-雙極型大規(guī)模電路，經(jīng)調(diào)查，操作過程中曾使用過塑料盒傳遞器件，由于靜電放電損傷了輸入端的肖特基二極管，使二極管反向特性變軟或短路。

d.一批“雙極模擬開關(guān)”集成電路，在裝上印制電路板，經(jīng)保形涂覆后，少數(shù)樣品出現(xiàn)輸入特性惡化。解剖分析后，發(fā)現(xiàn)輸入端(基極)的鋁金屬化跨過n+保護環(huán)擴散層處發(fā)生短路或漏電，去除鋁后，可發(fā)現(xiàn)n+環(huán)上的氧化層有很小的擊穿孔。

由于n+擴區(qū)上的氧化層較薄，并且光刻腐蝕的速度較快，因而容易發(fā)生ESD擊穿，版圖設(shè)計時，如果必須采用n+擴散層作埋層穿接線，其位置應(yīng)慎重選擇，避免輸入端鋁金屬化跨過n+擴區(qū)，對于輸入端鋁條跨過n+擴區(qū)的雙極電路，使用時應(yīng)采取必要的防靜電措施。

e.測試和傳遞中出現(xiàn)肖特基TTL電路(54S181、54S420)電性能異常 ，輸入漏電增大。經(jīng)解剖分析，在金相顯微鏡下觀察芯片表面未發(fā)現(xiàn)任何電損傷痕跡，但在去除鋁和SiO2后，在輸入端的發(fā)射極接觸孔內(nèi)卻發(fā)現(xiàn)了較輕的小坑，再用CP4溶液進行腐蝕后小坑變得更加明顯。用“靜電模擬器”進行模擬試驗，出現(xiàn)的失效現(xiàn)象與它十分類似。可見這種失效是由ESD損傷引起，也可能是其它的輕度電損傷引起。

f.某儀表系統(tǒng)輸入端使用的2N5179超高頻晶體管多次發(fā)生失效 ，失效模式為放大系數(shù)降低，特別是在小電流下(例如Ic＝100μA)的放大系數(shù)下降到大約為1左右，同時eb結(jié)出現(xiàn)較大反向漏電。解剖后，在金相顯微鏡下觀察芯片表面，在eb極之間的鋁條上有一個很小的變色區(qū)，它是由瞬間的電過應(yīng)力(電浪涌)引起的過合金區(qū)，這種失效一般由靜電放電引起，對于輸入端為超高頻小功率管基極的電子系統(tǒng)，輸入端應(yīng)設(shè)計輸入保護網(wǎng)絡(luò)，如果系統(tǒng)特性不允許增加保護網(wǎng)絡(luò)，則必須采取防靜電放電操作措施。

g.帶有MOS電容器作為內(nèi)補償?shù)倪\算放大器，在使用中常有失效，失效現(xiàn)象是輸出電壓在稍低于正電源電壓下發(fā)生閉鎖。經(jīng)解剖分析證實，失效由MOS電容器出現(xiàn)大漏電引起，漏電電阻約為400Ω。因為作補償?shù)腗OS電容器的一端直接與電路的外引線相連(V+端)。利用掃描電鏡(SEM)觀察，發(fā)現(xiàn)MOS電容邊緣明顯有很小的擊穿點，此特征表明失效由ESD損傷引起。

 h.在一次系統(tǒng)裝配完畢后的檢查中，發(fā)現(xiàn)6只101A型雙極運算放大器失效，失效模式是輸入失調(diào)電壓增大到40mV。用特性曲線圖示儀測試管腳-管腳間特性，出現(xiàn)輸入端特性異常。解剖后，利用金相顯微鏡觀察芯片上的輸入端，發(fā)現(xiàn)有飛弧狀的電損傷痕跡，它是電瞬變引起的電過應(yīng)力損傷，這種電瞬變可能是由ESD引起。經(jīng)調(diào)查，在印制板的電裝工藝線上，用靜電電壓表檢測印制板上的靜電電壓，在開路區(qū)域上電壓達800V以上，特別是在空氣干燥的冬季或進行高溫烘烤時，印制板上的靜電電壓更高。

(2)國內(nèi)實例

a.某廠生產(chǎn)的CMOS電路經(jīng)篩選入庫后，在抽查中每次都發(fā)現(xiàn)有較大數(shù)量失效(約占5％)，失效模式為輸入漏電增大，經(jīng)調(diào)查與分析，發(fā)現(xiàn)失效是由ESD損傷引起的。因為該廠生產(chǎn)的CMOS電路在測試前后都放置于普通塑料盆內(nèi)，塑料上的靜電荷傳遞給CMOS電路，在測試過程中，當器件接觸人體或桌面上的接地金屬時就會立即引起放電，導致ESD損傷而失效。后來采取了一系列防ESD措施，并將普通塑料盒改用導電塑料盒，這一失效現(xiàn)象就立即消失了。

 b.在電子設(shè)備的調(diào)試過程中，發(fā)現(xiàn)雙極集成電路中的單穩(wěn)電路和振蕩電路常出現(xiàn)失效，失效現(xiàn)象是單穩(wěn)電路已調(diào)整好了的單穩(wěn)時間常發(fā)生漂移；振蕩器已調(diào)好的振蕩頻率也常發(fā)生漂移。經(jīng)解剖分析，發(fā)現(xiàn)失效是由ESD損傷或電瞬變損傷引起。解剖后，用金相和掃描電鏡檢查芯片表面，在外接R.C的一端，管子eb結(jié)有很輕度的電損傷痕跡(有的樣品還無明顯損傷痕跡)。測試該端eb結(jié)反向特性已變壞，有較大反向漏電。

由于它們是雙極型集成電路，所以在調(diào)試過程中并未采取防ESD損傷措施。但這兩種電路有一個共同特點，就是外接R、C的端子是晶體管的基極，并且該管的發(fā)射極 

又是直接接地的，無任何限流電阻。在機器調(diào)試時，要反復更換電容或電阻，將單穩(wěn)寬度和振蕩頻率調(diào)整到滿足機器所需值。調(diào)機時機器是接地的，當更換R、C元件時，烙鐵和人體都要接觸該集成電路外接R、C的端子，如果人體帶靜電就會通過電路對地放電，并且放電回路只有一個發(fā)射極二極管，因此它們對ESD比較敏感。此外，如果烙鐵的接地不良或不當。例如，烙鐵接的是交流地與機器不是同一地，兩個地線之間的電位差引起的放電也會損壞電路。所以，雙極電路中的單穩(wěn)和振蕩器也應(yīng)采取防ESD損傷措施，并且要特別注意烙鐵的接地狀況。

 c.航天產(chǎn)品上應(yīng)用的一種進口的“隔離放大器”，在測試和機器調(diào)試中常有失效，由于這種放大器是雙極型二次集成電路，說明書上只有功能方塊圖，無具體線路圖，所以使用者未采取任何防靜電的措施。失效模式為輸出端對地呈現(xiàn)低電阻或短路，經(jīng)解剖分析，發(fā)現(xiàn)每只電路內(nèi)部都有3只MOS電容器，其中有一只就是直接跨接在解調(diào)器的輸出與地之間。因此，該輸出端很怕靜電放電。由于使用者并不了解這一特殊情況，所以未采取防靜電措施，結(jié)果ESD損傷失效常有發(fā)生， 經(jīng)濟損失很大 。后來采取防靜電措施后，輸出對地短路的失效現(xiàn)象就消

 d.某航天電子產(chǎn)品用肖特基TTL電路54LS10，在部件進行老練和測試后失效，失效模式為輸入端漏電流增大。經(jīng)分析表明，失效由ESD或電浪涌損傷引起。解剖分析后發(fā)現(xiàn)芯片表面無任何電損傷痕跡，也無任何工藝缺陷，經(jīng)過各項試驗證實，輸入漏電不是氧化層內(nèi)的鈉離子沾污，也不是芯片表面的潮氣和可動電荷沾污所引起。經(jīng)現(xiàn)場調(diào)查，失效的輸入端恰好是該部件的輸入端子，在測試和老練過程中該端子常與人體或設(shè)備的機殼相碰，且操作現(xiàn)場并未采取防ESD措施，所以判斷失效由ESD損傷引起。此外，輸入端碰上有漏電的機殼也會引起類似失效。

 e.某星上用進口的軍用CCD(電荷耦合器件)，在使用過程中不知不覺就失效，這不僅造成了重大經(jīng)濟損失，而且嚴重地影響了工作進行。經(jīng)調(diào)查與分析，判斷失效由ESD損傷引起。因為該CCD是超大規(guī)模集成電路，又屬于MOS型器件，它對ESD特別敏感。根據(jù)靜電敏感度，完全屬于靜電放電最敏感的器件之一，只要100伏的靜電壓，就可能損壞(與MOS單管相差不多，甚至還要敏感)。經(jīng)現(xiàn)場調(diào)查，工作間地板電阻率為1013~1014Ω/cm，它已不屬于防靜電地板(防靜電地板應(yīng)為106~108)，工作人員采取了防ESD措施，仍然有靜電荷積累。全面地采取了防靜電措施，這一失效就得到了有效的控制。

f.雙極運算放大器LF253在入廠檢收和二次篩選中均發(fā)現(xiàn)失效，失效比例大約5％。經(jīng)解剖分析發(fā)現(xiàn)，補償端的鋁條上有一小區(qū)域內(nèi)有“變色”現(xiàn)象，這種變色點是由瞬變電過應(yīng)力引起的局部高溫造成，它可能是ESD損傷引起的，因為LF253是雙極型電路，使用者并未采取必要的防ESD損傷措施，所以ESD操作的可能性很大。利用“靜電模擬器”進行模擬試驗，發(fā)現(xiàn)補償端與正電源之間的損傷電壓僅有6KV而其他端可達5.0KV，可見，運算放大器也要采取必要的防靜電措施。

g.彩電高頻頭內(nèi)的MOS場效應(yīng)管常有失效發(fā)生。經(jīng)過解剖分析，發(fā)現(xiàn)芯片表面有很小的“絲狀”擊穿通路。這種失效是由ESD引起的，因為彩電熒光屏上有40～50KV的靜電電壓，如果不慎將這樣高的靜電壓通過天線引入高頻頭，就很容易引起MOS管失效。

h.某廠生產(chǎn)的高頻晶體管3DG142在入廠檢驗和二次篩選中常有失效發(fā)生，失效模式是eb結(jié)漏電或短路。經(jīng)解剖分析，發(fā)現(xiàn)eb結(jié)有輕微的燒毀痕跡。由于這種管子是雙極器件，使用者未采取防靜電措施。但這種高頻晶體管是淺結(jié)器件，易受靜電放電損傷。例如，當測試人員剛走進工作室在測試臺前坐下來時，人體上的靜電壓可能是比較高的，此時去拿晶體管進行測試就很可能引起ESD損傷。由于eb結(jié)的面積很小，并且是淺結(jié)，所以損傷部位一般都是eb結(jié)(bc結(jié)不會損傷)?？梢姡瑢τ诟哳l，特別是超高頻的小功率管，在使用過程中也應(yīng)適當采取防靜電損傷措施．

 

6、預(yù)防ESD損傷的措施

凡是對ESD比較敏感的器件，在整個使用過程中都應(yīng)全面采取嚴格的防靜電損傷措施。其原則是：

a.盡量防止和減小靜電荷的產(chǎn)生；

b.加速靜電荷的泄漏，防止靜電荷積累；

控制靜電荷的產(chǎn)生主要是控制工藝過程和控制工藝過程中所用材料的選擇。控制靜電荷積累的主要途徑是：設(shè)計加速靜電荷的泄漏和中和，使靜電壓不超過安全限制。例如接地、增濕、加入抗靜電添加劑等均屬于加速靜電泄漏的方法；運用離子發(fā)生器等裝置消除靜電荷危害的方法均屬于加速靜電中和方法。

 (1)設(shè)置防靜電工作區(qū)。對靜電敏感的半導體器件，應(yīng)在防靜電工作區(qū)內(nèi)安裝；該區(qū)域內(nèi)應(yīng)鋪設(shè)導電地板。配合使用的椅子與地板接觸的腿和座位表面都應(yīng)該是靜電導電的。導電性地面指用電阻率在105姆·厘米以下的材料制成的地面。例如，混凝土、導電橡膠、導電合成樹脂、導電木板、導電水磨石、導電瓷磚等地面，但表面不應(yīng)上臘。工作人員在普通橡膠板上行走時，人體靜電電壓可高達7500V，但當此人走到導電橡膠板上行走三步之后，人體靜電電壓可立即降低到100V以下。這里還必須指出，粘合導電性地面使用的粘著劑也必須具有一定導電性，否則達不到防靜電的目的。

 (2)工作臺的臺面應(yīng)鋪設(shè)用靜電耗散材料(表面電阻率為105～109Ω/cm2)制作的保護工作面，并接地。

 (3)靜電防護區(qū)內(nèi)的操作者應(yīng)使用防靜電肘帶或腕帶(用導電塑料或?qū)щ娤鹌ぶ谱龅木€或軟性帶)。為保證人身安全，肘帶或腕帶還應(yīng)置于人體靠近儀器設(shè)備的一側(cè)，肘帶或腕帶就通過 1～10MΩ電阻接地(這種接地稱為靜電接地或軟接地)。如果流動工作人員使用防靜電肘帶或腕帶有困難，可用手經(jīng)常觸摸金屬接地線，以泄放其身上的靜電荷，尤其是在接觸電路板前，必須先泄放人身靜電。

(4)為了防止人體帶電，靜電防護區(qū)內(nèi)的工作人員應(yīng)穿導電性鞋(防靜電鞋)。導電性鞋的底(包括襪子)的電阻不應(yīng)超過10MΩ；為了防止人體觸電，導電鞋鞋底的電阻也不宜低于10MΩ，但不能穿橡膠底鞋或塑料底鞋。

 (5)靜電防護區(qū)內(nèi)的操作者應(yīng)穿防靜電工作服，戴防靜電手套和帽，例如純棉工作服和純棉手套，并且應(yīng)定期用靜電電壓表監(jiān)測人體靜電電壓。不允許穿化纖(尼龍、的確良等)工作服和戴尼龍手套以及化纖工作帽等。

(6)所有防靜電設(shè)施每月應(yīng)進行一次檢查，以保證工作臺面、接地墊和人體等的靜電接地正常。定期對防靜電工作服、鞋、襪、帽、手套等進行泄漏電阻的檢測，一般要求泄漏電阻在10～1000MΩ。對靜電的產(chǎn)生、帶電情況以及消除靜電的效果等要經(jīng)常進行檢測，并作好記錄，力求經(jīng)常掌握準確情況。對防靜電工作服的要求如表1-1所示

(7)對操作靜電放電敏感器件的人員，應(yīng)進行靜電放電防護知識和技術(shù)的培訓及考核，未經(jīng)培訓或沒有通過考核者不允許上崗操作。

(8)靜電放電敏感器件必須采用防靜電材料包裝，它們包括：

a.防靜電軟墊；

b.靜電導電泡沫塑料；

c.防靜電裝運盒；

d.導電分流器；

e.靜電防護外殼。靜電放電敏感器件的驗收和入庫檢查應(yīng)包括以下內(nèi)容：

a）.應(yīng)檢查器件是否有防靜電材料包裝，包裝是否完整；

b）.包裝上是否有明顯的防靜電標志(靜電放電敏感標志為“△”)；

c）.靜電放電敏感器件必須裝放在防靜電包裝盒內(nèi)才能裝運；對靜電放電敏感Ⅱ類器件，必須用導電盒或半導電塑料盒包裝。靜電放電敏感Ⅰ類器件還應(yīng)采用金屬鋁箔或銅絲將引出腿短路；

d）.靜電放電敏感器件在使用前不允許隨意拆除器件的導電包裝或防靜電包裝。裝配前不要過早地將器件從防靜電包裝盒中取出； 

e）.拆除靜電放電敏感器件的包裝應(yīng)在靜電防護區(qū)內(nèi)進行，人體和工作臺以及工具等應(yīng)符合有關(guān)規(guī)定，拆除包裝后器件應(yīng)立即放入事先準備好的導電盒內(nèi)存放。

防靜電材料是在容易產(chǎn)生靜電的高絕緣材料中加入抗靜電添加劑，它是一種化學試劑，具有較好的導電性或較強的吸潮性，因此，加入抗靜電添加劑后能降低材料的體電阻或面電阻，以便加速靜電荷的泄漏。對固體，若能將其體電阻率降低至105歐姆·厘米以下，即可消除靜電的危害。例如，在橡膠中加入碳黑或金屬粉末；在聚氯乙烯軟質(zhì)塑料中加入酰胺基季銨硝酸鹽；在合成纖維中加入季胺鹽油劑等。

(9)靜電防護區(qū)應(yīng)掛上醒目的“防靜電區(qū)”或“未經(jīng)允許不得入內(nèi)”的示意牌；不允許未采取靜電措施的人接觸靜電放電敏感器件或電路板；安裝和處理靜電放電敏感器件的人數(shù)應(yīng)明確規(guī)定，盡可能將人數(shù)減少。

(10)不應(yīng)將靜電放電敏感器件堆放在一起；裝上器件的印制電路板不能重疊，應(yīng)放入防靜電塑料袋內(nèi)。

靜電敏感器件應(yīng)在最后一道工序裝入印制電路板，盡量減小對靜電敏感器件的接觸失效。操作過程中應(yīng)盡量減少接觸其管腳，也不要使器件在其他物體表面上滑過。

不允許電路板和靜電敏感器件直接碰地。裝有靜電敏感器件的電路板無論是成品或半成品，在整個周轉(zhuǎn)過程中均應(yīng)放在防靜電存放箱中。

 (11)靜電防護區(qū)內(nèi)的相對濕度應(yīng)控制在40％～60％。

增加環(huán)境的濕度，在絕緣體表面形成一層約厚105厘米的水膜。由于水膜內(nèi)含有雜質(zhì)和溶解物質(zhì)，有較好的導電性，因此使絕緣體表面電阻大大降低，從而加速了靜電荷的泄漏。相對濕度低于30％時，產(chǎn)生的靜電荷積累是比較嚴重的。增加濕度的方法，一般是利用空調(diào)裝置、噴霧嘴、懸掛濕布、地面灑水等。

 (12)在不能采用接地技術(shù)平衡或耗散靜電荷時，可在工作環(huán)境安置空氣電離器，利用它不斷地向非導電物品輸送正、負離子流，用以中和物體上的靜電荷；或在工作臺面、傳送帶或儀表面板上涂抹專用抗靜電劑，用以提高表面電導率和增加潤滑度，以便防止靜電荷的產(chǎn)生和積累。

(13)安裝在印制電路板上的靜電放電敏感器件，如果線路引出端沒有串聯(lián)電阻、分流器、箝位器件或其它保護裝置時，該端應(yīng)專門設(shè)計和增加保護電路；設(shè)備箱體的電氣引出端(包括設(shè)備外表的測試點)也應(yīng)有保護電路，如果不能設(shè)置保護電路，則應(yīng)向采購方陳述其理由，并在技術(shù)文件中加以說明。對于在印制電路板插頭連接有靜電敏感器件而又無保護裝置時，裝焊完畢就應(yīng)在插頭處立即套上防靜電保護夾。

 (14)線路設(shè)計時應(yīng)合理選擇器件，在滿足規(guī)定電性能的前提下，應(yīng)盡量選擇靜電損傷閾值高的器件。

(15)入廠檢驗和電氣測試應(yīng)采用專用設(shè)備進行，所有測試設(shè)備的接地(硬接地)要良好，測試完畢應(yīng)將器件放入屏蔽的導電盒內(nèi)。